The PBL (Poly-butadiene Latex) production process is a typical batch process. Changes of the reactor characteristics due to the accumulated scaling with the increase of batch cycles require adaptive tuning of the PID controller being used. In this work we propose a tuning method for PID controllers based on the closed-loop identification and the genetic algorithm (GA) and apply it to control the PBL process. An approximated process transfer function for the PBL reactor is obtained from the closed-loop data using a suitable closed-loop identification method. Tuning is performed by GA optimization in which the objective function is given by ITAE for the setpoint change. The proposed tuning method showed good control performance in actual operations.
This paper proposes a design method of PID controllers in the framework of a constrained optimization problem. Owing to the popularity for the controller's simplicity and robustness, a great deal of literature concerning PID control design has been published, which can be classified into frequency-based and time-based approaches. However, both approaches have to be considered together for a designed PID control to work well with a guaranteed closed-loop stability. For this purpose, a penalty function is formulated to satisfy both frequency- and time-domain specifications, and is minimized by a recet nonlinear optimization algorithm to attain optimal PID control gains. The proposed method is compared with Wang's and Ho's methods on a suite of example systems. Simulation results show that the PID control tuned by the proposed method improves time-domain performance without deteriorating closed-loop stability.
증기발생기의 수위제어시스템에 대해 특히 저출력시 수위제어의 문제점을 분석고찰하고 퍼지제어기 법을 기반으로 한 안정되고도 신속한 수위제어에 관한 연구가 주로 수행되었다. 문제해결의 한 방안으로서, 중요 제어변수임에도 불구하고 저출력운전시 저유량구간의 추정불량으로 인해 사용할 수 없는 유량신호를 대신하여 밸브개도를 이용한 대체정보를 채용하였으며 또한 소속함수크기의 유동적인 조정방법을 이용하여 수위오차가 크게 발생한 과도상태시에는 신속한 수위회복이 이루어지도록 하였다. 실제운전환경에서 제시된 제어기를 튜닝 하기 위한 방법으로서 제어성능지수 및 decent method를 이용한 소속함수의 self-tuning 기법을 제시하였다. 원자력 연구소의 연수원에 설치된 교육훈련용 시뮬레이터에서 수행된 실험결과는 제시된 제어기 및 튜닝방법의 안정되고 우수한 성능구현 및 실질적 인 유용성을 보여주고 있다.
Graphene films have a strong potential to replace indium tin oxide anodes in organic light-emitting diodes (OLEDs), to date. However, the luminous efficiency of OLEDs with graphene anodes has been limited by a lack of efficient methods to improve the low work function and reduce the sheet resistance of graphene films to the levels required for electrodes. Here, we fabricate flexible OLEDs by modifying the graphene anode to have a high work function and low sheet resistance, and thus achieve extremely high luminous power efficiencies (37.2 lm/W in fluorescent OLEDs, 102.7 lm/W in phosphorescent OLEDs), which are significantly higher than those of optimized devices with an indium tin oxide anode (24.1 lm/W in fluorescent OLEDs, 85.6 lm/W in phosphorescent OLEDs). We also fabricate flexible white OLED lighting devices using the graphene anode. These results demonstrate the great potential of graphene anodes for use in a wide variety of high-performance flexible organic optoelectronics.
Mousakazemi, Seyed Mohammad Hossein;Ayoobian, Navid;Ansarifar, Gholam Reza
Nuclear Engineering and Technology
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제50권6호
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pp.877-885
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2018
Various controllers such as proportional-integral-derivative (PID) controllers have been designed and optimized for load-following issues in nuclear reactors. To achieve high performance, gain tuning is of great importance in PID controllers. In this work, gains of a PID controller are optimized for power-level control of a typical pressurized water reactor using particle swarm optimization (PSO) algorithm. The point kinetic is used as a reactor power model. In PSO, the objective (cost) function defined by decision variables including overshoot, settling time, and stabilization time (stability condition) must be minimized (optimized). Stability condition is guaranteed by Lyapunov synthesis. The simulation results demonstrated good stability and high performance of the closed-loop PSO-PID controller to response power demand.
This study proposes a method for improvement of PD type fuzzy controller. The method includes self tuner using gradient algorithm that is one of the optimization algorithms. The proposed controller improves simple Takagi-Sugeno type FLC (Fuzzy Logic Control) system. The simple Takagi-Sugeno type FLC system changes nonlinear characteristic to linear parameters of consequent membership function. The simple FLC system could control the system by calibrating parameter of consequent membership function that changes the system response. While the determination on parameter of the simple FLC system works well only partially, the proposed method is needed to determine parameters that work for overall response. The simple FLC system doesn't predict the response characteristics. While the simple FLC system works just like proportional part of PID, our system includes derivative part to predict the next response. The proposed controller is constructed with P part and D part FLC system that characteristic parameter on system response is changed by self tuner for effective response. Since the proposed controller doesn't include integral part, it can't eliminate steady state error. So we include a gain to eliminate the steady state error.
International Journal of Computer Science & Network Security
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제21권8호
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pp.212-218
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2021
The Proportional Integral Derivative (PID) controller is the most popular industrial controller and more than 90% process industries use this controller. During the past 50 years, numerous good tuning methods have been proposed for Single Input Single Output Systems. However, design of PI/PID controllers for multivariable processes is a challenge for the researchers. A comparative study of three PID controllers design methods has been carried-out. These methods include the DS (Direct Synthesis) method, IMC (Internal model Control) method and ETF (Effective Transfer Function) method. MIMO PID controllers are designed for a number of 2×2, 3×3 and 4×4 process models with multiple delays. The performance of the three methods has been evaluated through simulation studies in Matlab/Simulink environment. After extensive simulation studies, it is found that the Effective Transfer Function (ETF) Method produces better output responses among two methods. In this work, only decentralized methods of PID controllers have been studied and investigated.
International Journal of Computer Science & Network Security
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제21권9호
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pp.11-18
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2021
The Proportional Integral Derivative (PID) controller is the most popular industrial controller and more than 90% process industries use this controller. During the past 50 years, numerous good tuning methods have been proposed for Single Input Single Output Systems. However, design of PI/PID controllers for multivariable processes is a challenge for the researchers. A comparative study of three PID controllers design methods has been carried-out. These methods include the DS (Direct Synthesis) method, IMC (Internal model Control) method and ETF (Effective Transfer Function) method. MIMO PID controllers are designed for a number of 2×2, 3×3 and 4×4 process models with multiple delays. The performance of the three methods has been evaluated through simulation studies in Matlab/Simulink environment. After extensive simulation studies, it is found that the Effective Transfer Function (ETF) Method produces better output responses among two methods. In this work, only decentralized methods of PID controllers have been studied and investigated.
Typical electrodes (metal or indium tin oxide (ITO)), which were used in conventional organic light emitting devices (OLEDs) structure, have transparency and conductivity, but, it is not suitable as the electrode of the flexible OLEDs (f-OLEDs) due to its brittle property. Although Graphene is the most well-known alternative material for conventional electrode because of present electrode properties as well as flexibility, its carrier injection barrier is comparatively high to use as electrode. In this work, we performed plasma treatment on the graphene surface and alkali metal doping in the organic materials to study for its possibility as anode and cathode, respectively. By using Ultraviolet Photoemission Spectroscopy (UPS), we investigated the interfaces of modified graphene. The plasma treatment is generated by various gas types such as O2 and Ar, to increase the work function of the graphene film. Also, for co-deposition of organic film to do alkali metal doping, we used three different organic materials which are BMPYPB (1,3-Bis(3,5-di-pyrid-3-yl-phenyl)benzene), TMPYPB (1,3,5-Tri[(3-pyridyl)-phen-3-yl]benzene), and 3TPYMB (Tris(2,4,6-trimethyl-3-(pyridin-3-yl)phenyl)borane)). They are well known for ETL materials in OLEDs. From these results, we found that graphene work function can be tuned to overcome the weakness of graphene induced carrier injection barrier, when the interface was treated with plasma (alkali metal) through the value of hole (electron) injection barrier is reduced about 1 eV.
As the minimum feature size of semiconductor devices scales down to nano-scale regime, ultra shallow junction is highly necessary to suppress short channel effect. At the same time, Ni-silicide has attracted a lot of attention because silicide can improve device performance by reducing the parasitic resistance of source/drain region. Recently, further improvement of device performance by reducing silicide to source/drain region or tuning the work function of silicide closer to the band edge has been studied extensively. Rare earth elements, such as Er and Yb, and Pd or Pt elements are interesting for n-type and p-type devices, respectively, because work function of those materials is closer to the conduction and valance band, respectively. In this paper, we increased the work function between Ni-silicide and source/drain by using Pd stacked structure (Pd/Ni/TiN) for high performance PMOSFET. We demonstrated that it is possible to control the barrier height of Ni-silicide by adjusting the thickness of Pd layer. Therefore, the Ni-silicide using the Pd stacked structure could be applied for high performance PMOSFET.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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