최근 조선 산업의 기술이 발전함에 따라 선박의 크기 및 성능이 향상되었다. 이에 따라 한 번의 선박 간 충돌로 인한 좌초 등의 사고가 대형 해난사고를 초래할 수 있게 되었다. 이러한 심각성을 고려하여 국제 사회에서는 해사안전 향상을 위해 지속적으로 전자해도 기준을 업데이트하고 있다. 국제수로기구(IHO)에서 관리하는 기존의 전자해도 관련 표준은 S-57로, S-57 안에는 기존 이진(Binary) 형태의 전자해도 데이터를 제작하기 위한 기준이 담겨있다. 그러나 S-57은 2000년 12월 3.1 버전이 발표된 이후 업데이트가 중단되어 지속적으로 성장하고 있는 해양공간정보의 기술 경향을 반영하지 못하고 있다. IHO에서는 이러한 흐름에 대처하기 위해 차세대 전자해도 제작기준 표준인 S-100을 제정하였으며, 기존 S-57과 다른 데이터의 교환 형식을 사용하였다. 기존 전자해도의 경우에는 이진 형태로 구성되었으나 차세대 전자해도 표준을 기반으로 한 S-10X 전자해도 데이터의 경우에는 피처 카탈로그(Feature Catalogue), 포트리얼 카탈로그(Portrayal Catalogue), GML로 구성되어 있다. 이러한 점을 고려할 때 전자해도의 유효성 검증 표준인 S-58의 업데이트 또는 새로운 유효성 검증 표준의 제정이 필요하다. 본 연구에서는 이에 변화된 데이터의 유효성 검증 시험을 위해 자체 소프트웨어를 개발하였고 테스트 결과에 따른 개선점을 도출하였다.
$AlO_x$ 박막 소자를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 소자는 Electrode를 Top-bottom구조로 제작하였으며 스위칭 특성을 연구하기 위해 전극간의 $AlO_x$ 박막의 전도특성이 측정되었다. 박막소자의 저항변화는 전압을 선형적으로 인가하여 측정하였다. 제작된 소자는 MIM구조로써 외부에서 인가하는 전기적 신호에 의하여 전기전도도가 큰 On-state와 전기전도도가 낮은 Off-state로 바뀌는 특성을 나타내었다. 본 연구에 사용된 $AlO_x$ 박막은 초기 저항 상태가 저저항 On 상태였으며, 전압을 인가함에 따라 저저항 On 상태와 고저항 Off 상태의 가역적 저항 변화 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 $AlO_x$ 박막소자는 차세대 비휘발성 메모리로는 물론 다른 전기적 응용도 기대되는 물질임을 확인하게 되었다.
방사광을 이용한 전반사 형광 분석법으로 Si 웨이퍼 표면 금속 불순물의 검출능을 향상시켰다. 측정장치는 특정 단색광 에너지만을 선택할 수 있는 모노크로메팅부, 측정챔버안으로 유입되는 방사광은 차폐하고 원하는 크기의 단색광을 선택하는 슬릿부 그리고 Si 웨이퍼 표면에서 전반사에 의해 발생하는 형광 X-선을 검출하는 측정부로 구성되어 있다. 단색광의 에너지는 10.90 KeV로 선택하였고, 최적의 전반사 조건을 확립하기 위하여 소멸시간과 Fe의 형광 X-선의 강도비의 관계를 이용하였다. 기존 X-선원을 이용하여 관찰한 결과와 비교하였을 경우에, 최대 약 50배까지 검출감도를 향상 시킬 수 있었다. 특히, TRXFA(Total Reflection X-ray Fluorescence Analyzer)법으로는 검출하기 어려운 $5\times10^{10}\textrm{atomas/cm}^2$ 수준의 금속오염은 방사광을 이용한 TRSFA(Total Reflection Synchrotron Fluorescence Analyzer)법으로는 충분히 검출할 수 있고, $5\times10^{9}\textrm{atomas/cm}^2$금속 불순물가지 검출할 수 있는 방법 및 장치를 개발하였다. 이를 이용하여 차세대 Si 웨이퍼의 초극미량 금속 불순물 분석에 이용할 수 있는 방법으로 기대된다.
디지털 래디오그라피 이미징 시스템으로 환자의 병변 진단에 있어 도움을 줄 수도 있으나 인체에 입사되는 엑스선이 물질과의 상호작용으로 인해 산란선이 발생되면 엑스선 영상의 신호 및 노이즈 특성에 영향을 미치게 된다. 인체를 폴리메틸메타아크릴레이트(polymethyl methacrylate, PMMA)로 간주하고 PMMA에서 발생되는 산란선이 엑스선 영상에 미치는 특성을 관찰하기 위해 공간 영역에서 신호 및 노이즈 분석뿐만 아니라 공간주파수 영역에서 노이즈-파워 스펙트럼(noise-power spectrum, NPS) 그리고 제로주파수에서 양자검출효율(detective quantum efficiency, DQE)을 계산하였다. PMMA 두께 증가에 따라 신호는 감소, 노이즈는 증가하였으며 전반적인 공간주파수에서 노이즈-파워 스펙트럼의 저하가 확인되었다. 이러한 특성을 바탕으로 제로주파수 성능 또한 저하되는 결과를 보였다. 간접변환방식 검출기의 산란선에 의한 제로주파수 성능을 보다 정량적으로 분석하기 위해 몬테칼로 시뮬레이션과의 비교분석이 이루어져야 할 것이다.
목적 2세대 및 3세대 이중 소스 단일 에너지와 이중 소스 이중 에너지를 이용한 복부 CT의 방사선량과 영상 품질을 비교하였다. 대상과 방법 부분 또는 근치적 신절제술 후 2019년 첫 10개월(2세대 이중 소스 CT)과 2020년 첫 10개월(3세대 이중 소스 CT)에 추적관찰 복부 CT를 시행한 환자들을 대상으로 하였다. 총 320명의 환자를 성별과 체질량지수에 따라 각각 80명씩 4개 그룹으로 나누었다(A, 2세대 이중 소스 단일 에너지 CT; B, 2세대 이중 소스 이중 에너지 CT; C, 3세대 이중 소스 단일 에너지 CT 및 D, 3세대 이중 소스 이중 에너지 CT). 각 그룹 간 방사선량과 영상 품질(객관적, 주관적 품질)을 비교하였다. 결과 3세대 이중 소스 이중 에너지 CT의 평균 신체 크기 특이적 선량 추정값은 2세대 이중 소스 단일 에너지 CT (42.5%, p = 0.013)와 2세대 이중 소스 이중 에너지 CT (46.9%, p = 0.015) 보다 의미 있게 낮았다. 관찰자 간 일치는 전반적인 영상 품질(intraclass correlation coefficient [이하 ICC]: 0.8867) 및 인공물(ICC: 0.9423)에서 높은 일치도를 보였다. 결론 3세대 이중 소스 이중 에너지 CT는 2세대 이중 소스 이중 에너지 CT 및 이중 소스 단일 에너지 CT와 비교하여 높은 영상 품질을 유지하면서 방사선량을 상당히 감소시킨 결과를 보여주었다.
본 연구에서는 Titanium (Ti) source/drain 전극 접합이 차세대 비정질 InGaZnO (IGZO) 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 화학적, 구조적, 전기적 특성 분석을 통하여 관찰하고 Ti/IGZO 접합 특성을 설명할 수 있는 메커니즘을 제시하였다. IGZO 기반 박막형 트랜지스터 소자의 구동 특성은 transmission line method (TLM) 패턴 공정을 이용하여 정량적으로 분석되었다. 비정질 IGZO 기반의 박막형 트랜지스터에서 Ti source/drain 전극 접합에 의한 구동 특성 변화 및 영향을 확인하기 위하여 금속/산화물 계면 반응성이 낮은 silver (Ag) source/drain 전극이 reference로 비교되었으며, 그 결과 Ti source/drain 전극 접합이 적용된 비정질 IGZO 트랜지스터의 경우 Ti 금속과 IGZO 산화물 계면에 형성되는 열역학적으로 안정한 $TiO_x$ 층의 형성에 의해 VT ($-{\Delta}0.52V$) shift 및 saturation mobility ($8.48cm^2$/Vs) 상승됨을 확인하였다. 뿐만 아니라 TLM 패턴을 이용한 IGZO 트랜지스터의 전기적 변수 도출 및 수치적 해석으로부터 $TiO_x$ 계면층 형성이 Ti 금속과 비정질 InGaZnO 계면에서의 effective contact resistivity를 효과적으로 낮출 수 있음을 확인하였다. Ti source/drain 전극 접합에 의해 발생되는 $TiO_x$ 계면층의 화학적, 구조적 특성과 $TiO_x$ 계면층 생성에 의한 소자 특성 변화를 연관시켜 해석함으로써, IGZO 기반 박막형 트랜지스터에서의 Ti source/drain 전극 접합이 비정질 IGZO 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 설명하였다.
Zebra danio와 leopard danio의 부모세대(Po)간의 상반교재를 병행한 교배실험에서 5개체의 small spotted type이 출현한 1개의 실험구를 제외하고는 모두 wild type으로 나타났다. 그리고 F하(1)세대 간의 상반교배로 태어난 F하(2)세대는 wild type과 spotted type의 비율이 모두 3 : 1로 나타났다. F하(1)세대와 Po세대와의 상반교배를 병행한 역교배실험에서는 부모세대를 zebra danio로 사용한 경우, wild type과 spotted type이 178 : 1, 2.7 : 1, 3.9 : 1로 출현하는 실험구를 제외하고는 모두 wild type으로 나타났고, spotted type을 사용한 역교배 및 검정교배실험에서 40개체의 small spotted type으로 출현하는 실험구를 제외하고는 모두 1 : 1의 비율을 나타내었다. Z x F(LZ) 교재실험구 중 두 개의 반복구(각각 2.7 : 1, 3.9 : 1 )에서 wild type과 spotted type의 비율이 3 : 1로 나타났으나, F하(1)세대간의 교배실험과 검정교배실험 결과, zebra danio 암컷이 이형접합자(Pp)였다고 추정되었다. Spotted type과 small spotted type으로 나타나는 예외적인 결과에 대해 아직까지 확실히 규명되지 않았지만, 모든 결과를 종합해 볼 때 반문을 조절하는 유전자의 인자형은 zebra danio가 동형 우성 (PP)이고, leopard danio가 동형 열성(pp)이며, 유전자는 상염색체 상에 존재한다는 것을 알 수 있었다. 수정 후부터 15일째까지의 생존율 비교 실험에서 $Z{\times}Z$ (83.8${\pm}$6.7%)와 $L{\times}L$(80.6${\pm}$4.8%)는 생존율에 있어서 그 차이가 통계적으로 유의하지 않았으며, 이들과 다른 교배군인 $Z{\times}L$(73.2${\pm}$2.0%) 이나 $L{\times}Z$(70.6${\pm}$4.2%) 와는 유의차를 보였다. 따라서 D. frankei로 알려졌던 leopard danio는 zebrafish의 aquarium morph인 반문 돌연변이체이지만 leopard danio 사이에 교배가 이루어질 경우에는 유전적으로 안정되어 있음을 알 수 있는 반면에, wild type zebrafish와는 다소의 유전적인 부조화가 존재한다고 추정된다.
본 논문에서는 전세계적으로 차세대 에너지절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN 소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 고출력용 GaN RF 전력증폭 소자의 전력밀도는 기존 Si-기반 LDMOS 트랜지스터보다 10배 이상 높아 제품의 소형화와 경량화를 통하여 30% 이상의 전력절감이 가능하며, 레이더, 위성등 송수신 트랜시버 모듈에 GaN 전력증폭기를 이용할 경우 기존 GaAs-기반 전력증폭기에 비하여 높은 전력밀도(>x8)와 높은 효율(>20%)로 인하여 모듈 크기를 50% 이상 줄임과 동시에 경량화를 이룰 수 있어 비행기, 위성등 탑재체의 에너지 절감에 크게 기여할 수 있다. 고전력용 GaN 전력 스위칭 소자는 기존 Si-기반 IGBT에 비하여 스위칭 손실과 온-저항 손실이 낮아 30% 이상의 에너지 절감이 가능하다. 뿐만 아니라, 일본 도요타 자동차사의 보고에 의하면 HEV등 전기자동차의 DC-DC 부스터 컨버터나 DC-AC 인버터에 GaN 전력반도체를 적용할 경우 경량화, 변환효율 향상, 전용 냉각시스템을 제거할 수 있어 연료소모를 10% 이상 줄일 수 있어 연간 400불 이상의 에너지 절감 효과를 가진다. 이러한 에너지절감 효과는 미국, 유럽, 일본등 선진국을 중심으로 차세대 GaN 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 치열한 경쟁 구도의 구동력이 될 것이며, 본 논문을 통하여 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.
음성급의 무선 통신서비스에 있어 기지국과 단말기간의 다중경로에 의해 발생하는 레이라이 페이딩 현상은 통신품질의 열화(호의 끊어짐, error 발생 등)를 가져오게 된다. 초고속 무선 멀티미디어 서비스(1x EV-DO, W-CDMA 서비스)의 경우, 현재 2세대 이동통신 서비스(64kbps)보다 약 40배 정도 빠른 속도의 서비스를 제공하게 되므로, 이 경우에는 음성급에 비해 레이라이 페이딩 철상에 의한 통신 품질의 열화 문제가 더욱 심화될 것이 예상된다. 실제로 1x EV-DO의 경우 현장 시험결과 복조 방법에 따라 페이딩에 의한 영향을 많이 받는 것으로 나타났다. 이러한 기지국과 단말기간의 다중경로에 의한 레이라이 페이딩 문제를 해결하기 위해서는 이동통신 중계기에 송신 다이버스티 기능이 구현되어야 한다. 본 논문은 RF 중계기에 송신 다이버스티를 구현하여 1x EV-DO망에서 현장시험을 한 결과에 관한 것이다. 시험결과 다이버스티가 없는 경우 보다 최대 데이터 rate가 약 2배정도 증가되는 것을 확인할 수 있었다.
본 연구는 차세대 분산형 고속전철 시제차량(HEMU-430X)의 후미진동저감에 관한것이다. VAMPIRE 해석을 통한 주행거동 관찰에서 HEMU-430X는 전두부 유선형 형상유지를 위하여 설치된 한방향 요댐퍼 때문에 후미차량에서 횡방향 진동이 예상되었으며, 430km/h에서 기준치를 초과하는 경우가 있었다. 이 후미진동을 감소시키기 위하여 차륜답면 형상변경, 횡댐퍼 댐핑계수조정, 요댐퍼 계수조정 등 다양한 방법을 시도하였으나 후미진동이 없어지지 않았다. 최종적으로 요댐퍼를 양방향으로 바꾸었을 때 횡방향 진동이 사라졌다. 실제 시운전에서는 150km/h로 주행하였을 때 횡방향 후미진동이 나타났으며, 요댐퍼를 양방향으로 바꾸어 300km/h 주행 시에도 후미진동이 나타나지 않았다. 추후 430km/h까지 최고속도시험을 수행할 예정인데 높은 속도에서 후미진동이 다시 발생한다면 본 연구에서 제시한 차륜답면 형상변화, 횡댐퍼 계수 조정 등의 방법을 이용해서 진동을 저감시킬 수 있을 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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