High-efficiency white organic light-emitting diodes (WOLEDs) were fabricated with two emissive layers and a spacer was sandwiched between two phosphorescent dyes which were, bis(3,5-Difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl-(2-carboxypyridyl) iridium III (FIrpic) as the blue emission and bis(5-acetyl-2-phenylpyridinato-N,C2') acetylacetonate $((acppy)_2Ir(acac))$ as the red emission. This spacer effectively prevented a triple-triple energy transfer between the two phosphorescent emissive layers with blue and red emission that was showed a improved lifetime. The white device showed Commission Internationale De L'Eclairage $(CIE_{x,y})$ coordinates of (0.33, 0.42) at $22400\;cd/m^2$, a maximum luminance of $27300\;cd/m^2\;at\;0.388\;mA/cm^2$, and a maximum luminous efficiency of 26.9 cd/A.
국내 시판용 전통 목탄의 과학적인 성질 규명과 주요 기능성 분석과 이용 방안에 대한 분석을 실시하였다. 국내에서 구입 가능한 시판용 목탄의 범위 내에서 해부학적 특성, 원소 조성, 무기성분 조성, 발열량, 음이온 및 원적외선 방사량, 조습성 등의 분석을 통하여 기능성 재료로 이용 가능성에 대하여 판단하고자 하였다. 원소조성, 무기물 조성, 음이온 및 원적외선 방사량은 목탄 제조 방법과 제조회사에 따라서 큰 변이를 보였다. 특히 조습성은 흑탄의 경우 백탄이나 기계숯 보다 열등한 성능을 나타내었다. 전통숯을 기능성 재료로 사용하기 위해서는 해부학적 특성, 원소 조성, 무기물 조성, 발열량, 음이온 및 원적외선 방사량, 조습성을 분석하여 선택적 이용이 필요 할 것으로 생각한다. 또한 차후 원하는 기능에 맞는 목탄 제조 방법 기술의 개발이 필요할 것으로 생각한다.
We have synthesized a $Eu^{2+}-activated\;Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ yellow phosphor and prepared white LEDs by combining these phosphors with a InGaN UV LED chip. Three distinct emission bands from the InGaN-based LED and the two phosphors are clearly observed at 405 nm, 460 nm and at around 560 nm, respectively. The 405 nm emission band is due to a radiative recombination from a InGaN active layer. This blue emission was used as an optical transition of the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor. The 460 nm and 560 nm emission band is ascribed to a radiative recombination of $Eu^{2+}$ impurity ions in the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ and $(Sr,Ba)_2SiO_4$ host matrix. As a consequence of a preparation of UV White LED lamp using the $Sr_3MgSi_2O_8:Eu$ blue phosphor and $(Sr,Ba)_2SiO_4:Eu$ yellow phosphor, the highest luminescence efficiency was obtained at the ration of epoxy/two phosphor (1/0.2361). At this time, the CIE chromaticity was CIE x = 0.3140, CIE y = 0.3201 and CCT (6500 K).
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.50-51
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2009
Nitride Phosphors have recently been considered as a novel class of luminescent materials for white LEDs due to their promising luminescent properties. It is of great importance to tailor the emission color in order to meet the requirements for practical applications. The paper presents the results of tuning the emission colors of sialon phosphors through compositional tailoring.
We fabricated white light-emitting diode which have a mixed single emitting layer containing poly(N-vinylcarbazole), trois(8-hydroxyquinoline)aluminum and poly(3-hexylthiophene) and investigated the emission properties of it. It is possible to obtain a blue light from poly(N-vinylcarbazole). green light from tris(8-hydroxyquinoline)aluminum and red light from poly(3-hexylthiophene). The fabricated device emits white light with slight orange light. We think that the energy transfer in a mixed layer occurred from PVK to Alq₃ and P3HT resulted in decreasing the blue light intensity from PVK. We find that the efficiency of the white light electroluminescent device can be improved by injecting electron more effectively and blue light need to improve the color purity of white light.
원적외선은 자연계의 태양에너지의 한 부분으로 가시광선의 적색영역보다 파장이 월등히 길어서 열작용이 크며, 생체 내 침투력이 강한 파장으로 알려져 있다. 본 연구에서는 육계를 사육하는 과정에서 일정량의 원적외선을 조사하는 방법으로 육계의 건강 증진은 물론, 사육환경의 개선 효과의 가능성을 검정하고자 하였다. 세미브로(Ross ♂ ${\times}$ Hyline ♀) 암수 무감별추 200수를 공시하여 흰색조명, White구(5,000~5,700 K), 흰색조명+원적외선 조사(White+FIR구), 녹색조명, Green구(525~570 nm) 녹색조명+원적외선(Green+FIR구)의 4처리, 처리당 2반복으로 실험을 실시하였다. 전 사육기간 중 증체량과 사료효율은 녹색조명 환경이 백색조명 환경보다 높게 나타나는 경향이 인정되었다. 이러한 증가는 두 조명 모두 원적외선 조사에 의해서 더 증가되는 경향이 인정되었다. 사육장 바닥 깔짚 내 ammonia 및 저급탄화수소의 발생량은 조명의 색깔에 따른 차이는 인정되지 않았지만, 두 조명 모두 원적외선 조사에 의해서 ammonia 및 저급탄화수소의 발생량이 감소하는 경향이 인정되었다. 혈장 내 AST의 농도는 녹색조명 처리구가 백색조명 처리구보다 낮게 나타났으며, 이러한 경향은 두 조명 모두 원적외선의 조사에 의해서 더 감소되어서 백색조명 처리구보다 녹색조명에 원적외선을 조사한 처리구에서 유의하게 낮게 나타났다(P<0.05). 혈액 중 albumin 및 각종 면역 글로블린(LgA, lgG 및 lgM)의 농도는 조명의 차이에 따른 변화는 인정되지 않았지만, 흰색조명, 녹색조명 모두 원적외선 조사에 따라서 증가하는 경향이 나타났다. 결론적으로 육계 사육과정에 원적외선의 조사는 사육환경 개선 및 생리활성물질의 증가에 영향을 미쳐서 생산성을 증가시킬 가능성이 있다고 생각되어진다.
We have synthesized a $Eu^{2{\cdot}}$ -activated $Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $Ba^{2{\cdot}}$ co-doped $Sr_2SiO_4$ yellow phosphor investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a GaN blue LED chip. Three distinct emission bands from the GaN-based LED and the ($Sr_3MgSi_2O_8$:Eu + $Ba^{2{\cdot}}$ co-doped $Sr_2SiO_4$:Eu) phosphor are clearly observed at 405nm, 455 nm and at around 540 nm, respectively. These three emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results show that GaN (405 nm chip)-based ($Sr_3MgSi_2O_8$:Eu + $Ba^{2{\cdot}}$ co-doped $Sr_2SiO_4$:Eu) exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.
한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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pp.1338-1342
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2005
We have synthesized an $Eu^{2+}$-activated $Sr_3MgSi_2O_8$ blue phosphor and $Ba_2SiO_4$ green phosphor and $Ba^{2+}$ co-doped $Sr_3SiO_5$ red phosphor investigated an attempt to develop white LEDs by combining it with a GaN blue LED $chip(\lambda_{em}=405 nm)$. Three distinct emission bands from the GaN-based LED and the $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu)$ phosphor are clearly observed at 460nm, 520 nm and at around 600 nm, respectively. These three emission bands combine to give a spectrum that appears white to the naked eye. Our results show that GaN (405 nm chip)-based $(Sr_3MgSi_2O_8:Eu\; +\; Ba_2SiO_4:Eu\; +\; Ba^{2+}\; co-doped\; Sr_3SiO_5:Eu) exhibits a better luminous efficiency than that of the industrially available product InGaN (460 nm chip)-based YAG:Ce.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.940-943
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2003
We report the fabrication and the characterization of white organic light-emitting devices consisting of a red-emitting layer of a new DCM derivative doped into 4,4'bis[N-(1-napthyl)-N-phenyl-amino]-biphenyl (${\alpha}-NPD$) and a blue-emitting layer of 1,4-bis(2,2-diphenyl vinyl)benzene (DPVBi). The device structure is ITO/PEDOT:PSS/${\alpha}-NPD$ (50 nm)/${\alpha}-NPD$:DCM (5 nm, 0.2 %)/DPVBi (x)/Alq3 (40 nm)/LiF (0.5 nm)/Al. The electroluminescence (EL) spectra consist of two broad peaks around 470 nm and 580 nm with the spectral emission depending on the thickness of DPVBi. The device with the DPVBi thickness of about 20 nm show a white light-emission with the Commission Internationale d'Eclairage(CIE) chromaticity coordinates of (0.33, 0.36). The external quantum efficiency is 2.6% and luminous efficiency is 2.0 lm/W at a luminance of 100 $cd/m^{2}$. The maximum luminance is about 30,270 $cd/m^{2}$ at 13.9 V.
Murano, Sven;Vehse, Martin;He, Gufeng;Birnstock, Jan;Hofmann, Michael
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.239-244
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2007
Highly efficient and stable white PIN OLED structures have been developed with a focus on possible AM display applications. Due to the use of the novel air-stable Novaled n-dopant material NDN26, the mass production compatibility of the PIN approach is improved. With both a conventional n-dopant, NDN1, and a novel air-stable n-dopant, NDN26, similar performance in efficiency and lifetime are reached. Based on highly a stable red fluorescent emitter system, the Novaled PIN approach allows for reaching ultra-long lifetimes of 1,000,000 hours at a brightness of $1,000\;cd/m^2$, both for top and for bottom emission layouts. Furthermore, inverted PIN structures for a possible use in a-Si backplane applications for AM displays are shown. With a phosphorescent green emitter system it could be demonstrated that for bottom and inverted as well as non-inverted top emission, a brightness of $1,000\;cd/m^2$ can be reached at below 3 V. In addition to low operating voltages and long lifetimes, PIN OLEDs also enable for device structures with extremely low operating voltage drifts, a feature of increasing importance for future AM display developments.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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