This research was conducted to investigate the electrochemical properties of the thin air-formed oxide film-covered AZ31 Mg alloy. Native air-formed oxide films on AZ31 Mg alloy samples were prepared by knife-abrading method and the changes in the electrochemical properties of the air-formed oxide film were investigated in seven different electrolytes containing the following anions $Cl^-$, $F^-$, $SO{_4}^{2-}$, $NO_3{^-}$, $CH_3COO^-$, $CO{_3}^{2-}$, and $PO{_4}^{3-}$. It was observed from open circuit potential (OCP) transients that the potential initially decreased before gradually increasing again in the solutions containing only $CO{_3}^{2-}$ or $PO{_4}^{3-}$ ions, indicating the dissolution or transformation of the native air-formed oxide film into new more protective surface films. The Nyquist plots obtained from electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that there was growth of new surface films with immersion time on the air-formed oxide film-covered specimens in all the electrolyte. The least resistive surface films were formed in fluoride and sulphate baths whereas the most protective film was formed in phosphate bath. The potentiodynamic polarization curves illustrated that passive behaviour of AZ31 Mg alloy under anodic polarization appears only in $CO{_3}^{2-}$, or $PO{_4}^{3-}$ ions containing solutions and at more than $-0.4V_{Ag/AgCl}$ in $F^-$ ion containing solution.
This research was conducted to investigate the electrochemical properties of the thin air-formed oxide film-covered AZ31 Mg alloy. In this work, native air-formed oxide films on AZ31 Mg alloy samples were prepared by knife-abrading method and the changes in the electrochemical properties of the air-formed oxide film were investigated in seven different electrolytes containing the following anions $Cl^-$, $F^-$, $SO{_4}^{2-}$, $NO_3{^-}$, $CH_3COO^-$, $CO{_3}^{2-}$ and $PO{_4}^{3-}$. It was observed from open circuit potential (OCP) transients that the potential initially decreased before gradually increasing again in the solutions containing only $CO{_3}^{2-}$ or $PO{_4}^{3-}$ ions, indicating the dissolution or transformation of the native air-formed oxide film into new more protective surface films. The Nyquist plots obtained from electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that there was growth of new surface films with immersion time on the air-formed oxide film-covered specimens in all the electrolytes; the least resistive surface films were formed in fluoride and sulphate baths whereas the most protective film was formed in phosphate bath. The potentiodynamic polarization curves illustrated that passive behaviour of AZ31 Mg alloy under anodic polarization appears only in $CO{_3}^{2-}$ or $PO{_4}^{3-}$ ions containing solutions and at more than $-0.4V_{Ag/AgCl}$ in $F^-$ ion containing solution.
Electronic properties of passive films formed on Ti at film formation potentials $(E_f)V_{SCE}$ in pH 8.5 buffer solution and in an artificial seawater were examined through the photocurrent measurement and Mott-Schottky analysis. The passive films formed on Ti in pH 8.5 buffer solution exhibited a n-type semiconductor with a band gap energys $(E_g);E_g^{n=2}=3.4$ eV for nondirect electron transition, and $E_g^{n=0.5}=3.7$ eV for direct electron transition. These band gap values were almost same as those for the passive films formed in artificial seawater, indicating that chloride ion ($Cl^-$ in solution did not affect the electronic structure of the passive film on Ti. $E_g$ for passive films formed on Ti were found to be greater than those ($E_g^{n=0.5}=3.1$ eV, $E_g^{n=2}=3.4$) for a thermal oxide film formed on Ti in air at $400^{\circ}C$. The disorder energy of passive film, determined from the absorption tail of photocurrent spectrum, was much greater than that for the thermal oxide film farmed on Ti in air at $400^{\circ}C$. The greater $E_g$ and the higher disorder energy for the passive film compared with those for the thermal oxide fIlm suggest that the passive film on Ti exhibited more disorded structure than the thermal oxide film. The donor density (about $2.4{\times}10^{20}cm^{-3}$) for the passive film formed in artificial seawater was greater than that (about $20{\times}10^{20}cm^{-3}$) formed in pH 8.5 buffer solution, indicating that $Cl^-$ increased the donor density for the passive film on Ti.
This research was conducted to investigate in detail the effect of $PO_4{^{3-}}$, $CO_3{^{2-}}$ and $F^-$ anions on the electrochemical properties of the thin air-formed oxide film-covered AZ31 Mg alloy. In this work, native air-formed oxide films on AZ31 Mg alloy samples were prepared by knife-abrading method and the changes in the electrochemical properties of the air-formed oxide film were investigated in electrolytes containing 0.01 M, 0.05 M and 0.1 M of $PO_4{^{3-}}$, $CO_3{^{2-}}$ and $F^-$ anions. It was observed that the trend of open circuit potential (OCP) transients changed only in the solution containing $PO_4{^{3-}}$ ions. The Nyquist plots obtained from electrochemical impedance spectroscopy (EIS) showed that the resistance of the new surface films formed in fluoride ion containing bath increased with the increase in concentration of fluoride ions but the resistance of surface films formed in carbonate ion containing bath decreased with the increase in concentration of carbonate ions. The potentiodynamic polarization curves illustrated that under anodic polarization, there was growth of porous passive layer only in fluoride ion containing solution while the surface layer formed in phosphate and carbonate ion containing solutions lost its passivity at high anodic potential of $2.5V_{Ag/AgCl}$.
The chemical composition and the semiconducting properties of the passive films formed on Alloy 690 in various film formation conditions were investigated by XPS, photocurrent measurement, and Mott-Schottky analysis. The XPS and photocurrent spectra showed that the passive films formed on Alloy 690 in pH 8.5 buffer solution at ambient temperature, in air at $400^{\circ}C$, and in PWR condition comprise $Cr_2O_3$, $Cr(OH)_3$, ${\gamma}-Fe_2O_3$, NiO, and $Ni(OH)_2$. The thermally grown oxide in air and the passive film formed at high potential (0.3 $V_{SCE}$) in pH 8.5 buffer solution were highly Cr-enriched, whereas the films formed in PWR condition and that formed at low potential (-0.3 $V_{SCE}$) in pH 8.5 buffer solution showed relatively high Ni content and low Cr content. The Mott-Schottky plots exhibited n-type semiconductivity, inferring that the semiconducting properties of the passive films formed on Alloy 690 in various film formation conditions are dominated by Cr-substituted ${\gamma}-Fe_2O_3$. The donor density, i.e., concentration of oxygen vacancy, was measured to be $1.2{\times}10^{21}{\sim}4.6{\times}10^{21}cm^{-3}$ and lowered with increase in the Cr content in the passive film.
Oxidation behavior of STS 304 and 430, produced by POSCO, Korea, was studied in order to study the surface defects formed during manufacturing processes. Oxidation experiments were carried out in a preheat-ed furnace at 850~$1, 250^{\circ}C$ in air and in a simulated coke oven gas(COG) atmosphere. The reaction products were examined by XRD, SEM and EDX on their surfaces and cross sections. Protective $Cr_2O_3$-primary oxide film was formed initially, but at critical point this film was broken and a duplex scale consisting of $Fe_2O_3$- and Fe$Cr_2O_4$- was formed. It was more severely attacked in a simulated COG atmosphere than in air, and STS 304 was superior to STS 430 in oxidation resistance.
The fatigue crack propagation behaviors of Z3CN20.09M duplex stainless steel (DSS) were investigated by studying oxide films of specimens tested in $290^{\circ}C$ water and air. The results indicate that a full oxide film that consisted of oxides and hydroxides was formed in $290^{\circ}C$ water. By contrast, only a half-baked oxide film consisting of oxides was formed in $290^{\circ}C$ air. Both environments are able to deteriorate the elastic modulus and hardness of the oxide films, especially the $290^{\circ}C$ water. The fatigue lives of the specimens tested in $290^{\circ}C$ air were about twice of those tested in $290^{\circ}C$ water at all strain amplitudes. Moreover, the crack propagation rates of the specimen tested in $290^{\circ}C$ water were confirmed to be faster than those tested in $290^{\circ}C$ air, which was thought to be due to the deteriorative strength of the oxide films induced by the mutual promotion of oxidation and crack propagation at the crack tip. It is noteworthy that the crack propagation can be postponed by the ferrite phase in the DSS, especially when the specimens were tested in $290^{\circ}C$ water.
Oxidation behavior of 304 and 316 stainless steels was studied. After solution heat treatment, specimens were polished up to 1$mu \textrm{m}$ using $Al_2O_3$ powder and then subjected to oxidation between $300^{\circ}C$ and 50$0^{\circ}C$ in dry air. TEM and EDS were used for analyzing the components and structure of oxide film. TEM analysis of oxide film revealed that thin amorphous Fe oxide ($Fe_2O_3$) was formed on the top of surface while polycrystalline (Cr, $Fe_2O_3$ was formed below the amorphous Fe oxide layer. The specimens oxidized at $500^{\circ}C$ showed that 316 stainless steel had higher oxidation resistance than 304 stainless steel. These results suggest that Mo component of 316 stainless steel suppresses the formation of Cr carbide which may result in a local Cr depleted area.
A blade-abrading method was newly developed for the preparation of clean Mg alloy surface and reported for the first time in detail in this paper. The blade-abrading method includes abrading of the Mg alloy surface with a sharp blade or knife to remove the surface oxide and contaminants on the skin of Mg alloys mechanically, thereby providing very clean surface of Mg alloys. The clean surface prepared by the blade-abrading method in the air was found to be covered with thin and dense air-formed oxide films. Based on the experimental results obtained in this work, it is concluded that the newly developed blade-abrading technique is a very simple and useful pretreatment method which can provide clean and well-defined surface for the following surface treatments.
The formation of inorganic thin films in low-temperature solution processes is necessary for a wide range of commercial applications of organic electronic devices. Aluminum oxide thin films can be utilized as barrier films that prevent the deterioration of an electronic device due to moisture and oxygen in the air. In addition, they can be used as the gate insulating layers of a thin film transistor. In this study, aluminum oxide thin film were formed using two methods simultaneously, a thermal process and the DUV process, and the properties of the thin films were compared. The result of converting aluminum nitrate hydrate to aluminum oxide through a hybrid process using a thermal treatment and DUV was confirmed by XPS measurements. A film-based a-IGZO TFT was fabricated using the formed inorganic thin film as a gate insulating film to confirm its properties.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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