• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 1998.08a
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• pp.72.4-72
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• 1998

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.199-199
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• 2011

Recently, Thin film transistors (TFTs) with amorphous oxide semiconductors (AOSs) can offer an important aspect for next generation displays with high mobility. Several oxide semiconductor such as ZnO, $SnO_2$ and InGaZnO have been extensively researched. Especially, as a well-known binary metal oxide, tin oxide ($SnO_2$), usually acts as n-type semiconductor with a wide band gap of 3.6eV. Over the past several decades intensive research activities have been conducted on $SnO_2$ in the bulk, thin film and nanostructure forms due to its interesting electrical properties making it a promising material for applications in solar cells, flat panel displays, and light emitting devices. But, its application to the active channel of TFTs have been limited due to the difficulties in controlling the electron density and n-type of operation with depletion mode. In this study, we fabricated staggered bottom-gate structure $SnO_2$-TFTs and patterned channel layer used a shadow mask. Then we compare to the performance intrinsic $SnO_2$-TFTs and doping hafnium $SnO_2$-TFTs. As a result, we suggest that can be control the defect formation of $SnO_2$-TFTs by doping hafnium. The hafnium element into the $SnO_2$ thin-films maybe acts to control the carrier concentration by suppressing carrier generation via oxygen vacancy formation. Furthermore, it can be also control the mobility. And bias stability of $SnO_2$-TFTs is improvement using doping hafnium. Enhancement of device stability was attributed to the reduced defect in channel layer or interface. In order to verify this effect, we employed to measure activation energy that can be explained by the thermal activation process of the subthreshold drain current.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.205-205
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• 2010

투명 전극(transparent conducting oxide, TCO)은 높은 전기전도도 및 낮은 비저항 ($10^{-4}{\sim}10^{-3}\;{\Omega}cm$)과 가시광영역에서의 우수한 광투과도(> 80%) 특성을 가지며, 주로 디스플레이, 태양전지, 가스 센서 소자 등에 쓰인다. 투명전극으로 쓰이는 대표적인 물질로서는 ITO, ZnO, $SnO_2$ 등이 있으며, ITO는 전기적 특성이 우수하여 널리 사용되고 있으나 가격이 비싸고 화학적으로 불안정하고, ZnO는 ITO에 비해 가격이 저렴하지만 고온에서 불안정한 특성을 가지고 있다. 반면, $SnO_2$는 ITO와 ZnO에 비해 전기적 특성은 떨어지지만, 우수한 열적, 화학적 안정성 및 높은 내마모성을 가지고 제조단가가 저렴하여 TCO 재료로 많은 연구가 진행되고 있다. TCO 박막을 증착시키는 방법으로 CVD, ion plating, sputtering, spray pyrolysis 등이 있으며, 이 중 sputtering 방법은 균일한 입자로 균질의 박막을 입힐 수 있고 우수한 재현성과 낮은 온도에서도 증착이 가능하여 박막 제조 방법으로 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 $SnO_2$ 박막을 실리콘 (100) 및 글라스 (Eagle 2000) 기판 위에 RF magnetron sputtering 방법을 사용하여 제작하였다. 박막 증착을 위해 99.99%의 2 인치 un-doped $SnO_2$ 타겟을 사용하였고, 기판은 20 rpm 으로 회전시켜 균일한 박막이 형성될 수 있도록 하였으며, 초기 진공도는 $1{\times}10^{-6}\;Torr$가 되도록 하였다. 증착 변수로 기판-타겟간 거리, RF 파워, $O_2/(Ar+O_2)$ 비, 공정압력, 기판 온도 등을 각각 변화 시키며 $SnO_2$ 박막을 증착하였다. 증착된 박막의 구조적 및 광학적 특성을 분석하기위해 FE-SEM, AFM, XRD, UV/VIS spectrophotometer, Photoluminescence 등을 사용하였다.

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2006.05a
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• pp.224-226
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• 2006

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2006.05a
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• pp.329-331
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• 2006

• Proceedings of the KWS Conference
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• 2006.05a
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• pp.221-223
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• 2006

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.147-147
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• 2008

역전파 신경망은 반도체 공정 모델링에 효과적으로 응용되고 있으며, 모델의 예측정확도를 향상시키기 위하여 Random Generator를 개발하였다. Random Generator의 효과가 기존의 모델에 비해 예측정확도의 향상에 영향을 주었음을 알 수 있었다. 모델링에 이용한 실험데이터는 다중 유도결합형 플라즈마 장비를 이용하여 수집하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2015.05a
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• pp.37-37
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• 2015

합금 조성 및 열-기계적 처리 조건에 따라 제2상의 종류, 분율, 크기 등이 변화하였으며, 이러한 미세조직적 인자의 변화에 따라 부식거동이 변화하였다. 또한 부식환경에 따라 부식거동에 영향을 미치는 여러 인자들의 상호작용이 변화하였으며 이로 인하여 서로 다른 부식환경에서 합금 조성에 따른 부식거동의 차이가 발생하였다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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• v.18 no.1
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• pp.35-40
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• 1981

Thin films of SnO2, SnO2-ZnO and ZnO were prepared by the spray. chemical vapor deposition and vacuum evaporation method. They had good sensitivity to various gases involving toxic gases(i. e. SO2, CO). The change in conductivity of thin film guts sensors prepared was considered as the change in carrier concentration caused by gas absorption. And also the conductivity of the thin film elements had great dependence on atmospheric pressuie around them.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 1989.06a
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• pp.52-55
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• 1989

The properties of sintered Ag-SnO$_2$contacts which contain the second oxide were investigated with hardeness, workability, electrical conductivity and are erosion. Ag-SnO$_2$contacts containing ZnO or Bi$_2$O$_3$have most excellent workability and arc erosion endurance.