James Bate;Nora Elisa Chisari;Sandrine Codis;Garreth Martin;Yohan Dubois;Julien Devriendt;Christophe Pichon;Adrianne Slyz
Monthly Notices of the Royal Astronomical Society
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v.491
no.3
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pp.4057-4068
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2020
Elliptical galaxies today appear aligned with the large-scale structure of the Universe, but it is still an open question when they acquire this alignment. Observational data are currently insufficient to provide constraints on the time evolution of intrinsic alignments, and hence existing models range from assuming that galaxies gain some primordial alignment at formation, to suggesting that they react instantaneously to tidal interactions with the large-scale structure. Using the cosmological hydrodynamical simulation Horizon-AGN, we measure the relative alignments between the major axes of galaxies and eigenvectors of the tidal field as a function of redshift. We focus on constraining the time evolution of the alignment of the main progenitors of massive z = 0 elliptical galaxies, the main weak-lensing contaminant at low redshift. We show that this population, which at z = 0 has a stellar mass above 1010.4 M⊙, transitions from having no alignment with the tidal field at z = 3, to a significant alignment by z = 1. From z = 0.5, they preserve their alignment at an approximately constant level until z = 0. We find a mass dependence of the alignment signal of elliptical progenitors, whereby ellipticals that are less massive today (1010.4 < M/M⊙ < 1010.7) do not become aligned till later redshifts (z < 2), compared to more massive counterparts. We also present an extended study of progenitor alignments in the parameter space of stellar mass and galaxy dynamics, the impact of shape definition, and tidal field smoothing.
This study was intended to define the spatial concept of the boundary structure of the architectural space as well as evaluate the Hyangdan which well represents the features of Korean traditional building in such a way of reviewing the building structure of Korean traditional residential space. The boundary is categorized into visible boundary and invisible boundary which was also functionally classified into the features of isolating, passing, mediating and overlapping. The major elements comprising the boundary structure was analyzed by the characteristic of the pattern so as to define them as the concept of surrounding, duality, hierarchism, continuity and overlapping. Based on such concepts, a boundary structural characteristics of Hyangdan were reevaluated and outlined as follows. The surrounding feature was seen through the outer side of the structure surrounded, two courtyards and eaves, and a duality showing both the closure of main house and openness of detached house was seen through the characteristics of surrounding structure. And the continuous activities toward the inner room and the empty space to link them in a systematic way and repeatedly aligned rooms reveal the overlapping as continuous and transitional space. And finally, an elevated stylobate demonstrates the hierarchical features of the structure.
Kim, Min-Sung;Yoo, Ho-Suk;Oh, Sung-Tag;Hyun, Chang-Yong
Korean Journal of Materials Research
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v.23
no.12
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pp.722-726
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2013
Freeze drying of a porous Cu-Sn alloy with unidirectionally aligned pore channels was accomplished by using a composite powder of CuO-$SnO_2$ and camphene. Camphene slurries with CuO-$SnO_2$ content of 3, 5 and 10 vol% were prepared by mixing with a small amount of dispersant at $50^{\circ}C$. Freezing of a slurry was done at $-25^{\circ}C$ while the growth direction of the camphene was unidirectionally controlled. Pores were generated subsequently by sublimation of the camphene during drying in air for 48 h. The green bodies were hydrogen-reduced at $650^{\circ}C$ and then were sintered at $650^{\circ}C$ and $750^{\circ}C$ for 1 h. XRD analysis revealed that the CuO-$SnO_2$ powder was completely converted to Cu-Sn alloy without any reaction phases. The sintered samples showed large pores with an average size of above $100{\mu}m$ which were aligned parallel to the camphene growth direction. Also, the internal walls of the large pores had relatively small pores. The size of the large pores decreased with increasing CuO-$SnO_2$ content due to the change of the degree of powder rearrangement in the slurry. The size of the small pores decreased with increase of the sintering temperature from $650^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$, while that of the large pores was unchanged. These results suggest that a porous alloy body with aligned large pores can be fabricated by a freeze-drying and hydrogen reduction process using oxide powders.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.354-354
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2012
In this study, we report the vertically aligned ZnO nanowires by using different type of Ga-doped ZnO (GZO) thin films as seed layers to investigate how the underlying GZO film micro structure affects the distribution of ZnO nanowires. Arrays of highly ordered ZnO nanowires have been synthesized on GZO thin film seed layer prepared on p-Si substrates ($7-13{\Omega}cm$) with utilize of a pulsed laser deposition (PLD). With the vapor-liquid-solid (VLS) growth process, the ZnO nanowire synthesis carries out no metal catalyst and is cost-effective; furthermore, The GZO seed layer facilitates the uniform growth of well-aligned ZnO nanowires. The influence of the growth temperature and various thickness of GZO seed layer have been analyzed. Crystallinity of grown seed layer was studied by X-Ray diffraction (XRD); diameter and morphology of ZnO nanowires on seed layer were investigated by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM). Our results suggest that the GZO seed layer with high c-axis orientation, good crystallinity, and less lattice mismatch is key parameters to optimize the growth of well-aligned ZnO nanowire arrays.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.436-437
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2012
Double patterning technology (DPT) has been suggested as a promising candidates of the next generation lithography technology in FLASH and DRAM manufacturing in sub-40nm technology node. DPT enables to overcome the physical limitation of optical lithography, and it is expected to be continued as long as e-beam lithography takes place in manufacturing. Several different processes for DPT are currently available in practice, and they are litho-litho-etch (LLE), litho-etch-litho-etch (LELE), litho-freeze-litho-etch (LFLE), and self-aligned double patterning (SADP) [1]. The self-aligned approach is regarded as more suitable for mass production, but it requires precise control of sidewall space etch profile for the exact definition of hard mask layer. In this paper, we propose etch end point detection (EPD) in spacer etching to precisely control sidewall profile in SADP. Conventional etch EPD notify the end point after or on-set of a layer being etched is removed, but the EPD in spacer etch should land-off exactly after surface removal while the spacer is still remained. Precise control of real-time in-situ EPD may help to control the size of spacer to realize desired pattern geometry. To demonstrate the capability of spacer-etch EPD, we fabricated metal line structure on silicon dioxide layer and spacer deposition layer with silicon nitride. While blanket etch of the spacer layer takes place in inductively coupled plasma-reactive ion etching (ICP-RIE), in-situ monitoring of plasma chemistry is performed using optical emission spectroscopy (OES), and the acquired data is stored in a local computer. Through offline analysis of the acquired OES data with respect to etch gas and by-product chemistry, a representative EPD time traces signal is derived. We found that the SE-EPD is useful for precise control of spacer etching in DPT, and we are continuously developing real-time SE-EPD methodology employing cumulative sum (CUSUM) control chart [2].
This paper proposes a novel way of fabricating aligned porous Sn by freeze-drying of camphene slurry with stannic oxide ($SnO_2$) coated Sn powders. The $SnO_2$ coated Sn powders were prepared by surface oxidation of the initial and ball-milled Sn powders, as well as heat treatment of tin chloride coated Cu powders. Camphene slurries with 10 vol% solid powders were prepared by mixing at $50^{\circ}C$ with a small amount of oligomeric polyester dispersant. Freezing the slurry was done in a Teflon cylinder attached to a copper bottom plate cooled at $-25^{\circ}C$. Improved dispersion stability of camphene slurry and the homogeneous frozen body was achieved using the oxidized Sn powder at $670^{\circ}C$ in air after ball milling. The porous Sn specimen, prepared by freeze-drying of the camphene slurry with oxidized Sn powder from the heat-treated Sn/tin chloride mixture and sintering at $1100^{\circ}C$ for 1 h in a hydrogen atmosphere, showed large pores of about $200{\mu}m$, which were aligned parallel to the camphene growth direction, and small pores in their internal walls. However, $100{\mu}m$ spherical particles were observed in the bottom part of the specimen due to the melting of the Sn powder during sintering of the green compact.
The relaxor ferroelectric feature in lead-free perovskite oxides, where the dipoles are randomly oriented and they can be feasibly aligned parallel to the external bias, is attracting lots of attention in the field of piezoelectric materials science, since it is one of candidates to replace the toxic lead-based materials that are still being commercially used. However, the origin of relaxor characteristic and its related atomic structure are still ambiguous. In this study, $Na_{1/2}Bi_{1/2}TiO_3$, chosen as a model relaxor system, was found to exhibit a cationic-disordered atomic structure; and furthermore the nonpolar atomic structure and its related oxygen tilting were ascertained via annular bright field imaging skill. We also found that this cationic disordering gives rise to the local formation of atomic vacancies.
We developed a 3D simulation model of microstructure evolution of vertically aligned porous structure due to phase separation during film growth. The model proves its validity by reproducing the results of previous researches which are topological features of the microstructures and effects of varied processing parameters. The model will be extended by including bulk diffusion effect and elastic effect.
Aluminum nitride(AIN) thin films were deposited on SiO$_2$/Si substrates by reactive sputtering for the application of SAW devices. The major deposition parameters such as pressure, nitrogen fraction, rf power, substrate distance were changed to find out the optimal condition for c-axis oriented thin films on an amorphous substrate. The effects of deposition parameters on the crystal structure, residual stress, and growth morphology of thin films were characterized by XRD, SEM, and TEM. The FWHM of (002) rocking curve of the films deposited at the proper condition was lower than 2.2$^{\circ}$(C=0.93$^{\circ}$). Cross-sectional TEM showed that self-aligned structure was developed just after slightly random growth at the initial stage. The frequency characteristics of test device fabricated from AIN thin films confirmed their piezoelectric property and applicability for SAW devices.
Polarized Fourier transform infrared (IR) absorption is used to probe molecular conformation in a ferroelectric liquid crystal (FLC) during the reorientation induced by the external field. Spectra of planar aligned cells of FLC W314 are measured as functions of IR polarizer orientation and electric field applied to the FLC. The time evolution of the dichroism of the absorbance due to biphenyl core and alkyl tail molecular vibration modes, is observed. Static IR dichroism experiments show a W314 dichroism structure in which the principal axis of dielectric tensor from molecular core vibration are tilted further from the smectic layer normal than those of the tail. This structure indicates the effective binding site in which the molecules are confined in the Sm-C phase has, on average, "zig-zag" shape and this zig-zag binding site structure is rigidly maintained while the molecular axis rotates about the layer normal during field-induced switching.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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