Multi-level thin films are very important in ULSI applications because of their high electromigration resistance. This study presents the effects of titanium, titanium nitride and titanium tungsten underlayers of the stability of multi-aluminum thin films during isothermal annealing. High purity Al(99.999%) films have been electron-beam evaporated on Ti, TiN, TiW films formed on SiO2/Si (P-type(100))-wafer substrates by RF-sputtering in Ar gas ambient. The hillock growth was increased with annealing temperatures. Growth of hillocks was observed during isothermal annealing of the thin films by scanning electron microscopy. The hillock growth was believed to appear due to the recrystallization process driven by stress relaxation during isothermal annealing. Thermomigration damage was also presented in thin films by grain boundary grooving processes. It is shown that underlayers of Al/TiN/SiO2, Al/TiW/SiO2 thin films are preferrable to Al/SiO2 thin film metallization.
ZnO thin films on (001) sapphire substrates have been deposited by pulsed laser deposition(PLD) technique using an Nd:YAG laser with a wavelength of 266nm. Before post-annealing treatment in the oxygen ambient, the experiment of the deposition of ZnO thin films has been performed for substrate temperatures in the range of $300\~450^{\circ}C$ and oxygen gas flow rate of $100\~700\;sccm$. In order to investigate the effect of post-annealing treatment of ZnO thin films, films have been annealed at various temperatures after deposition. After post-annealing treatment in the oxygen ambient, the structural properties of ZnO thin films were characterized by X-ray diffraction(XRD), scanning electron microscopy(SEM) and the optical properties of the ZnO were characterized by photoluminescence(PL).
Transparent conductive ZnO/Ag/ZnO (ZAZ) multilayer films were deposited by Radio frequency (RF) magnetron sputtering and direct current (DC) magnetron sputtering. The effects of post deposition vacuum annealing temperature on the structural, electrical and optical properties of the ZAZ multilayer films were investigated. The thickness of ZAZ films is kept constant at ZnO 50 nm/Ag 5nm/ZnO 45 nm, while the vacuum annealing temperatures were varied from 200 and $400^{\circ}C$, respectively. As-deposited ZAZ films exhibit a sheet resistance of $6.1{\Omega}/{\Box}$ and optical transmittance of 72.7%. By increasing annealing temperature to $200^{\circ}C$, the resistivity decreased to as low as $5.3{\Omega}/{\Box}$ and optical transmittance also increased to as high as 82.1%. Post-deposition annealing of ZAZ multilayer films lead to considerably lower electrical resistivity and higher optical transparency, simultaneously by increased crystallization of the films.
To reduce the heat released during intermetallic reaction, Ni-50at%Al powder compact has been previously annealed at several conditions before the reaction. The effects of the pre-annealing conditions on the reaction synthesis process have been investigated. Experimental results show that the heat released during the reaction synthesis decreased proportionally with increase of the pre-annealing temperature and duration time. The reaction duration period was significantly increased when the intermetallics were formed in the powder compact during the pre-annealing. This was attributed to the fact that the reaction occurred by solid-state diffusion between the un-reacted elemental atoms and that the $NiAl_3$ phase formed predominantly during pre-annealing.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.I
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pp.705-709
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2005
In order to clarify the heat annealing process for Magnesium Oxide (MgO), cathodoluminescent (CL) analysis was performed. Our results in the present work prove that the heat annealing has effects on not only removing water from the surface of MgO, but also increasing density of O and Mg defect pairs. It is the first work that the influence of annealing process on physical properties of the vacuum evaporated MgO thin films by using CL spectra.
We electroplated copper-cobalt thin films on a silicon substrate, which had 150 nm thick copper seed layer. The adhesion between the two metallic layers could be increased by utilizing a proper organic additive, pulse plating technique, and high temperature annealing. The thin films exhibited columnar growth of the deposits and enhanced adhesion. This is attributed to the grain growth mechanism introduced by the additive and annealing.
Cellulose(cell)/dimethylacetamide(DMAc)/lithium chloride(LiCl) solutions were prepared and spun to fibers in coagulants. Then, obtained fibers were annealed in appropriate chemicals. The fibers from cell/DMAc/LiCl showed cell III morophology prior to annealing without differenciating the kind of coagulants. Morphology of crystallite, however, was affected by annealing. Annealed fibers at 17$0^{\circ}C$ showed cell IV morphology and had better mechanical properties than others.
This study aimed to develop the heat treating equipment which could produce austenitic stainless steel welded pipes & tubes maintaining its peculiar brightness even after heat treatment. The results of this study are as follows:- Development of 8.5kHz, 150kw bright annealing system was achieved. - Bright annealing of austenitic stainless steel welded pipes & tubes was performed by the developed pilot-system through this study and heat-treatment effects were quite successful in viewpoint of surface brightness, hardness distribution, microstructure, removal of residual stress, strength and corrosion resistance.
본 논문에서는 ZnO를 사용한 다층 박막 SMR 소자의 공진 특성을 개선하기 위해서 실리콘 기판 상부에 형성된 W/SiO$_2$의 Bragg reflector를 thermal annealing한다. SMR 소자의 공진 특성은 Bragg reflector에 적응된 annealing 조건에 의존함을 관찰할 수 있었다. annealing을 하지 않은 Bragg reflector를 갖는 SMR 소자와 비교했을 경우, 40$0^{\circ}C$/30min의 조건으로 annealing된 Bragg reflector를 갖는 SMR 소자가 가장 훌륭한 공진특성을 나타내었다. 새롭게 제안된 annealing 공정은 W/SiO$_2$ 다층 박막 Bragg reflector를 갖는 SMR 소자의 공진 특성을 효과적으로 개선시키는데 있어 매우 유용할 것으로 보인다.
The effects of eight types of spheroidizing annealing conditions including annealing temperature, annealing time, cooling rate, and gas atmosphere in the annealing furnace on the microstructure were determined in SM45C steel which has been widely used for automotive parts. The well-developed spheroidized structure and minimum hardness were obtained when the steel was heat-treated 6 hours at $740^{\circ}C$, cooled to $710^{\circ}C$ at a cooling rate of $24^{\circ}C/h$, and then kept for 7 hours at the $710^{\circ}C$ followed by air cooling. In order to increase the productivity and to save the manufacturing cost, it is desirable to apply a faster cooling rate in the spheroidizing annealing. It was found that air cooling was the fastest cooling rate applicable to the SM45C steel. The steel heat treated in air showed the decarburized layer of about $110{\mu}m$ in thickness at the surface of the specimen, resulting in serious problems in the quality of the quenched product.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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