Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.16
no.3
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pp.130-134
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2015
This research proposes the use of a composition modulated (ZrO2)x(Al2O3)1-x film as a charge trapping layer for charge trap flash memory; this is possible when the Zr (Al) atomic percent is controlled to form a variable bandgap as identified by the valence band offsets and electron energy loss spectrum measurements. Compared to memory devices with uniform compositional (ZrO2)0.1(Al2O3)0.9 or a (ZrO2)0.92(Al2O3)0.08 trapping layer, the memory device using the composition modulated (ZrO2)x(Al2O3)1-x as the charge trapping layer exhibits a larger memory window (6.0 V) at the gate sweeping voltage of ±8 V, improved data retention, and significantly faster program/erase speed. Improvements of the memory characteristics are attributed to the special energy band alignments resulting from non-uniform distribution of elemental composition. These results indicate that the composition modulated (ZrO2)x(Al2O3)1-x film is a promising candidate for future nonvolatile memory device applications.
Kim, Hyunggue;Jung, Joongeun;Lee, Jihyun;Park, Joonhyuk;Seo, Jisu;Kim, Hojoon
KIPS Transactions on Software and Data Engineering
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v.8
no.4
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pp.171-178
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2019
The use of anti-scatter grids in radiographic imaging has the advantage of preventing the image distortion caused by scattered radiation. However, it carries the side effect of leaving artifacts in the X-ray image. In this paper, we propose a grid line suppression technique using discrete cosine transform(DCT). In X-ray images, the grid lines have different characteristics depending on the shape of the object and the area of the image. To solve this problem, we adopt the DCT transform based on a dynamic segmentation, and propose a filter transfer function for each individual segment. An algorithm for detecting the band of grid lines in frequency domain and a band stop filter(BSF) with a filter transfer function of a combination of Kaiser window and Butterworth filter have been proposed. To solve the blocking effects, we present a method to determine the pixel values using multiple structured images. The validity of the proposed theory has been evaluated from the experimental results using 140 X-ray images.
In this paper, we propose an Efficient Center-Biased Hybrid Seearch (ECBHS) for motion estimation based on Center-Biased Hybrid Search(CBHS). This proposed algorithm employ hybrid of a compact plus shaped search, X shaped search, and diamond search to reduce the search point for motion vectors which distributed within 3pels radius of center of search window. ECBHS reduces the computations for motion estimation of CBHS with similar accuracy The efficiency of the proposed algorithm was verified by experimental results.
본 논문은 가상현실 어플리케이션을 제작하기 위한 가상세계 저작도구인 VRAT(Virtual Reality Authoring Tool)의 설계 및 구현에 대해 기술한다. VRAT는 3D desktop, immersive, reflexive metaphor를 지원하며 실시간 3D 센서 시스템과 폴리곤 렌더링 시스템을 기반으로 객체 지향적인 가상현실 운영시스템, 가상세계 데이터베이스, GUI를 통한 저작시스템으로 구성된다. 이들 하부 시스템은 완전히 결합되어 있어서 VRAT시스템을 사용한 응용프로그램의 수행중에 기존의 3D CAD 시스템등에서 제작한 모델을 가상세계내에 배치하고 이들에 행위양식을 부여하는 태스크를 지정하거나 입력장치인 센서를 모델이나 시점에 연결하여 조종하는 것이 가능하다. 제안된 시스템은 범용성과 이식성을 고려하여 UNIX와 X-Window 시스템을 기반으로 X11, GL, PIXRECT, VGA 그래픽 하부 시스템과 SGI, SUN, HP 등의 워크스테이션과 PC 상에서 구현되었다.
The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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v.18
no.5
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pp.730-738
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1993
This paper proposes a dynamic formatting method for processing large amounts of document in a device independent manner. And it is very useful for cross-referencing among pages in a single document and for presenting multiple pages simultaneously. The method can be applied usefully to hypertext's application such as establishing a link and a cross-reference among pages in a multiple document. We implemented an electronic publishing system of WYSIWYG type using X window system and Motif graphical user interface.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.119-119
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2008
The electrical characteristics of Metal-Ferroelectric-Nitride-Oxide-Silicon (MFNOS) structure is studied and compared to the conventional Silicon-Oixde-Nitride-Oxide-Silicon (SONOS) capacitor. The ferroelectric blocking layer is SrBiNbO (SBN with Sr/Bi ratio 1-x/2+x) with the thickness of 200 nm and is fabricated by the RF sputter. The memory windows of MFNOS and SONOS capacitors with sweep voltage from +10 V to -10 V are 6.9 V and 5.9 V, respectively. The effect of ferroelectric blocking layer and charge trapping on the memory window was discussed. The retention of MFNOS capacitor also shows the 10-years and longer retention time than that of the SONOS capacitor. The better retention properties of the MFNOS capacitor may be attributed to the charge holding effect by the polarization of ferroelectric layer.
GaAs solar cells may be the most attractive and efficient power source of a satellite. GaAs is more radiation tolerant and less temperature sensitive than widely used silicon. $Al_{x}$ Ga$_{1-x}$ As/GaAs solar cells have been designed and fabricated by Liquid Phase Epitaxial method. GaAs solar cells, of which structure is about 0.2 .mu.m p$^{+}$ - window layer, 0.6-1.O .mu.m Ge-doped p-layer. 3.mu.m n-GaAs layer and n$^{+}$ - buffer layer, have been characterized as a function of operating temperature from 25 .deg.C to 130 .deg.C. Open circuit voltage decreases linearly with increasing temperature by 1.4-1.51 mV/ .deg.C while degradation of silicon solar cells is about 2.2-2.5 mV/ .deg.C, short circuit current does not increase much with increasing temperature. Relative efficiency decreases with increasing of temperature by about 0.21-0.29 %/ .deg.C. Efficiency degradation of silicon solar cells with temperature is known to be about 0.5%/ .deg.C and our results show GaAs solar cells may be an excellent candidate for concentrated solar cells.ells.
Silicides have been used extensively in ULSI logic device fabrication as contact materials for the active areas as well as the poly- Si gates. NiSi is a promising candidate for submicron device application due to less volume expansion, low formation temperature, little silicon consumption, and large stable processing temperature window. In this report, the microstructure of nickel silicides fabricated with a thermal evaporator has been investigated. We observed systematic transformation of Ni silicides of $Ni_2$Si, NiSi, $NiSi_2$, as annealing temperature increases. All the silicides have been identified by a X-ray diffractometer (XRD). The cross-sectional microstructure of silicides was examined by a transmission electron microscope (TEM) equipped with a energy dispersive spectrometer(EDS). The surface roughness of silicides was measured by scanning probe microscope(SPM). Although we observed thin oxide layer existed at the $Ni/NiSi_{x}$ interface, we fabricated successfully $550\AA$-thick planar Ni-monosilicide at the temperature range of$ 400~700^{\circ}C$.
Merging galaxy clusters, such as PLCKG287.0+32.9, provide a window into the formation process of the large scale structure of the universe. PLCKG287.0+32.9 is an enormous merging galaxy cluster with mass estimated to be ~10^15 Msun. It hosts a pair of mega-parsec sized radio relics with projected offsets from the X-ray center of approximately 350kpc and 2.7Mpc, suggesting a NW-SE merging scenario with relics originating from two separate passes (Bonafede et al. 2014). A detected radio halo coincides with the center of x-ray emission. We present the motivation for our weak lensing study of the merging galaxy cluster PLCKG287.0+32.9 using recent Subaru optical imaging. We discuss the basics of weak-lensing and the criteria for source selection. In addition, we describe our method of PSF modeling and mass reconstruction.
Optimization of process variables, including oxygen and water partial pressure and also an nesting temperature, was performed in batch-type process to fabricate YBCO films on LaAlO3 single crystal. In this work, YBCO oxide powder was used as a starting precursor for metal-organic deposition(MOD)method. The precursor films were fabricated in batch furnace and they were converted to the epitaxial YBCO films at the same furnace with varying the process variables. The oxygen partial pressure was varied from 100ppm to 2000ppm and the water partial pressure from 1.2% to 12.2%. The window for optimal P(O2) was narrow about 700ppm for batch-type process. YBCO films in bathc-thype MOD process were optimized at 740-770oC and P(H2O) of 2.3%-7.3%.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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