The Proceeding of the Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.3
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pp.15-19
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2003
In This paper, we developed 1.96 GHz air gap type FBAR BPF using ZnO as piezoelectric sputtered by RF magnetron at room temperature. FBAR BPF was fabricated by sputtering bottom electrode (Al), ZnO as piezoelectric and top electrode (Mo) on Si wafer one by one with RF magnetron sputter, then Si was dry etched to make an air hole. XRD test result of fabricated FBAR BPF showed that ZnO crystal was well pre-oriented as (002) and sigma value of XRC was 1.018. IL(Insertion loss) showed excellent result as 1 dB.
Ham, Sun-Young;Cho, Se-Jin;Lee, Ung-Ki;Jeon, So-Yeon;Shin, Ji-Cheol;Myung, No-Seung;Paeng, Ki-Jung
Journal of the Korean Electrochemical Society
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v.10
no.4
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pp.262-264
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2007
This paper describes a two-step approach for the electrochemical deposition of CdZnS thin films on the polycrystalline Au electrode. Initially, an Au substrate is electrochemically modified with a sulfur layer. In the second step, the layer is electroreduced to $S^{2-}$ in the electrolyte dosed with the requisite amount of $Cd^{2+}$ and $Zn^{2+}$ ions to generate CdZnS films in situ. This approach was validated using a combination of linear sweep voltammetry and electrochemical quartz crystal microgravimetry. Thus synthesized CdZnS thin films have different composition depending on the composition of electrolytes. CdZnS thin films are characterized by energy-dispersive X-ray analysis and Raman spectroscopy.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2007.06a
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pp.397-397
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2007
Multilayer transparent electrodes, having a much lower electrical resistance than the widely used transparent conducting oxide electrodes, were prepared by using radio frequency magnetron sputtering. The multilayer structure consisted of five layers, indium tin oxided(ITO)/zinc oxide(ZnO)/Ag/oxide(ZnO)/ITO. With about 50nm thick ITO films, the multilayer showed a high optical transmittance in the visible range of the spectrum and had color neutrality. The electrical and optical properties of ITO/ZnO/Ag/ZnO/ITO multilayer were changed mainly by Ag film properties, which were affected by the deposition process of the upper layer. Especially ZnO layer was improved to adhesion of Ag and ITO. A high quality transparent electrode, having a resistance as low as and a high optical transmittance of 91% at 550nm, was obtained. It could satisfy the requirement for the flexible OLED and LCD.
Phase-change optical disk very rapid recording, high densification of data, resulting in high feedback rate and good C/N(carrier to noise) ratio of a feedback signal. However, repetitive thermal energy may cause the deformation of a disk or the lowering of an eliminability and a cyclability of the recording. The lowering of the cyclability can be reduced by insertion of thin layer of ZnS-$SiO_2$ dielectric thin film in appropriate disk structure between the upper and lower part of the recording film. Using the Taguchi method, optimum conditions satisfying both the optimized quality characteristic values and the scattering values for film formation were found to be the target R.F. power of 200W, the substrate R.F. power of 20W, the Ar pressure of 6mTorr, and the electrode distance of 6cm. From the refractive index data, the existence of the strong interaction between the electrode distance and Ar pressure was confirmed, and so was the large effect of the electrode distance on transmittance. According to the analysis of TEM and XRD, the closer the electrode distance was, the finer was the grain size due to the high deposition rate. However, the closer electrode distance brought the negative effect on the morphology of the film and caused the reduction of transmittance. AFM and SEM analyses showed that the closer the electrode distance was, the worse was the morphology due to the high rate of the deposition. Under optimum condition, the deposited thin film showed a good morphology and dense microstructure with less defects.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.23
no.9
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pp.681-684
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2010
The $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ multilayered structure for the transparent electrodes in plasma display panel was designed by essential macleod program (EMP) and the multilayered film was deposited on a glass substrate by direct-current (DC)/radio-frequency (RF) magnetron sputtering system. During film deposition process, the Ag layer in $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ structure became oxidized and the filter characteristic was degraded easily. In this study, ZnS layer was adopted as a diffusion blocking layer between $TiO_2$ and Ag to prevent the oxidation of Ag layer efficiently in $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ structure. Based on the AES depth profiling analysis, the Ag layer was effectively protected by the ZnS layer as compared with the $TiO_2$/Ag/$TiO_2$ multilayered films without ZnS as an antioxidant layer. The 3 times stacked $TiO_2$/ZnS/Ag/ZnS/$TiO_2$ films have low sheet resistance of $1.22{\Omega}/{\square}$ and luminous transmittance was as high as 62% in the visible ranges.
In this study, ZnCo2O4 nanoparticles were synthesized via the coprecipitation method using different annealing temperatures from 200℃ to 800℃. By varying the treatment temperature, the morphology changed from amorphous to tetragonal, and finally to polygonal particles. As temperature increased, the sizes of the nanoparticles also changed from 5 nm at 200℃ to approximately 500 nm at 800℃. The fabricated material was used to modify the working electrode of a screen-printed carbon electrode (SPE), which was subsequently used to survey the detection performance of the antibiotic, chloramphenicol (CAP). The electrochemical results revealed that the material exhibits a good response to CAP. Further, the sample that annealed at 600℃ displayed the best performance, with a linear range of 1-300 μM, and a limit of detection (LOD) of 0.15 μM. The sensor modified with ZnCo2O4 also exhibited the potential for utilitarian application when the recovery in a real sample was above 97%.
In the present work, ZnO nanofibers were applied to electrode materials for the detection of cholesterol. ZnO nanofibers were synthesized using the electrospinning technique with zinc acetate as a precursor. Electrospinning-synthesized ZnO nanofibers were uniformly distributed by properly controlling the electrospinning parameters. After the calcination treatment, nanofibers of pure ZnO phase were synthesized. Then, these fibers were successfully placed on Au-coated glass substrates by dispersion of ZnO nanofibers in ethanol, dropping, and drying, in sequence. Cholesterol oxidase was then immobilized onto the surface of the ZnO nanofibers. To enhance the immobilization, Nafion was additionally applied. The sensing performances of the fabricated ZnO nanofibers-based sensors were analyzed by cyclic voltammetry in terms of cholesterol concentration ranging from 100 to 400 mg/dl. In the I-V curves, measured by cyclic voltammetry, the ZnO nanofiber-based sensor showed a proportional current behavior with cholesterol concentrations in phosphate buffered saline solution. The sensitivity was measured and found to be $30.7nA/mM{\cdot}cm^2$, which is comparable to the values reported in the literature. After not only optimizing the shape of the ZnO nanofibers but also improving the adhesion nature between the ZnO nanofibers and the Au conducting layer, these fibers can be a good candidate for electrode materials in devices used to detect low concentrations of cholesterol in blood.
Cho, Bo Hwan;Kim, Seon Cheol;Mun, Sun Hong;Kim, Seung Tae;Ahn, Byung Tae
Current Photovoltaic Research
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v.3
no.1
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pp.32-38
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2015
CIGS solar cell consisted of various films. In this research, we investigated electrode materials in $Cu(In,Ga)Se_2$ (CIGS) cells, including Al-doped ZnO (ZnO:Al), intrinsic ZnO (i-ZnO), and Al films. The sputtered ZnO:Al film with a sputtering power at 200W showed the lowest series resistance and highest cell efficiency. The electrical resistivity of the 200-W sputtered ZnO:Al film was $5.2{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ by the rapid thermal annealing at $200^{\circ}C$ for 1 min. The electrical resistivity of i-ZnO was not measurable due to its high resistance. But the optical transmittance was highest with less oxygen supply and high efficiency cell was achieved with $O_2/(Ar+O_2)$ ratio was 1% due to the increase of short-circuit current. No significant change in the cell performance by inserting a Ni layer between Al and ZnO:Al films was observed.
This study examined the nitrate removal efficiency which uses an electrowinning, and also analyzed the nitrate removal efficiency under a variety of operating conditions such as nitrate concentrations, pH, current densities, electrodes, reducing agents in order to determine optimal conditions. In addition, the multi-step electro-chemical process test has been also analyzed. During the electrowinning, the identical Zn-Zn and Pt-Ti electrodes in the insoluble oxidation electrode(Pt) has shown the highest nitrate removal efficiency in the 100 mg $NO_3^{-}$ -N/L concentration. In the concentration of 150 mg $NO_3^{-}$ -N/L, the efficiency of the Zn-Zn electrode were 70~85%, and that of Pt-Ti electrode were 40~50% without any change of pH. In the high concentration of 500 and 1,000 mg $NO_3^{-}$ -N/L, the higher the concentration, the more decrease of its nitrate removal efficiency decreased. However, the energy consumed for nitrogen removal increased when the nitrate concentration was high. As a result of the multi-step electro-chemical process test, We chose the Test 4. Because the first, most of the zinc consumed from 1 step was recovered from over the 2 step. The second, amount of consumption anode decreased with insoluble anode Pt from over the 2 step. And the third, Zn cathode increased the possibility of reusing Zn deposited. In view of the results so far achieved, the multi-step electro-chemical process would be applied to treat nitrogen involved in metal finishing wastewater.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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