• Title/Summary/Keyword: annealing.

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Activation energy for the loss of substitutional carbon in $Si_{0.984}C_{0.016}$ grown by solid phase epitaxy

  • Kim, Yong-Jeong;Kim, Tae-Joon;Park, Byungwoo;Song, Jong-Han
    • Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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    • v.4 no.2
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    • pp.50-54
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    • 2000
  • We studied the synthesis of S $i_{1-x}$ Cx (x=0.016) epitaxial layer using ion implantation and solid phase epitaxy (SPE). The activation energy Ea was obtained for the loss of substitutional carbon using fourier transform-infrared spectroscopy (FTIR) and high-resolution x-ray diffraction (HR-XRD). In FTIR analysis, the integrated peak intensity was used to quantify the loss of carbon atoms from substitutional to interstitial sites during annealing. The substitutional carbon contents in S $i_{0.984}$ $C_{0.016}$ were also measured using HR-XRD. By dynamic simulations of x-ray rocking curves, the fraction of substitutional carbon was obtained. The effects of annealing temperature and time were also studied by comparing vacuum furnace annealing with rapid thermal annealing (RTA))))))

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Laboratory on network (네트워크 상에서의 물리실험)

  • Nam Yuri;Kim J. -S.
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.13 no.4
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    • pp.164-174
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    • 2004
  • Computer control of experiments is very powerful because computer can outperform human being for most routine and repeated procedures. We successfully made the whole process of sputtering and annealing fully automated and controllable through network. The present work shows a possibility of building unmanned laboratory.

ELA Poly-Si과 SLS Poly-Si에서 Boron Activation에 관한 연구

  • Hong, Won-Ui;No, Jae-Sang
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2012.02a
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    • pp.376-376
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    • 2012
  • 본 연구는 Poly-Si에 이온 주입된 Boron의 Activation 거동을 연구하고자 SLS (Sequential Lateral Solidification) Poly-Si과 ELA (Excimer Laser Annealing) Poly-Si의 활성화 거동을 비교 분석하였다. SLS 및 ELA 결정화 방법으로 제조된 Poly-Si을 모재로 비 질량 분리 방식의 ISD (Ion Shower Doping) System을 사용하여 2.5~7.0 kV까지 이온주입 하였다. 이온주입 후 두 가지의 열처리 방법, 즉, FA 열처리(Furnace Annealing)와 RTA 열처리(Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 도펀트 활성화 열처리를 수행하고 이온주입 조건 및 활성화 열처리 방법에 따른 결함 회복 및 도펀트 활성화 거동의 변화를 관찰하였다. TRIM-code Simulation 결과 가속 이온 에너지와 조사량이 증가 할수록 이온주입 시 발생하는 결함의 양이 증가하는 것을 정량적으로 계산하였다. 실험 결과 결함의 양이 증가 할수록 Activation이 잘되는 것을 관찰할 수 있었다. SLS Poly-Si에 비하여 ELA Poly-Si의 경우 도펀트 활성화 열처리 후 활성화 효율이 높게 나타났다. 본 결과는 Grain Boundary의 역할과 밀접한 관계가 있으며 간단한 정성적인 Model을 제시하였다. 활성화 효율의 경우 RTA 열처리 시편이 FA 시편에 비하여 높은 것이 관찰되었다. 본 결과는 열처리 온도 및 시간에 따라 변화하는 Boron의 특이한 활성화 거동인 Reverse Annealing 효과에 기인하는 것으로 규명되었다.

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A study fo Al/W(110) surface structure at various annealing temperature and coverage

  • Choe, Dae-Seon;Park, Min-Geol;Park, Mi-Mi;Lee, Jeong-Hwan;Kim, Ju-Hwan;Kim, Do-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.344-344
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    • 2011
  • W(110)면에 흡착원자인 Al원자의 coverage와 annealing과정에서의 온도를 변화시켜, 여러 조건에서의 Al/W(110)계의 흡착구조를 저에너지 전자회절(LEED)과 이온산란분광법(ISS-TOF)을 이용하여 연구하였다. 여러 결과 중, annealing 온도가 900K인 1.0ML Al/W(110)면은 double domain의 p($1{\times}1$)의 흡착구조로 W(110)면의 center of hollow site에서 $0.55{\AA}$ 벗어난 위치에 흡착되었으며, W(110) 표면원자로부터 Al 원자까지의 높이는 $2.13{\pm}0.15{\AA}$이다. 또한 annealing 온도가 1100K인 0.5ML Al/W(110)면은 double domain의 p($2{\times}1$)의 흡착구조로 W(110)면의 center of bridge site에 흡착되었으며, W(110) 표면원자로부터 Al 원자까지의 높이는 $2.18{\pm}0.15{\AA}$이다.

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Realization of flexible polymer solar cell by annealing-free process using 1,8-Diiodooctane as additive

  • Kim, Youn-Su;Ju, Byeong-Kwon;Kim, Kyung-Kon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.383-383
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    • 2011
  • We fabricated thermal annealing-free polymer solar cells (PSC) by processing with additive and applied to flexible substrates. The 1, 8-Diiodooctane of 3 vol% blended with active solution resulted in enhancement of $J_{SC}$ due to increase of light absorption and hole mobility as improving the crystallinity of P3HT. In addition, the $V_{OC}$ of PSCs with additive was improved by inserting $TiO_2$ layer without any treatment. The $TiO_2$ layer prevented the direct contact between active layer and Al electrode and reduced the charge recombination near Active/Al interface. It was confirmed by calculation of J0 and photo-voltage transient measurement. The power conversion efficiencies of annealing-free PSCs using additive for ITO glass and flexible (ITO PEN) substrate were obtained 3.03% and 2.45%, respectively.

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Makespan Minimization Problem for A Job - Multiple Machines Using Simulated Annealing (Simulated Annealing을 이용한 한 작업-다중 기계문제에서의 Makespan 최소화)

  • 이동주;황인극;김진호
    • Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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    • v.5 no.2
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    • pp.137-140
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    • 2004
  • 다중 프로세서 시스템이 개발됨에 따라, 새로운 일정계획문제, 하나의 작업이 하나이상의 기계에 의해 동시에 처리되어야 하는 문제가 대두되었다. 이 연구에서는 선행관계를 가진 이러한 다중 프로세서 일정계획문제에 대해 다루어 보았다. 이 연구의 목적은 makespan을 최소화하는 일정계획을 찾는 것이다. 일반적으로 Branch and Bound 기법을 이용하여 선행관계를 가진 다중 프로세서 일정계획문제의 최적해를 찾았는데, 해의 탐색시간이 너무 오래 걸린다는 단점이 있었다. 본 연구에서는 짧은 시간 내에 최적해와 가까운 근사해를 simulated annealing(SA)방법을 이용하여 구해보았다. SA의 성능을 측정하기 위하여, SA의 CPU 처리시간과 구한 근사해를 40개의 예제문제를 통하여 Kramer의 방법의 CPU 처리시간과 최적해와 비교해 보았다.

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Spin Dependent Transport Phenomena for Annealed Co46Al19O35 Granular Thin Films

  • Jae-Geun Ha
    • Journal of Magnetics
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    • v.3 no.4
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    • pp.127-133
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    • 1998
  • I have overviewed the change in GMR on annealing, in conjunction with the change in microstructure. The Co46Al19O35 granular thin films were annealed at 30$0^{\circ}C$ for various annealing time to change the microstructure. The magnitude of GMR decreases considerably with increasing annealing time, although the size of Co granules estimated from TEM observation show a small change. Parameter fits of magnetization curves and magnetoresistance curves to the Langevin function suggest that large clusters consisting of several small Co granules, which are coupled ferromagnetically, are related with the decrease of GMR on annealing. The temperature dependence of electrical resistivity ($\rho$) shows the relationship of log $\rho$ versus $T^{-1/2}$ for the sample annealed for 10 min., 1 hr. and 6 hrs. However, the sample annealed for 38 hrs. shows the relationship of log $\rho$ versus$ T^{-1/4},$ which represents a significant change in the transport mechanism.

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A Distance-Based Simulated Annealing Algorithm for the determination of the Number and the Location of Centralized Warehouses (중앙창고의 수와 위치 결정을 위한 거리 기반 Simulated Annealing 앨고리듬)

  • Lee, Dong-Ju;Kim, Jin-Ho
    • Journal of Korean Society of Industrial and Systems Engineering
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    • v.30 no.3
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    • pp.44-53
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    • 2007
  • Forming central warehouses for a number of stores can save costs in the continuous review inventory model due to economy of scale and information sharing. In this paper, transportation costs are included in this inventory model. Hence, the tradeoff between inventory-related costs and transportation costs is required. The main concern of this paper is to determine the number and location of central warehouses. Transportation costs are dependent on the distance from several central warehouses to each store. Hence, we develop an efficient simulated annealing algorithm using distance-based local search heuristic and merging heuristic to determine the location and the number of central warehouses. The objective of this paper is to minimize total costs such as holding, setup, penalty, and transportation costs. The performance of the proposed approach is tested by using some computational experiments.

LTPS 공정 Diode Laser Annealing 방식을 이용한 Poly-Si 결정화

  • Lee, Jun-Gi;Kim, Sang-Seop
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.336-336
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    • 2011
  • AMOLED에 대한 관심이 높아짐에 따라 LTPS (Low Temperature Poly Silicon) TFT에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 다결정 실리콘은 단결정 실리콘에 비해 100 cm2/V 이상의 이동도를 보이는 우수한 특성으로 인해 AMOLED 디스플레이에 적합하며 여러 기업에서 LTPS 공정을 이용한 TFT제작을 연구 중이다. LTPS 공정은 현재 ELA (Excimer Laser Annealing) 방식으로 대면적 유리기판에 ELA 방법을 적용함에 있어 설비투자 비용이 지나치게 높아진다는 단점을 가지고 있다. 설비투자 비용의 문제점을 해결하기 위해 Diode Laser을 이용하여 Annealing하는 방법에 대해 연구하였다. 본 연구는 Diode Laser Annealing 방식을 이용하여 poly-Si을 구현하였다. 단결정 실리콘을 제작하기 위해 ICP-CVD장비를 이용하여 150$^{\circ}C$에서 SiH4, He2 혼합, He/SiH4의 flow rate는 20/2[sccm], RF power는 400 W에서 700 W으로 가변, 증착 압력은 25mTorr으로 하였다. 940 nm 파장의 30 W Diode Laser를 8 mm Spot Size로 a-Si에 순간 조사하여 결정화, 그 결과 grain을 형성한 polycrystalline 구조를 확인하였다.

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Effect of Annealing Temperature on Magnetic Properties of Dust Cores

  • Mitani, Hiroyuki;Akagi, Nobuaki;Houjou, Hirofumi;Kanamaru, Moriyoshi
    • Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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    • 2006.09b
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    • pp.1177-1178
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    • 2006
  • Magnetic Properties of dust cores made of mixtures of atomized pure iron powder and pure alumina powder has been investigated in the temperature range from 673 to 1073K. The effect of annealing on coercivity has been positive effect up to 973K and thus coercivity is gradually reduced form 280A/m (as-compressed) to 160A/m (973K). However, dust cores annealed at 1073K displayed a 15% increasing of coercivity by annealing at 973K. Hysteresis loss shows a tendency similar to coercivity. Microstructure observation of specimens shows grain refinement by recrystallization in the temperature range from 773 to 1073K.

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