• 제목/요약/키워드: alkali developable

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에폭시 아크릴레이트 올리고머와 전도성 카본블랙을 이용한 감광성 저항 페이스트 조성 연구 (Study on the Compositions of Photosensitive Resistor Paste Using Epoxy Acrylate Oligomers and Conductive Carbonblack)

  • 박성대;강남기;임진규;김동국
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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    • pp.421-421
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    • 2008
  • Generally, the polymer thick-film resistors for embedded organic or hybrid substrate are patterned by screen printing so that the accuracy of resistor pattern is not good and the tolerance of resistance is too high(${\pm}$20~30%). To reform these demerits, a method using Fodel$^{(R)}$ technology, which is the patterning method using a photosensitive resin to be developable by aqueous alkali-solution as a base polymer for thick-film pastes, was recently incorporated for the patterning of thermosetting thick-film resistor paste. Alkali-solution developable photosensitive resin system has a merit that the precise patterns can be obtained by UV exposure and aqueous development, so the essential point is to get the composition similar to PSR(photo solder resist) used for PCB process. In present research, we made the photopatternable resistor pastes using 8 kinds of epoxy acrylates and a conductive carbonblack (CDX-7055 Ultra), evaluated their developing performance, and then measured the resistance after final curing. To become developable by alkali-solution, epoxy acrylate oligomers with carboxyl group were prepared. Test coupons were fabricated by patterning copper foil on FR-4 CCL board, plating Ni/Au on the patterned copper electrode, applying the resistor paste on the board, exposing the applied paste to UV through Cr mask with resistor patterns, developing the exposed paste with aqueous alkali-solution (1wt% $Na_2CO_3$), drying the patterned paste at $80^{\circ}C$ oven, and then curing it at $200^{\circ}C$ during 1 hour. As a result, some test compositions couldn't be developed according to the kind of oligomer and, in the developed compositions, the measured resistance showed different results depending on the paste compositions though they had the same amount of carbonblack.

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Positive Type Photoresist for Patterning of Interdielectric Layer of TFT Array

  • Lee, Hyo-Jung;Kim, Hyo-Jin;Kim, Soon-Hak;Park, Lee-Soon;Lee, Yun-Su;Song, Gab-Deuk
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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    • pp.564-566
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    • 2007
  • Synthesis of two photoactive compounds containing core imide moiety was carried out for an application to interdielectric layer in TFTLCD array. An aqueous alkaline developable polymer matrix was synthesized by free radical copolymerization. A positive photoresist formulation was developed utilizing synthesized UV monomers, photoactive compound, binder polymer, sulfactant and alkali developable polymer matrix. It was found that via-holes with good resolution, high transmittance and thermal resistance could be obtained by photolithographic process utilizing the new positive interdielectric material with high thermal stability.

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Synthesis of Imide Monomers for Application to Organic Photosensitive Interdielectric Layer

  • Kwon, Hyeok-Yong;Vu, Quang Hung;Lee, Yun-Soo;Park, Lee-Soon
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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    • pp.816-819
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    • 2008
  • A negative photoresist formulation was developed utilizing synthesized UV monomers containing imide linkage, photoinitiator, UV oligomer, and alkali developable polymer matrix. It was found that via-holes with good resolution, high transmittance and thermal resistance could be obtained by photolithographic process utilizing the negative-type photoresist formulations.

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지방족고리 구조를 함유하는 감광성 폴리이미드 수지의 합성 및 특성 평가 (Synthesis and Characterization of Photosensitive Polyimides Containing Alicyclic Structure)

  • 심종천;최성묵;심현보;권수한;이미혜
    • 폴리머
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    • 제28권6호
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    • pp.494-501
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    • 2004
  • 시클로부탄-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 2-(메타크릴로일옥시)에틸-3,5-디아미노벤조에이트 및 1,3-비스(3-아미노프로필)-1,1,3,3-테트라메틸디실록산을 N-메틸-2-피롤리돈 하에서 용액 중합 반응시켜 알칼리 수용액에서 현상이 가능할 뿐만 아니라 가시광선 영역에서 우수한 광투과성을 보이는 신규 감광성 폴리이미드 전구체인 폴리암산 (PAA-0)을 제조하였다. 광개시제의 존재 하에서 노광 후 열경화된 폴리이미드 박막은 2.38 wt%의 테트라메틸암모니움 히드록사이드 수용액에 용해되지 않는 특성을 보였으며, 이를 이용하여 광에 의한 미세 화상 형성 연구를 수행하였다. 폴리이미드 전구체 박막의 광반응에 적합한 광개시제는 2, 2-디메톡시-2-페닐아세토페논임을 알 수 있었고, 최적 광량은 400∼600 mJ/$\textrm{cm}^2$의 범위에 있음이 확인되었다. 감광성 폴리이미드 전구체는 25$0^{\circ}C$의 온도에서 50분간 열경화시킴으로써 투명한 폴리이미드 박막으로 전환이 되었으며, 유기용제를 비롯한 포토레지스트 제거제에 대한 우수한 내용제성 및 가시광선영역에서의 우수한 광투과 특성을 나타내었다.

Synthesis and characterization of negative-type photosensitive polyimides for TFT-LCD array

  • Kim, Hyo-Jin;Kim, Hyun-Suk;Kim, Soon-Hak;Park, Lee-Soon;Hur, Young-Hune;Lee, Yoon-Soo;Song, Gab-Deuk;Kwon, Young-Hwan
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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    • pp.1625-1628
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    • 2006
  • Two different negative-type photosensitive polyimides were synthesized and characterized for an application as an interdielectric layer in TFTLCD array. In the case of photocurable polyimides, the photosensitive moiety, 2-HHSP, was synthesized through 3 step reaction, and then was incorporated into side chains of polyimide precursor by post reaction. Optimum compositions of negative-type photocurable polyimde were also formulated. For photopolymerizable polyimides, two novel UV monomers containing imide linkages were prepared. An aqueous alkaline developable polymer matrix was synthesized by free radical copolymerization. A negative photoresist formulation was developed utilizing synthesized UV monomers containing imide linkage, photoinitiator, UV oligomer, and alkali developable polymer matrix. It was found that viaholes with good resolution, high transmittance and thermal resistance could be obtained by photolithographic process utilizing the negative-type photoresist formulations.

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Aqueous alkali-developable Photosensitive Barrier Rib Paste for PDP and Photolithographic Process

  • Park, Lee-Soon;Jeong, Seung-Won;Kim, Soon-Hak;Tae, Heung-Sik
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2000년도 제1회 학술대회 논문집
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    • pp.177-179
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    • 2000
  • Barrier rib for the plasma display panel (PDP) was made by photolithographic process utilizing photosensitive barrier rib paste. The barrier rib paste was prepared by first dissolving poly(MMA-co-MAA) binder polymer in butyl carbitol(BC) solvent at 15 wt% concentration. To this solution were added a mixture of functional monomers , Irgacure 651 photoinitiator, and barrier rib power and then the whole mixture was dispersed in the three roll mill for 2 hour. The effect of component and concentration of photosensitive barrier rib paste was studied. After optimization of the paste formulation and photolithographic process, barrier rib could be obtained with good resolution up to 110-120 ${\mu}m$ height and 80-90 ${\mu}m$ width.

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감광성 폴리머 저항 페이스트 제조와 미세패턴 후막저항의 형성 (Fabrication of Photosensitive Polymer Resistor Paste and Formation of Finely-Patterned Thick Film Resistors)

  • 김동국;박성대;유명재;심성훈;경진범
    • 공업화학
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    • 제20권6호
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    • pp.622-627
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    • 2009
  • 알칼리 수용액에 현상이 가능한 감광성 수지재료와 전도성 카본블랙 필러를 이용하여 포토 패터닝이 가능한 폴리머 후막 저항 페이스트를 제조하고 평가하였다. 감광성 수지로는 인쇄회로기판의 보호층으로 주로 사용되는 photo solder resist(PSR)를 사용하여 자외선에 의한 노광 및 알칼리 수용액에의 현상이 가능하게 하였다. 감광성 폴리머 저항 페이스트를 제작한 후, PCB 테스트 보드를 이용하여 후막저항체의 전기적 특성을 평가하였다. 카본블랙의 첨가량에 따라 시트저항은 감소하였으나, 과량 첨가시에는 현상성에 한계를 나타내었다. 재경화에 따라서 시트저항이 감소하였으며, 카본블랙의 첨가량이 많을수록 그 변화율은 작게 나타났다. 포토공정을 적용하여, 미세 패터닝된 meander형 후막저항체를 제조할 수 있었고, 이 방법을 통하여 적은 면적에도 시트저항의 수십 배에 달하는 큰 저항값을 구현할 수 있었다.

신규 양성형 감광성 폴리암산의 합성 및 특성 연구 (Synthesis and Characterization of New Positive Type Photosensitive Poly(amic acid)s)

  • 심현보;유영임;이미혜
    • 폴리머
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    • 제30권2호
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    • pp.162-167
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    • 2006
  • 1,2,3,4-시클로부탄 테트라카복시산 이무수물과 4,4'-디아미노디페닐에테르(DDE)를 용액 중합 반응하여 폴리암산(PAA) 용액을 제조한 후, 1,2-에폭시-3-페녹시프로판과 반응시켜 폴리암산에스테르(PAE)를 합성하였다. 여기에 용해억제재로서 30 wt%의 디아조나프토퀴논 유도체(DI)를 첨가하였다. $365{\sim}400nm$의 파장에서 $200mJ/cm^2$의 자외광을 조사한 후, 0.95 wt%의 테트라메틸암모니움히드록사이드 수용액으로 현상한 결과 $25{\mu}m$ 해상도의 양성형 미세 화상을 얻었다. 비노광부에 잔존하는 폴리이미드 박막은 400nm에서 92% 이상의 우수한 광투과도를 나타내었다.

감광성 폴리머 저항 페이스트를 이용한 Low Tolerance 후막 저항체 (Thick Film Resistors with Low Tolerance Using Photosensitive Polymer Resistor Paste)

  • 김동국;박성대;이규복;경진범
    • 공업화학
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    • 제21권4호
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    • pp.411-416
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    • 2010
  • 본 연구에서는 알칼리 현상형 감광성 수지재료와 전도성 카본블랙을 이용하여 만들어진 감광성 폴리머 저항 페이스트를 이용하여 후막저항체의 허용편차(tolerance)를 개선하고자 하였다. 먼저 카본블랙과 감광성 수지의 선택이 폴리머 후막저항(polymer thick film resistor, PTFR)의 저항값의 범위와 허용편차의 수준에 미치는 영향을 조사하였다. 이후 테스트 기판상에 감광성 저항 페이스트를 도포하는 방법에 따른 저항값 허용편차의 차이를 평가하였다. 감광성 저항 페이스트를 스크린 인쇄를 이용하여 테스트 기판의 전면에 도포한 경우에는 테스트 기판상에서 균일한 두께의 후막을 형성하기 어렵기 때문에 위치에 따른 저항값의 허용편차가 크게 나타났다. 반면, 롤러를 이용하여 페이스트를 도포하였을 때, 전체 기판 면적에 균일한 두께의 저항체 후막을 형성할 수 있었으며, 저항값 평가 결과 ${\pm}10%$ 이내의 낮은 허용편차를 나타내었다. 포토공정을 이용한 정밀한 패터닝 공정과 롤러를 이용한 균일한 두께의 저항막 도포 공정을 결합함으로써 후막저항의 허용편차를 개선할 수 있었다.