• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2003년도 추계종합학술대회
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• pp.434-438
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• 2003

XeCl 엑시머 레이저로 펌핑되는 쌍공진기형 색소레이저와 2단 증폭시스템을 개발하여 원격계측 시스템에 적합한 두 개의 파장을 동시 또는 순차적으로 출력하였다. 개발된 쌍공진기는 1200 g/mm의 회절격자를 갖는 grazing-incidence 방법에서 제 1차 및 제 2차 회절차수를 이용하여 구성되었다. 출력특성은 스펙트럼 선폭이 10 pm이하이고, 펌프 에너지에 대하 전체효율은 6% 이상이다. 또한, 파장가변 영역은 제 1차 및 제 2차의 회절차수에 대해 각각 434-470 nm, 436-468 nm 이며, 2단의 증폭기의 증폭이득은 37dB, 추출효율은 9%이다. 개발된 레이저 증폭시스템에서 Coumarine-450의 색소로 발진하고, 이의 출력 6 mJ을 원격계측시스템에 적용하여 수원상공의 NO$_2$의 가스농도분포를 측정하였다. 이 결과 개발된 색소레이저 시스템은 원격계측 시스템의 광원으로 매우 적합함을 확인하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
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• pp.1379-1380
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• 2007

본 연구에서는 XeCl 엑시머 레이저를 통해서 GaN를 선별적으로 고농도 도핑 할 수 있는 새로운 방법을 제안했으며, 제안된 방법에 의해 제작된 소자는 낮은 ohmic contact 저항을 나타내었다. 증착된 실리콘 film에 XeCl 엑시머 레이저를 사용하여 GaN 위에 sputtering 함으로써 조사하였으며 레이저에 의해 조사된 영역에는 ohmic contact을 형성하였다. 기존 방법에 의한 ohmic contact 저항이 0.66 ohm-mm이었던 반면, 레이저 도핑 공정에 의한 ohmic contact 저항은 0.27 ohm-mm로 효과적으로 감소되었다. SIMS 분석을 통해 레이저 조사를 하는 동안 높은 에너지에 의해 실리콘이 GaN로 확산되었으며, ohmic contact 저항이 ohmic contact 영역 아래의 도핑 농도 증가로 인해 감소한 것을 확인했다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2004년도 춘계종합학술대회
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• pp.324-326
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• 2004

엑시머 레이저로 여기되는 분포제환 색소레이저(DFDL: Distributed Feedback Dye Laser)로부터 616nm의 레이저 펄스를 얻고, 이를 제2고조파 발생에 의한 파장변환을 통해 308nm의 극초단 자외 광펄스를 얻었다. 또한 3단의 XeCl 엑시머 레이저 증폭기를 구성하여 자외 광펄스의 증폭을 행하였다.

• 전자공학회논문지A
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• 제33A권6호
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• pp.172-177
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• 1996

We have characterized XeCl excimer-laser-induced crystallization of thin amorphous silicon films deposited by PECVD (${\alpha}$-Si:H) and LPCVD (${\alpha}$-Si). The electrical properties, surface roughness and crystallinity of crystallized thin films have been measured. The dc conductivities, crystallinity andsurface roughness of the films increased as the laser energy density and shot density were increased. The properties of laser annealed films deposited by LPCVD were better than those of thin films deposite by PECVD. We have also found that the multiple shots with relative low energy density were more benifical to the improsvement of surface roughness than the single shot with high energy density preserving the crystallinity.

• 한국광학회지
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• 제5권3호
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• pp.386-393
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• 1994

XeCl 엑시머 레이저를 횡방향의 전자빔으로 여기하여 이의 출력특성을 조사하였다. 전자빔의 출력은 880kV, 21kA(70ns, FWHM)이며 전자빔의 전류밀도는 다이오드(A-K) 간격과 공진기 외부에 설치한 펄스자계코일(4.7kG)로 제어하였다. 레이저 매질에 주입되는 전자빔의 축적에너지는 35J(4기압)이다. 축적에너지는 Radcolor film의 감광면적과 압력상승법에 의해 측정한 가스매질의 상승압력으로부터 환산된 수치이며, 이 때의 여기체적은 $320cm^{3}$이었다. 레이저 가스의 혼합비율은 HCl/Xe/Ar=0.2/6.3/93.5%이고 총압력이 3기압일 때, 최대효율 1.7%를 얻었다. 이 때의 출력에너지, 특성에너지는 각각 0.52J, 1.7J/l이었다. 실험결과의 분석을 위해 컴퓨터 시뮬레이션코드를 완성하였다. 시뮬레이션 결과는 실험결과와 잘 부합하고 있음을 확인하였고 그 결과를 이용하여 XeCl의 형성채널, 완화채널, 308nm의 흡수채널을 이론적으로 설명하였다.

• 한국광학회지
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• 제4권4호
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• pp.447-451
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• 1993

용량이행형 방전회로를 이용하여 장펄스 XeCl 엑시머 레이저를 발진 시켰으며, 펄스폭은 150ns(FWHM)이었다. 펄스폭에 영향을 미치는 가스분압 및 capacitance의 비에 따른 펄스폭의 변화를 관측 하였으며, 이로부터 단펄스에서 장펄스로의 발진을 쉽게 얻을 수 있음을 알았다. 일정 가tm 혼합 비율([Xe]/[HCl]=15)의 상태에서 HCl과 Xe가스의 분압이 감소함에 따라 광 펄스폭의 최대 변화량은 125ns이었고, 일정 압력 하에서의 capacitance비(Cm/Cp) 변화에 늘어나는 광 펄스폭의 변화량은 60ns이었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1612-1614
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• 2002

본 논문에서는 엑시머 레이저 조사에 의한 이온 농도의 분포 변화를 알아보기 위해 붕소 이온이 선택적으로 주입된 비정질 실리콘 박막 위에 XeCl (${\lambda}$=308nm) 엑시머 레이저를 조사하여 붕소이온의 수평 확산 현상을 관찰하였다. 도핑 농도의 분포를 알아보기 위해 불산/질산 용액에 의한 고농도 도핑 영역의 습식 식각을 이용하여 약 $10^{18}/cm^3$ 이하의 붕소이온을 가지는 실리콘 박막의 형태를 전자주사 현미경을 이용해서 관찰하였다. 실험 결과, $200mJ/cm^2$의 레이저 에너지가 조사될 경우, 약 100nm의 수평 확산이 일어났음을 확인 할 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1993년도 정기총회 및 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.268-271
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• 1993

Discharge pumped high power excimer laser is a very useful light source of ultraviolet region. In this paper. the design and operation characteristics of UV pre-ionized discharge pumped XeCl laser are discussed. Maximum output power of 890mJ at the efficiency of 1.4% was achieved with 35kV charging voltage, 3.4atm of total pressure and 10pps of pulse repetition rate. Optimum HCl pressure is considered to be between 2.5 and 3.5torr.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제43권2호
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• pp.11-15
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• 2006

FPD (flat panel display)의 능동구동 (active matrix) 방식의 플렉시블 디스플레이를 위해 PES의 플라스틱 기판위에 극저온 다결정 실리콘 박막 트랜지스터를 제작하였다. 상온에서도 박막의 증착이 가능한 RF 마크네트론 스퍼터링과 양질의 다결정 실리콘 박막을 얻을 수 있다고 알려진 XeCl 엑시머 레이져 열처리를 이용하였으며 모든 공정이 150$^{\circ}C$ 이하의 극저온에서 이루어졌다. 플라스틱 기판에 형성한 실리콘 박막 트랜지스터는 344 $mJ/cm^2$ 의 에너지 밀도에서 결정화 하였을 때 이동도 63.64$cm^2/V$ 로 기판에 회로를 집적할 수 있기에 충분한 특성을 얻을 수 있었다.

• 에너지공학
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• 제10권4호
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• pp.379-386
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• 2001

본 연구는 산업용 고부하 버너연소에서의 NO$_{x}$ 저감에 관한 실험적 연구이다. 본 연구에서는 NO$_{x}$의 정량적 농도 분포 측정을 위하여 레이저 유동 형광법을 사용하였다. XeCL 엑시머 레이저를 사용하여 NO A-X (0, 0) 진동밴드를 226 nm로 여기하였다. 또한 P$_{21}$+Q$_1$(14.5)/R$_{12}$+Q$_2$(20.5)/P$_1$(23.5) 전이를 여기라인으로 하였으며 다른 간섭의 영향을 최소화 하였다. 본 실험에서 이중선회 확산화염에서의 NO 농도 분포를 측정하였으며, 이 스월버너에서의 화염의 후류에 있어서 NO 농도는 1차/2차 공기비가 증가할 때 감소함을 알수 있었다.