According to the rapid development of the electric industry, the demand of the frequency allocation and the usage of electromagnetic wave are increased due to automation of modem society. Electromagnetic wave absorbers for anechoic chamber are needed to broaden the effective frequency bandwidth, reduce the thickness, and decrease the weight. There are various absorbers proposed for the above conditions, but they could not decisively solve the above requirements. The Electromagnetic wave absorber made by a conventional ferrite tile has, for example, broadened the effective frequency bandwidth by the way of forming air layer(practically in urethane foam, etc.) on the ferrite tile. Therefore, an air layer is formed between a reflection plate and a sintered Ni-Zn ferrite tile of 7 mm in thickness, which has reflectivity less than -20 dB from 30 MHz to 400 MHz in bandwidth. In this paper, a broadband electromagnetic wave absorber are designed, which has the reflection characteristics less than -20 dB from 30 MHz to 8,000 MHz in the bandwidth. A super broadband electromagnetic wave absorber is achieved by inserting square Ferrite Cylinders Type with the thickness less than 23.5 mm and with the frequency band from 30 MHz to 8,000 MHz under the above tolerance limits. The purpose of this research is on the development of a universal anechoic chamber for measuring radiated electromagnetic wave or immunity of electronic equipments, GTEM-cell and also a wall material for preventing TV ghost, etc.
A non-vacuum process for fabrication of $CuIn_xGa_{1-x}Se_2$ (CIGS) absorber layer from the corresponing Cu, In, Ga solution precursors was described. Cu, In, Ga precursor solution was prepared by a room temperature colloidal route by reacting the starting materials $Cu(NO_3)_2$, $InCl_3$, $Ga(NO_3)$ and methanol. The Cu, In, Ga precursor solution was mixed with ethylcellulose as organic binder material for the rheology of the mixture to be adjusted for the doctor blade method. After depositing the mixture of Cu, In, Ga solution with binder on Mo/glass substrate, the samples were preheated on the hot plate in air to evaporate remaining solvents and to burn the organic binder material. Subsequently, the resultant CIG/Mo/glass sample was selenized in Se evaporation in order to get a solar cell applicable dense CIGS absorber layer. The CIGS absorber layer selenized at $530^{\circ}C$ substrate temperature for 1h with various metal organic ratio.
This paper describes the novel fabrication method of the high-aspect-ratio nano structure which is impossible by conventional method using a shadow mask and a Deep X-ray Lithography (DXRL). The shadow mask with $1{\mu}m-sized$ apertures is fabricated on the silicon membrane using a conventional UV-lithography. The size of aperture is reduced to 200nm by accumulated low stress silicon nitride using a LPCVD (low pressure chemical vapor deposition) process. The X-ray mask is fabricated by depositing absorber layer (Au, $3{\mu}m$) on the back side of nano shadow mask. The thickness of an absorber layer must deposit dozens micrometers to obtain contrast more than 100 for a conventional DXRL process. The thickness of $3{\mu}m-absorber$ layer can get sufficient contrast using a central beam stop method, blocking high energy X-rays. The nano circle and nano line, 200nm in diameter in width, respectively, were demonstrated 700nm in height with a negative photoresist of SU-8.
Selenium (Se)-rich binary Cu-Se and In-Se nanoparticles (NPs) were synthesized by a modified heat-up method at low temperature ($110^{\circ}C$) using the gum exudates from a cherry blossom tree. Coating of CISe absorber layer was carried out using Se-rich binary Cu-Se and In-Se NPs ink without the use of any external binder. Our results indicated that the gum used in the synthesis played beneficial roles such as reducing and capping agent. In addition, the gum also served as a natural binder in the coating of CISe absorber layer. The CISe absorber layer was integrated into the solar cell, which showed a power conversion efficiency (PCE) of 0.37%. The possible reasons for low PCE of the present solar cells and the steps needed for further improvement of PCE were discussed. Although the obtained PCE is low, the present strategy opens a new path for the fabrication of eco-friendly CISe NPs solar cell by a relatively chief non-vacuum method.
A comparative analysis of the hindered amine light stabilizers (HALS) and UV abosrber (UVA) and their respective photostabilizing effect on wood plastic composites (WPCs) are reported in this study. The influence of accelerated weathering on the mechanical properties of the composites and the microscopic morphology of a degraded layer on the cross section and the surface were studied. UV absorbers were more efficient at preventing composite lightening than was UV stabilizer. The amount of whitening decreased with the increase of photostabilizers. With the addition of a UV absorber (Tinuvin360), the tensile modulus and strength of the composites increased slightly. However, the addition of a light stabilizer (Tinuvin770) and a UV absorber decreased the tensile modulus and strength of the composites. After 250 and 500 hr exposure, tensile modulus and strength of the un stabilized and stabilized composites decreased. The tensile strength of UV absorber (Chimassorb81)-stabilized composites was significantly greater than that of control and light stabilizer (Tinuvin770)- and UV absorber (Tinuvin360)-stabilized composites. UV absorber-stabilized samples showed less whitening and photodegradation than control and light stabilizer-stabilized samples.
Solar reforming of methane with $CO_2$ was successfully tested with a direct irradiated absorber on a parabolic dish capable of $5kW_{th}$ solar power. The new type of catalytically activated metallic foam absorber was prepared, and its activity was tested. Ni was applied as the active metal on the gamma - alumina coated Ni metal foam for the preparation of the catalytically-activated metal foam layer. Compared to conventional direct irradiation of the catalytically-activated ceramic foam absorber, this new metallic foam absorber is found to exhibit a superior reaction performance at the relatively low insolation or at low temperatures. In addition, unlike direct irradiation of the catalytically-activated ceramic foam absorber, metallic foam absorber has better thermal resistance, which prevents the emergence of cracks caused by mechanical or thermal shock. The total solar power absorbed reached up to 2.1kW and the maximum $CH_4$ conversion was almost 40%.
구속 점탄성 층을 갖는 복합보를 동흡진기로 이용하는 문제를 다루었다. 이 동흡진기의 효과를 조사하기 위해 양단고정 주진동 보에 설치했을 때의 변위전달율을 구하여 기존 균일 재질보 동흡진기 효과와 비교했다. 해석결과 최적 동흡진기를 구성하는 패러매터 값이 현재 활용되는 재질 측면에서 의미있는 범위내에 존재하고 있고 둘이상의 공진 진동수에서 전달율을 동시에 줄일 수 있었다. 이점으로 기존 제시된 비해 점탄성을 복합보가 유리하게 이용될 수 있음을 확인했다.
Two-step processes for preparing $Cu(In,Ga)Se_2$ absorber layers consist of precursor layer formation and subsequent annealing in a Se-containing atmosphere. Among the various deposition methods for precursor layer, the nonvacuum (wet) processes have been spotlighted as alternatives to vacuum-based methods due to their potential to realize low-cost, scalable PV devices. However, due to its porous nature, the precursor layer deposited on Mo substrate by nonvacuum methods often suffers from thick $MoSe_2$ formation during selenization under a high Se vapor pressure. On the contrary, selenization under a low Se pressure to avoid $MoSe_2$ formation typically leads to low crystal quality of absorber films. Although TiN has been reported as a diffusion barrier against Se, the additional sputtering to deposit TiN layer may induce the complexity of fabrication process and nullify the advantages of nonvacuum deposition of absorber film. In this work, Mo oxide layers via thermal oxidation of Mo substrate have been explored as an alternative diffusion barrier. The morphology and phase evolution was examined as a function of oxidation temperature. The resulting Mo/Mo oxides double layers were employed as a back contact electrode for $CuInSe_2$ solar cells and were found to effectively suppress the formation of $MoSe_2$ layer.
In this study, a novel microwave absorber which consists of a structural part, a resistive sheet, and a low dielectric layer is proposed. Unlike the conventional Salisbury screen, a newly proposed absorber is capable of a range of absorbing performance, from narrowband to broadband. In the case of the narrowband absorber, the fabricated absorber with optimized design parameters has a strong resonance at 9.25 GHz and reflection loss of -44 dB with satisfying the -10 dB absorption in whole X-band (8.2 GHz~12.4 GHz). For the broadband absorber design, the reflectivity was minimized in the considered frequency ranges. The designed absorber showed two weak resonances near 6.5 GHz and 16.5 GHz and satisfied the -10 dB absorption from C-band to Ku-band (4 GHz~18 GHz). The measured reflection loss of fabricated absorber was well matched with simulation results, though the measurement was only performed on X-band. For the Salisbury screen to be capable of broadband absorption, it should be stacked multiply in a structure known as the Jaumann absorber. However, for the microwave absorber presented here, broadband as well as narrowband capabilities can be implemented without a change of the structure.
With a rapid progress in electronic industry we enjoy various conveniences of life. As many kinds of information equipments are supplied even to most of individuals as to be called an information society, we are exchanging much information with one another surprisingly. Consequently the occupation density of microwave frequency band is highly increased, and electromagnetic environment is getting more seriously bad. It often gives fatal blow to even human life and thus becomes serious social problems. Electromagnetic wave absorbers for anechoic chamber are needed to broaden the effective frequency bandwidth, reduce the thickness, and decrease the weight. There are various absorbers proposed for the above conditions, but they could not decisively solve it the alone requirements. The Electromagnetic wave absorber made by a conventional ferrite tile has, for example, broadened the useful frequency bandwidth by the way of forming air layer(practically use urethane foam, etc.) on the ferrite tile. Therefore, an air layer is formed between a reflection plate and a sintered Ni-Zn ferrite tile of 7 mm in thickness, which has reflectivity less than -20 dB from 30 MHz to 400 MHz in bandwidth. Accordingly, in this paper, a broadened electromagnetic wave absorber are designed, which has the reflection characteristics less than -20 dB from 30 MHz to 6,000 MHz in the bandwidth. Then we achieved the goal by design the inserting square Ferrite Cylinders with the thickness less than 17.5 mm on existing grid type Ferrite absorber. The purpose of this research is on the development of very wide-band electromagnetic absorber for a universal anechoic chamber for measuring radiated electromagnetic wave or immunity of electronic equipments, GTEM-cell, wall material for preventing TV ghost, etc.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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