• Title/Summary/Keyword: ZnO 나노와이어

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Electrical properties of FET device using ZnO nanowire (ZnO nanowire를 이용한 FET소자의 전기적 특성)

  • Oh, Won-Seok;Jang, Gun-Eik;Lee, In-Seong;Kim, Kyeong-Won;Lee, Sang-Yeol
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2009.06a
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    • pp.432-432
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    • 2009
  • 본 연구에서는 HW-PLD(Hot-walled Pulsed Laser Deposition) 법을 이용하여 ZnO 나노와이어를 $Al_2O_3$ 기판 위에 성장하였다. 성장된 ZnO 나노와이어는 SEM, XRD, PL 분석을 통하여 구조적 특성을 확인하였으며, 성장된 나노와이어를 photolithography 공정을 통하여 FET(Field Effect Transistor)소자를 제작하였다. 제작된 소자의 I-V 특성 측정 결과 Ti/Au 전극과 ZnO nanowire 채널 간에 ohmic 접합이 형성된 것을 확인하였으며 게이트 전압의 증가에 따라 소스와 드레인 사이의 전류가 증가하는 전형적인 n-type FET소자 특성을 나타내었다.

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빛을 이용한 저항 변화 메모리 제어

  • Park, Jin-Ju;Lee, Seung-Hyeop;Yong, Gi-Jung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.607-607
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    • 2013
  • 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 각광받고 있는 저항 변화 메모리(resistive switching random access memory; ReRAM) 소자는 속도가 빠르고, 에너지 소모가 적으며, 고집적화를 이루기 용이하다는 강점을 보유하고 있다. 지금까지 저항변화 물질의 최적화를 위해 매우 다양한 물질들이 연구되고 있으며, 그 물질에 따라 스위칭 메커니즘 및 동작 방법이 다르게 보고되어 왔다. 하지만 저항변화 메모리의 스위칭 거동은 전형적인 전기적 제어 조건으로부터 구현되었기 때문에 한정된 소자 특성을 나타낼 수밖에 없었다. 본 연구에서는 새로운 메모리 제어 조건으로 빛을 이용함으로써 한정된 소자 특성으로부터 벗어나고자 하였다. 저항 변화 물질로 잘 알려진 ZnO를 표면적이 넓은 형태로 합성하기 위하여 hydrothermal 방법으로 FTO 기판 위에 수직하게 배열된 ZnO 나노와이어를 형성하고 그 위에 Au 상부 전극을 형성하여 금속-절연체-금속 소자 구조를 제작하였다. 본 연구에서는 전형적인 전기적 제어 조건에 더불어 빛의 입사 유무 조건을 바꿔가면서 Au/ZnO 나노와이어/FTO 소자의 저항 변화 특성을 평가 하였을 뿐만 아니라 전기적 인가 없이 오직 빛만으로 두 가지 안정한 저항 상태를 반복적으로 전환하는 특성을 유도하였다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

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여러가지 Zinc Nitrate 농도에 따른 ZnO 나노구조체의 구조적 및 광학적 성질

  • Seo, Ga;Yang, Hui-Yeon;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.235-235
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    • 2011
  • ZnO 나노구조체를 성장하는 여러 가지 방법 중에서 전기 화학 증착법은 컨트롤이 용이하며 저렴한 가격으로 낮은 온도에서 성장이 가능할 뿐만 아니라 대면적으로 성장할 수 있는 장점이 있다. 나노구조체의 직경과 길이는 indium-tin-oxide와 Ag/AgCl 전극 사이의 전류 밀도 증가에 따라 변화하는 것을 알 수 있었다. Zinc nitrate 몰 농도를 조절하여 다양한 형태의 ZnO 나노구조체를 만들 수 있었다. 70$^{\circ}C$에서 4시간 동안 성장한 ZnO 나노구조체를 대기에서 400$^{\circ}C$로 2분 동안 열처리를 하였다. 성장된 ZnO 나노구조체에 대한 X-선 회절 측정 결과로부터 (0002) 피크가 34.35$^{\circ}$에서 나타나는 것을 확인하였다. 주사전자현미경 측정 결과로부터 zinc nitrate의 몰 농도가 낮을 때 성장한 ZnO 나노구조체는 와이어 형태로 형성되었음을 확인하였다. 그러나 zinc nitrate의 몰 농도가 높아지게 되면 ZnO 나노구조체의 모양이 와이어에서 막대 또는 접시 형태로 변화 되는 것을 알 수 있었다. 300K에서의 광루미네센스 스펙트럼 결과로부터 zinc nitrate의 농도에 따라 다르게 형성된 ZnO 나노구조체는 엑시톤과 관련된 피크가 zinc nitrate의 몰 농도 변화에 따라 달라지는 것을 확인 하였다.

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액상씨드의 열처리조건에 따라 합성된 나노와이어의 특성변화

  • Kim, Seong-Hyeon;No, Im-Jun;Lee, Gyeong-Il;Sin, Baek-Gyun;Kim, Seon-Min;Kim, Jong-Hyeon;Jo, Jin-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.275-275
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    • 2010
  • 나노선의 합성을 위해 필요한 씨드는 기상증착에 경우 값비싼 공정 비용이 요구되지만 액상의 경우 저렴하고 공정이 단순하며 단시간에 공정이 용의하고 대면적이 가능하다는 장점을 가지고 있다. 우리는 zinc acetate, ethylene glycol monoethylethe(C3H8O2), Monoethanolamine을 일정한 비율로 혼합하여 ZnO 나노와이어 합성에 필요한 액상씨드를 만든 후 이것을 기판위에 증착하기 위해 수차례에 걸쳐 스핀코팅을 하였다. 스핀코팅후 퍼니스와 핫플레이트를 이용하여 Soft bake, Hard bake 공정을 통해 각각 열처리 한후 XRD 를 통한 결정성과 방향성 그리고 AFM을 통한 표면거칠기를 관찰하였고 또한 수열합성법을 통하여 제작한 씨드를 기반으로 하는 ZnO 나노와이어를 합성하여 각각의 열처리 조건에 따른 나노와이어의 특성변화를 관찰하였고 향후 나노기반 소자의 적용가능성을 확인하였다.

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Influence of thermal annealing on hybrid Organic Solar Cell with ZnO nanowire

  • Park, Seong-Hwak;Kim, Jong-Hyeon;Jo, Jin-U;Kim, Seong-Hyeon
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.317-317
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    • 2010
  • ZnO나노와이어는 높은 투과도, 화학 및 열적 안정성을 가지며, 유기태양전지에 적용하였을 때 Active Layer의 표면적 증가, 전자의 수집 및 전달에 용이한 장점가지고 있어 하이브리드 유기 태양전지에 적용되고 있다. ZnO나노와이어와 P3HT/PCBM을 사용한 하이브리드 유기태양전지는 Active Layer의 열처리 온도를 변화시켜 ITO/AZO/ZnO wire/PCBM:P3HT/PEDOT:PSS/Ag구조로 제작되었다. ZnO나노와이어는 AZO를 Seed로 사용하고 Znc nitrate hydrate와 hexamethylenetetramine을 혼합하여 수열합성법으로 성장 후, P3HT:PCBM, PEDOT:PSS을 Spin Coating법으로 형성하였다. UV-vis와 Solar simulator를 통하여 Active Layer의 열처리 온도에 따른 태양전지의 특성을 분석하였다.

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포토리소그래피 공정을 이용하여 미세하고 선택적인 수직형 나노와이어 성장

  • Im, Byeong-Jik;Lee, Gyeong-Il;Kim, Seong-Hyeon;Kim, Seon-Min;Lee, Cheol-Seung;Lee, Jae-Hyeok;Byeon, Sang-Eon;Jo, Jin-U;Kim, Dong-Hyeon;Hong, Yong-Taek
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.488-488
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    • 2011
  • 산화 아연(ZnO)나노와이어를 이용한 태양전지, 광소자 등 발전소자 개발이 진행되고 있고 차세대 트랜지스터, 다이오드, 센서에도 많이 이용될수 있다. 따라서 다양한 제품 응용에 필요한 나노 구조체 형상 제어를 위해 다각적인 노력이 제기되고 있다. 본 연구에서는 유리(EAGLE 2000)기판 위에 AZO 박막을 증착 한 후 포토리소그래피 공정을 이용하여 직경이 2 um 미만인 원형 패턴을 형성한 후 수열 합성법을 이용하여 지름 200 nm, 길이 3 um인 수직형 나노와이어를 성장하였다. 기존의 ZnO 나노와이어 합성 방법은 섭씨 500도 이상의 비교적 높은 온도조건을 요하기 때문에 포토리소그래피 공정을 이용하여 진행할 수 없었다. 그러나 비교적 낮은 온도인 100도 이하에서 수용액 상태에서 합성이 가능하게 됨에 따라 보편화 되어있는 포토리소그래피 공정과 손쉽고 저렴한 수열 합성법을 이용하여 필요한 부분만 미세하고 선택적으로 nano wire를 성장시킬 수 있었다.

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수직하게 정렬된 ZnO 나노선의 압전특성 평가

  • No, Im-Jun;Kim, Seong-Hyeon;Lee, Gyeong-Il;Kim, Seon-Min;Sin, Baek-Gyun;Jo, Jin-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.437-437
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    • 2011
  • 수열합성법에 의해 나노와이어를 합성하였다. 수직하고 장경비가 큰 나노와이어는 기존 Zinc nitrate와 HMTA를 각각 같은 몰 농도(0.015 mol/L)로 하고 이때 나노와이어의 밀도 조절 및 수직성장을 돕고 더 길게 자랄 수 있도록 polyethylenimine (PEI)를 포함하였으며, 이때 화학적으로 불안정한 seed layer 보호하기 위하여 증가 된 Ph 농도를 완화하기 위해 nitrate acid 를 포함한 반응 용액 내에서 생성되었다. 합성된 나노와이어는 지그재그 전극과 결합하여 리니어 모터를 통해 일정한 시간 주기로 일정한 압력을 가하여 얻은 압전특성을 관찰하고 분석하였다.

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The Effect of ZnO Nanowire by Pre-heating Process and Optical Properties

  • Kim, Jong-Hyeon;Kim, Seong-Hyeon;Kim, Seon-Min;Lee, Cheol-Seung;Lee, Gyeong-Il;Jeong, Dae-Yong;Jo, Jin-U
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.354-354
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    • 2011
  • ZnO 나노와이어는 밴드 갭이 3.37 ev로 큰 밴드 갭을 갖는 물질이며 엑시톤 결합에너지가 60 meV로 GaN(25 meV)같은 다른 반도체보다 매우 크다. 또한 밴드갭 에너지가 큰 GaN, SiC와 같은 반도체에 비해서 화학적, 열적 안정성이 크며 낮은 온도에서 성장이 가능하다는 장점이 있다. 본 연구에서는 pre-heating process를 이용하여 1차원 구조인 ZnO nanowire를 수열합성법으로 합성하였다. 실험방법으로는 E2K glass 기판위에 AZO40 nm를 증착후, 시드층으로 이용하여 ZnO nanowire를 성장하였다. precusor 전구체에는 ZN(NO3)2 ${\cdot}$ 6H2O와 Capping agent으로의 역할을 위해 PEI와 OH-source 공급을 위한 Ammonium chloride를 첨가하여 합성하였고, 그에 따른 ZnO nanowire의 morphology 및 aspect ratio를 조절하고자 하였다. 마지막으로 ZnO 나노와이어의 구조적, 광학적 특성 평가를 하기위해 XRD, FE-SEM, PL 등을 이용하여 측정 하였고, 향후 나노발전기, 태양전지 등 여러 광학기기 등에 전극재료로서 응용 가능성에 대해 알아보고자 하였다.

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선택적 단결정 씨앗층을 이용한 MgZnO 나노와이어의 밀도조절 및 수직성장 방법

  • Kim, Dong-Chan;Gong, Bo-Hyeon;Kim, Yeong-Lee;An, Cheol-Hyeon;Bae, Yeong-Suk;Jo, Hyeong-Gyun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2009.05a
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    • pp.29.2-29.2
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    • 2009
  • 21세기 제 3의 산업혁명을 가져올 것으로 기대되는 나노기술(NT), 정보기술(IT), 바이오기술(BT)은 전 세계 과학자들의 마음을 사로잡고 있다. 이 가운데 나노기술은 전자산업에 응용 시 그 기대효과는 우리가 상상하는 이상의 것이라 예상하고 있다. 나노기술에 특히 관심을 가지는 이유는 물질이 마이크로미터 크기로 작아져도 벌크물질의 물리적 특성이 그대로 유지되지만, 나노미터 크기가 되면서 우리가 경험하지 못했던 새로운 물리적 특성들이 발현되기 때문이다. 그 특성에는 양자구속효과, Hall-Petch 효과, 자기효과 등이 있다. 나노기술의 구현은 양자점과 같은 영차원 나노입자, 나노와이어, 나노막대, 나노리본 등과 같은 직경이 100nm 이하의 일차원 구조의 나노물질 및 나노박막과 기타 100nm 이하의 나노구조물들이 사용된다. 현재 일차원 구조를 이용한 전자디바이스화 연구는 결정성장을 정확하게 조절하는 합성기술, 합성된 일차원 나노물질의 물리적 특성을 지배하는 각종 파라미터들과 물리적 특성들과의 상관관계 정립, 나노와이어를 이용한 Bottom-up 방식에 의한 조립기술 확보를 위해 활발히 진행 중이다. 하지만 나노구조의 특성을 확인하는 형태의 연구일 뿐, 실제 디바이스 구현에는 여전히 많은 과제를 안고 있다. 본 연구에서는 선택적 삼원계 단결정 씨앗층을 이용한 길이/직경 비가 매우 향상된 MgZnO 나노와이어를 interfacial layer 없이 수직으로 성장하여 산화물 전계방출 에미터로서의 가능성을 확인하였다.

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Nanogenerator Device Based on Piezoelectric Active Layer of ZnO-Nanowires/PVDF Composite (ZnO-나노와이어/PVDF 복합체를 압전 활성층으로 한 나노발전기 소자)

  • Lim, Young-Taek;Shin, Paik-Kyun
    • Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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    • v.27 no.11
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    • pp.740-745
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    • 2014
  • ZnO nanowires were grown by hydrothermal synthesis process and piezoelectric poly vinylidene fluoride (PVDF) was then coated on top of the ZnO-nanowires by spray-coating technique. The composite layer of ZnO-nanowires/PVDF was applied to an energy harvesting device based on piezoelectric-conversion mechanism. A defined mechanical force was given to the nanogenerator device to evaluate their electric power generation characteristics, where output current density and voltage were examined. Electric power generation property of the ZnO-nanowires/PVDF based nanogenerator device was compared to that of the nanogenerator device with ZnO-nanowires as single active layer. Effect of the ZnO-nanowires on improvement of power generation was discussed to examine its feasibility for the nanogenerator device.