• Title/Summary/Keyword: X-ray crystal diffraction

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마게마이트(${\gamma}$-Fe$_2$O$_3$)대한 연구 I -분말 X-선 회절무늬의 Rietveld 분석- (An Study on the Structure of Maghemite(${\gamma}$-Fe$_2$O$_3$) I -Rietveld Analysis of Powder XRD Patterns-)

  • 신형섭
    • 한국세라믹학회지
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    • 제35권10호
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    • pp.1113-1119
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    • 1998
  • Crystal structure of needle-shaped maghemite(${\gamma}$-{{{{ { {Fe }_{2 }O }_{3 } }}) has been studied by the Rieveld analysis of powder X-ray diffraction patterns. The tetragonal space group P41,.3212 and cubic space group P41,.32 have been have been used for the refinement of X-ray diffraction patterns. The crystal system of maghemite is closed to tetragonal more than cubic. The tetragonal lattice parameters are a=8.3460$\AA$ and c=25.034$\AA$ The standard X-ray diffraction pattern of the tetragonal maghemite analyzed with space group P41,.3212 is proposed.

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6H-SiC 에피층 성장과 결정구조 해석 (6H-SiC epitaxial growth and crystal structure analysis)

  • Kook-Sang Park;Ky-Am Lee
    • 한국결정성장학회지
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    • 제7권2호
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    • pp.197-206
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    • 1997
  • 6H-SiC 위에 SiC 에피층이 화학 기상 증착(CVD)에 의하여 성장되었다. 성장된 SiC 에피층의 결정구조는 X-선 회절과 Raman 분광을 사용하여 조사되었으며, 이 에피층은 6H-SiC로서 성장되었음을 확인하였다. 수정된 Lely법으로 성장된 한 SiC 결정 분말의 결정구조를 확인하기 위하여 전형적인 SiC polytype들의 X-선 회절상을 계산하였으며, 측정된 X-선 회절상과 비교하여 이 SiC 결정에는 15R-SiC가 약간 혼재되어 있음을 확인하였다.

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$KD_2PO_4$의 결정구조: 중성자와 X-선 회절에 의한 연구 (Crystal Structure of $KD_2PO_4$: Neutron and X-ray Diffraction Studies)

  • 김신애;심해섭;이창희
    • 한국결정학회지
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    • 제11권3호
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    • pp.162-166
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    • 2000
  • KD₂PO₄ single crystals were grown from D₂O with reagent KH₂PO₄ and the crystal structure was determined by X-ray and neutron diffraction methods. The crystals are tetragonal at room temperature, I42d, with lattice parameters of a=7.4633(7), c=6.9785(5) Å and Z=4. Intensity data were collected on an Enraf-nonius CAD4 diffractometer with a graphite monochromated MoK/sub α/ radiation (λ=0.7107Å) and on the neutron four circle single crystal diffractometer with Ge(331) monochromated neutron beam (λ=0.997Å). The structure was refined by full-matrix least-square to final R and wR values of 0.030 and 0.072, respectively, for 204 observed reflections with I>2σ(I) by X-ray diffraction and to final R=0.041 and wR=0.096 for 144 observed relfecdtions by neutron diffraction. The O…O distance of 2.516(4)Å obtained by X-ray diffraction is the same as that of 2.515(4)Å by neutron diffraction. On the other hand, the O-D/H distance of 0.84(4)Å by X-ray diffraction is considerably shorter than 1.029(7) Åby neutron diffraction. Hydrogen and deuterium can be readily distinguished by neutrons. In this crystal 66% of H-positions were substituted by D and the rest 34% occupied by H. The phase transition temperature of DKDP obtained with deuteration levels is f193K. This value agrees fairly well with the result of DSC measurement. The nuclear density distribution by neutron diffraction provides an observation of the disordered state of D/H in KD₂PO₄ at room temperature.

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열벽적층성장에 의하여 제작된 ZnS/ZnSe 초격자의 X-선 회절분석 (X-ray diffraction analysis of ZnS/ZnSe superlattices prepared by hot wall epitaxy)

  • Yong Dae Choi;A. Ishida;Fujiyasu, H.
    • 한국결정성장학회지
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    • 제6권3호
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    • pp.377-385
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    • 1996
  • ZnS/ZnSe 초격자가 열벽적층성장에 의하여 GaAs(100) 기판 위에 성장되었으며 그 구조가 x-선 회절에 의하여 분석되었다. 변형된 초격자의 x-선 회절은 각 층의 두께, 변형, 상호확산 그리고 초격자 주기의 변동에 대한 유용한 정보를 제공한다. S와 Se의 상호확산의 길이는 $2\;{\AA}$ 이하인 것으로 추정된다.

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Synthesis, Structures and Properties of Two Metal-organic Frameworks Derived from 3-Nitro-1,2-benzenedicarboxylic Acid

  • Xu, Wen-Jia;Zhang, Ling-Yu;Tang, Jin-Niu;Wang, Dai-Yin;Pan, Gang-Hong;Feng, Yu
    • Bulletin of the Korean Chemical Society
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    • 제34권8호
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    • pp.2375-2380
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    • 2013
  • Two metal-organic frameworks based on the connectivity co-effect between rigid benzenedicarboxylic acid and bridging ligand have been synthesized $[Zn_2(3-NO_2-bdc)_2(4,4'-bpy)_2H_2O]_n$ (1), $[Co(3-NO_2-bdc)(4,4'-bpy)H_2O]_n$ (2) (where $3-NO_2-bdcH_2$ = 3-nitro-1,2-benzenedicarboxylic acid, 4,4'-bpy = 4,4'-bipyridine). The two novel complexes were characterized by IR spectrum, elemental analysis, fluorescent properties, thermogravimetric analysis, single-crystal X-ray diffraction and powder X-ray diffraction (PXRD). X-ray structure analysis reveals that 1 and 2 are two-dimensional (2D) network structures. Complex 1 and complex 2 belong to triclinic crystal with P-1 space group. The luminescence measurements reveal that two complexes exhibit good fluorescent emissions in the solid state at room temperature. Also, thermal decomposition process and powder X-ray diffraction of complexes were investigated.

분말X선회절법에 의한 플라이 애시의 유리질 정량 (The Determination of Glass content in fly Ash by X-Ray Diffraction)

  • 이승헌;김홍주
    • 한국콘크리트학회:학술대회논문집
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    • 한국콘크리트학회 2000년도 봄 학술발표회 논문집
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    • pp.159-162
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    • 2000
  • The purpose of this study is to develope an accurate procedure for measuring the glass content of fly ash produced by bituminous coal to assist in predicting their behavior in concrete. Quantitative mineralogical compositions of fly ashes were obtained by internal standard method using powder X-ray diffraction analysis. In the X-ray diffraction method, the specimen and standard fluorite were cautiously mixed and pulverized to 22$\mu$m in wet process so as to avoid the prefered orientation of the crystal and microabsorption effect of X-ray. calibration curve were fitted for several references peaks of four phases:$\alpha$-quartz. mullite, magnetite, hematite. The amount of glass was calculated by subtracting the amount of crystal phase and loss on ignition from the total amount. Glass content determined with this method ranged from 66.7 to 75.wt%.

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RAMBE를 사용하여 Si 기판 위에 성장된 AIN 박막의 결정성 분석 (Microstructural ananalysis of AlN thin films on Si substrate grown by plasma assisted molecular beam epitaxy)

  • 홍성의;한기평;백문철;조경익;윤순길
    • 한국진공학회지
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    • 제10권1호
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    • pp.22-26
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    • 2001
  • Plasma assisted molecular beam epitaxy(PAMBE)를 사용하여 Si 기판위에 성장시킨 AlN 박막에 대하여 성장온도 및 기판의 방향성에 따른 박막의 결정성 변화를 분석하였다. Reflection high energy electron diffraction(RHEED) 패턴을 이용하여 성장 중의 결정성을 관찰하였고, 성장 후에는 X-ray diffraction(XRD), double crystal X-ray diffraction(DCXD), transmission electron microscopy/diffraction(TEM/TED)분석을 하였다. $850^{\circ}C$이상의 온도에서 Si(100)위에 성장된 AlN박막은 육방정계의 c축 방향으로 우선 배향되어 있음을 확인하였으며 Si(111)위에 성장된 AlN박막의 경우 AlN(0001)/Si(111), AlN(1100)/Si(110), AlN(1120)/Si(112)의 결정방위를 가지고 성장하였음을 확인하였다. 또한 Si(111) 기판 위에서는 전위와 적층결함 등 많은 결정결함에 의해 DCD패턴의 반치폭이 2$\theta$=$36.2^{\circ}$에서 약 3000arcsec에 이르는 등 결정성은 좋지 않았으나 AlN박막이 단결정으로 성장된 것으로 나타났다.

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Synthesis, crystal structure, and analytical characterizations of amphiphilic palladium(II) compound containing bis(benzylthio)methylenepropanedioate

  • Tae Hwan Noh
    • 분석과학
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    • 제36권4호
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    • pp.198-203
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    • 2023
  • The reaction of cis-protected (Me4en)Pd(II) species with potentially multidentate bis(benzylthio)methylenepropanedioate (L) was carried out to obtain a monometallic compound, [(Me4en)Pd(L)], in O,O'-coordination mode. The bis(benzylthio)methylene group was bent strikingly from the palladium square plane at the dihedral angle of 70.40°. The physicochemical properties of the present palladium(II) compound were fully characterized by means of infrared and nuclear magnetic resonance spectroscopy, thermogravimetric analysis, and single-crystal X-ray diffraction measurement.

사파이어 웨이퍼 연마공정에서의 표면처리효과에 대한 X-선 회절분석 (X-ray diffraction analysis on sapphire wafers with surface treatments in chemical-mechanical polishing process)

  • 김근주;고재천
    • 한국결정성장학회지
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    • 제11권5호
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    • pp.218-223
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    • 2001
  • 수평 Bridgman 방법으로 성장한 사파이어 인고트를 절단 연마한 후, 사파이어 결정기판의 표면을 우레탄 천 위에서 실리카 졸을 사용하여 폴리싱하였다. 표면의 결정성을 X-선 회절을 통하여 조사하였으며, 2중 결정회절에 의한 반치폭은 200~400 arcsec을 가지며, 결정 인고트의 절편화 또는 양면 연삭 연마에 따른 잔류응력에 의한 표면에서의 기계적인 스트레스에 의해 결정성이 손상되어진다. 화학-기계적인 폴리싱공정을 수행한 수에 표면처리로 $1,200^{\circ}C$로 4시간 열처리 및 산처리를 연속적으로 수행할 경우 결정성이 반치폭 8.3 arcsec까지 줄어들어 향상됨을 확인하였다.

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X-Ray Triple Crystal Diffraction Spectrometer의 제작과 그 응용 (X-Ray Triple Crystal Diffraction Spectrometer and Its Applications)

  • 박영한;염효영;윤형근;민석기;박용주
    • 한국결정학회지
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    • 제8권1호
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    • pp.20-25
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    • 1997
  • 고분해도의 X-선 산란을 위해 두 실험 방법이 개발됐다. 그 방법들은 (1) 2-결정 회절 스펙트로메터 (DCD)설치와 (2) 3-결정 회절 스펙트로메터 (TCD) 설치였다. Si(511)-시료(hkl)의 DCD배열로 Si(333), Si(004), GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. 또한 단일체 단색 평행기와 $K_{\alpha1}$ 선택기를 포함하는 Si(111)-Si(111)-Si(511)-sample(hkl)의 TCD배열로 Si(333), Si(004) 그리고 GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. DCD와 TCD에 의한 rocking curve의 FWHM의 차이가 논의됐다. DCD에 의한 $In_{0.037}Ga_{0.0963}As/GaAs$의 (004) 및 (115) 반사 토포그라프가 행해졌다.

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