Journal of the Korean Society of Manufacturing Technology Engineers
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v.18
no.6
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pp.585-589
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2009
Extruder is divided to greatly three part at extrusion process. First, by hopper(Hopper) second, barrel(Barrel) with Screw that is point of extruder and third that is raw material supply wealth extrusion into dies(DIES) Part that decide shape of do product greatly divide. Hopper is role that distribute in raw material supply wealth (Feeding zone) of Screw preserving raw material in state of high quality how at extrusion process, and make distributed raw material as Screw in barrel rotates and 3 stage and inflicting heat and pressure raw material melting(Melting) state. And raw material of melting state Screw's measuring stoker(Metering zone) whereabouts anaphora do and product is completed through pipe channel of dies. Dies that is the most important as Screw in extrusion is part that is last part of melting state process of raw material and causes huge effect in quality of product. If more than design of dies happens, manufacture itself of dies is hard, but there are a lot of amount of losses accordingly. In this research, make pipe channel that raw material of melting state flows in dies can present dies basic design method through flow analysis of ideal pipe channel using CFdesign.
EBFZM( Electron Beam Floating Zone Melting) 법을 이용하여 몰리브덴에서의 금속계 불순물과 침입형 불순물의 정련기구 및 단결정 성장기구를 연구하 였다. Fe, Cr, Co등의 금속계 불순물은 몰리브덴과의 평형증기압의 차이에 따른 불순물의 선택적 증발에 의하여 우수한 정련효과를 나타내며, 몰리브덴보다 응점이 높은 Ta, W는 잘 제거되지 않았다. 한편 대역 정제에 의한 정련효과는 미약함을 확인하였다. EBF ZM은 C,0,N등의 침입형 불순물의 정련에도 효과적 이었다. 본 연구의 모든 조건에서 몰리브덴은 단결정으로 성장하였으며 2차 재결정 epitaxy에 의한 단결 정 성장기구가 제시되었다. 몰리브덴 단결정 내의 전 위밀도는 strain-anneal법에 의한 단결정의 경우보다 높았으며,본 실험의 열처리 조건에서는 변화하지 않았다. The purification and single crystal growth mechanisms of molybdenum were analysed in EBFZM ( electron beam floating zone melting). Metallic impurities of Fe, Cr, Co were purified efficiently but Ta and W were not removed well in this study. It was due to a preferential evaporation of the elements caused by the difference in equillibrium vapor pressure between the elements and molybdenum. The pu- rification effect by zone refining was not significant. The EBFZM also refined the interstitial impurities of C, 0 and N, effectively. The single crystals of molybdenum were grown regardless of the experimental conditions and the secondary recrystallization epitaxy was surge sled as a growth mechanism. The dislocation density in single crystal was higher than that by strain-anneal method, and was not reduced by heat treatments.
Laser surface Melting Process is getting hardening layer that has enough depth of hardening layer as well as no defects by melting surface of substrate. This study used CW(Continuous Wave) Yb:YAG and STD11. Laser beam speed, power and beam interval are fixed at 70mm/sec, 2.8kW and 800um respectively. Hardness in the weld zone are equal to 400Hv regardless of melting zone, remelting zone overlapped by next beam and HAZ. Similarly, microstructures in all weld zone consist of dendrite structure that arm spacing is $3{\sim}4{\mu}m$, matrix is ${\gamma}$(Austenite) and dendrite boundary consists of ${\gamma}$ and $M_7C_3$ of eutectic phase. This microstructure crystallizes from liquid to ${\gamma}$ of primary crystal and residual liquid forms ${\gamma}$ and $M_7C_3$ of eutectic phase by eutectic reaction at $1266^{\circ}C$. After solidification is complete, primary crystal and eutectic phase remain at room temperature without phase transformation by quenching. On the other hand, microstructures of substrate consist of ferrite, fine $M_{23}C_6$ and coarse $M_7C_3$ that have 210Hv. Microstructures in the HAZ consist of fine $M_{23}C_6$ and coarse $M_7C_3$ like substrate. But, $M_{23}C_6$ increases and matrix was changed from ferrite to bainite that has hardness above 400Hv. Partial Melted Zone is formed between melting zone and HAZ. Partial Melted Zone near the melting zone consists of ${\gamma}$, $M_7C_3$ and martensite and Partial Melted Zone near the HAZ consists of eutectic phase around ${\gamma}$ and $M_7C_3$. Hardness is maximum 557Hv in the partial melted zone.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.3
no.3
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pp.21-24
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2002
Two kinds of $Nd_{1+X}Ba_{2-X}Cu_3O_{7-{\delta}}$, the sintering samples and zone melting samples, were heat-treated under pure Ar at 950$^{circ}C$. The substitution of Nd ion for Ba ion in the $Nd_{1+X}Ba_{2-X}Cu_3O_{7-{\delta}}$ before and after the heat treatment was investigated by XRD. In order to confirm the effects of the heat treatment, the Tc and Jc of samples with/without the heat treatment under Ar were comparatively studied. $Nd_{1+X}Ba_{2-X}Cu_3O_{7-{\delta}}$ samples were oxygenated under pure oxygen at $300^{circ}C$. From the XRD pattern it was found that the sample with x<0.4 was transferred from tetragonal phase to orthorhombic phase after the oxygenation, while the sample with x>0.4 did not show the phase transition even after a long time oxygenation. Therefore, the low oxygen partial pressure (Ar+1 % O$_2$) was used for the ambient atmosphere of the zone-melting samples, which could reduce the melting temperature and depress the substitution of Nd for Ba. After the improvement in the zone-melting process, the Jc value was increased to 2 x $10^4$A/$cm^2$ (0 T, 78 K). The particle orientation and the structure of zone-melted NdBaCuO were studied by the XRD and SEM analysis.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.7
no.4
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pp.528-535
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1997
$LiTaO_3$ single crystals of congruently melting composition were grown by the halogen lamp type floating zone system. Calcination and sintering parameters for the growth were established. Optimum crystal growth conditions were investigated by a controlling of growth rates, rotation speeds and atmospheres. Based on the melting aspect and the shape of molten zone, stable conditions could not be found in air or Na atmosphere. However the growth stability in Ar atmosphere was more regular than that in air or $N_2$. The grown crystals were characterized using Laue back reflection, Curie temperature, refractive index and transmittance. Curie temperature fluctuation in the section of the grown crystal part of top, body and tail was $1^{\circ}C$.
Park, J.Y.;Ha, J.S.;Kang, C.S.;Kim, M.I.;Shin, K.S.;Jung, J.P.
Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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2000.04a
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pp.81-86
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2000
To evaluate the possibility of the partial melting soldering. wettability of partial melted solders was measured using wetting balance. Off eutectic Sn-Pb allows are wettable in their partial melting zone. Especially, Pb rich alloys showed excellent wettability while wettability of Sn rich alloys were adequate or poor. It is found that wettability increases over $200^{\circ}C$ regardless of composition liquid fraction and phases of the original alloy Sn-7Ag alloy showed good wettability in their partial melting zone, while Sn-65Bi alloy was non-wettable under their melting points.
The investigation has been carried out for purification, single crystal growth mechanism and convective phenomena in EBFZM of Nb metal. It is found that the EBFZM refined effectively oxygen and nitrogen, the interstitial impurities in Nb, but carbon was increased slightly by backstream of diffusion pump oil. The mechanism of single crystal growth associated with the second recrystallieation in Nb was suggested from the relationship between texture of starting materials and the crystal growth in EBFZM. It was observed from the investigation of convection phenomena in molten zone that the Marangoni convection was dominant in molten zone, which caused the striation in Nb and increased the purification effect of oxygen and nitrogen.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2003.05a
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pp.366-369
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2003
High T$_{c}$ superconducting lines will be applied as key materials in the areas of power transmission line; magnetic levitation of vehicle; magnetic separation; magnetic energy storage and marine propulsion. A combination method of electrophoresis deposition and zone-melting for preparation of YBaCuO tape is proposed. The submicron particle powder of YBaCuO made by sol-gel method is used in the electrophoresis process. A 40~50${\mu}{\textrm}{m}$ thickness of YBaCuO film on Ag plate could be deposited in about three minutes. After deposition the film is rolled and heat treated in order to increase the density and the adhesion of the film to the Ag plate. Silver(Ag) and lead oxide(PbO) were added in the YBaCuO powder in order to reduce its melting point. The YBaCuO coating with controlled Ag and PbO contents was preliminarily zone-melted at about 945$^{\circ}C$.>.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.27
no.4
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pp.527-533
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1990
Zone-melting recrystallization (ZMR) system using two graphite heaters(a stationary sheet and a narrow movable bar) was constructed and implemented in recrystallization op Si films on insulating layers. The recystallized Si films were examined by Nomarski contrast optical microscopy after Dash etching, transmission electron diffraction pattern, and x-ray diffraction. With optimum conditions of process parameters(input powers of the bottom and upper heater, scanning speed of the upper heater, and the gap between sample and upper heater), the recrystallized Si layer has a (100) texture, but contains many subboundaries. The subgrains are misoriented by < 0.5\ulcorner and the average spacing between subboundaries is about 25\ulcorner.
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