• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.360-360
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• 2010

Very initial stage of oxidation process of Si (001) surface was investigated using large scale molecular dynamics simulation. Reactive force field potential was used for the simulation owing to its ability to handle charge variation associated with the oxidation reaction. To know the detail mechanism of both adsorption and desorption of water molecule (for simulating wet oxidation), oxygen molecule (for dry oxidation) and their atom constituents, interaction of one molecule with Si surface was carefully observed. The simulation is then continued with many water and oxygen molecules to understand the kinetics of oxide growth. The results show that possibilities of desorption and adsorption depend strongly on initial atomic configuration as well as temperature. We observed a tendency that H atoms come relatively into deeper surface or otherwise quickly desorbed away from the silicon surface. On the other hand, most oxygen atoms are bonded with first layer of silicon surface. We also noticed that charge transfer is only occur in nearest neighbor regime which has been pointed out by DFT calculation. Atomic structure of the interface between the oxide and Si substrate was characterized in atomic scale.

• 한국지반공학회논문집
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• 제32권5호
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• pp.49-55
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• 2016

본 연구는 도심지의 도로 환경을 고려하여, 기능성 포장 재료 중 하나인 이산화티타늄($TiO_2$)을 포함한 시멘트 모르타르의 실질적인 일산화질소(NO) 제거 성능을 평가하고자 하였다. 실험은 크게 두 가지로, 유입되는 기체의 습도에 따른 NO 제거율 변화 실험과 시편의 포화도에 따른 NO 제거율 변화 실험으로 구성되었다. 습도 변화 실험에서는 건조 상태의 시편을 대상으로 유입 기체의 습도를 변화시키며 NO 제거율을 관찰하였다. 습도-NO 제거율 곡선은 로그 정규 분포 형상으로, 특정 습도에서 최대 NO 제거율이 나타났다. 포화도 변화 실험은 강우 및 생활 하수로 인하여 불포화 상태인 도로를 반영하고자 습윤 상태인 시편을 대상으로 하였다. 습윤 상태의 시편은 건조 상태보다 낮은 NO 제거 성능을 보였으며 증발이 진행되면서 $TiO_2$가 노출되어 NO 제거 성능이 증가하였다. 그리고 시편의 특정 깊이 아래에 존재하는 $TiO_2$는 NO 제거 성능에 크게 기여하지 않는 것으로 나타났다.

• 한국진공학회지
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• 제8권4A호
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• pp.490-495
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• 1999

In 0.18 $\mu \textrm m$ LOGIC device, the etch rate of NMOS polysilicons is different from that of PMOS polysilicons due to the state of polysilicon to manufacture gate line. To control the etch profile, we tested the ratio of $Cl_2$/HBr gas and the total chamber pressure, and also we reduced Back He pressure to get the vertical profile. In the case of manufacturing the gate photoresist line, we used Bottom Anti-Reflective Coating (BARC) to protect refrection of light. As a result we found that $CF_4O_2$ gas is good to etch BARC, because of high selectivity and good photoresist line profile after etching BARC. in the results of the characterization of plasma damage to the antenna effect of gate oxide, NO type thin film(growing gate oxide in 0, ambient followed by an NO anneal) is better than wet type thin film(growing gate oxide in $0_2+H_2$ ambient).

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.407-410
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• 2002

Thermal oxidations of 3C-SiC thin-films grown on Si(100) by APCVD(atmospheric pressure chemical vapor deposition) were carried out. The oxidations of 3C-SiC were performed at $1100^{\circ}C$ for 1~6 hr in wet and dry $O_2$ ambient, respectively. Ellipsometry was used to determine the thickness and index of refraction of oxide films. The oxide thickness vs. the oxidation time follows the general relationship used for the thermal oxidation of Si. The surface roughness was analyzed by using AFM(atomic force microscopy). The surface roughness of oxidized 3C-SiC was rougher than before oxidation. The thermal oxide was found to be $SiO_2$ by XPS(X-ray photoelectron spectroscopy) analysis. Auger analysis showed them to be homogeneous with near stoichiometric composition.

• 청정기술
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• 제17권2호
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• pp.166-174
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• 2011

지지체의 구성비가 일산화탄소 산화반응에 미치는 영향을 조사하기 위하여 다양한 몰 비의 Al/(Al+Ce) 산화물을 공침법으로 제조하고 백금을 담지한 촉매를 함침법으로 제조하였다. 제조한 촉매의 물리 화학적 특성을 알아보고 반응 활성과 연관시키기 위하여 X-선 회절분석(XRD), 질소 흡착 탈착분석($N_2$ sorption), 수소/일산화탄소-승온환원분석($H_2$/CO-TPR)의 특성분석을 수행하였다. Pt/xAl-yCe 촉매에서 지지체의 몰 비에 따른 최적 활성을 조사한 결과, 건식 및 습식 반응조건에서 Pt/1Al-9Ce 촉매가 가장 좋은 활성을 나타냈으며, 이를 기준으로 회산형 형태의 반응 곡선을 나타냈다. 반응물에 5%의 수분이 존재 할 때, 50%의 전환율 온도가 건조 반응조건에서의 활성보다 약 $30^{\circ}C$ 저온으로 이동하였다. CO-TPR 분석에서Pt/1Al-9Ce 촉매 상의 이산화탄소 탈착피크가 가장 크게 관찰되었고, CO-TPR 결과는 반응결과와 잘 일치하였다. 이는 다른 촉매에 비해 Pt/1Al-9Ce 촉매의 표면 흡착점이 가장 많고 지지체로부터 산소공급이 용이함을 의미한다. 또한 $^{27}Al$ NMR 분석에서 오면체로 배위된 $Al^{3+}$ 점의 양과 반응 활성이 비례관계에 있음을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.407.1-407.1
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• 2016

Electrochromism is defined as a phenomenon which involves persistently repeated change of optical properties between bleached state and colored state by simultaneous injection of electrons and ions, sufficient to induce an electrochemical redox process. Due to this feature, considerable progress has been made in the synthesis of electrochromic (EC) materials, improvements of EC properties in EC devices such as light shutter, smart window and variable reflectance mirrors etc. Among the variable EC materials, solid-state inorganics in particular, metal oxide semiconducting materials such as nickel oxide (NiO) have been investigated extensively. The NiO that is an anodic EC material is of special interest because of high color contrast ratio, large dynamic range and low material cost. The high performance EC devices should present the use of standard industrial production techniques to produce films with high coloration efficiency, rapid switching speed and robust reversibility. Generally, the color contrast and the optical switching speed increase drastically if high surface area is used. The structure of porous thin film provides a specific surface area and can facilitate a very short response time of the reaction between the surface and ions. The large variety of methods has been used to prepare the porous NiO thin films such as sol-gel process, chemical bath deposition and sputtering. Few studies have been reported on NiO thin films made by using sol-gel method. However, compared with dry process, wet processes that have the questions of the durability and the vestige of bleached state color limit the thin films practical use, especially when prepared by sol-gel method. In this study, we synthesis the porous NiO thin films on the fluorine doped tin oxide (FTO) glass by using sputtering and anodizing method. Also we compared electrical and optical properties of NiO thin films prepared by sol gel. The porous structure is promised to be helpful to the properties enhancement of the EC devices.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.190-193
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• 2002

The processing technology of organic thin-film transistors (Ons) performances have improved fur the last decade. Gate insulator layer has generally used inorganic layer, such as silicon oxide which has properties of a low electrical conductivity and a high breakdown field. However, inorganic insulating layers, which are formed at high temperature, may affect other layers termed on a substrate through preceding processes. On the other hand, organic insulating layers, which are formed at low temperature, dose not affect pre-process. Known wet-processing methods for fabricating organic insulating layers include a spin coating, dipping and Langmuir-Blodgett film processes. In this paper, we propose the new dry-processing method of organic gate dielectric film in field-effect transistors. Vapor deposition polymerization (VDP) that is mainly used to the conducting polymers is introduced to form the gate dielectric. This method is appropriate to mass production in various end-user applications, for example, flat panel displays, because it has the advantages of shadow mask patterning and in-situ dry process with flexible low-cost large area displays. Also we fabricated four by four active pixels with all-organic thin-film transistors and phosphorescent organic light emitting devices.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
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• 제22권2호
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• pp.145-150
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• 2001

대뇌 피질에 삽입하여 깊이에 따라 신경 신호를 기록하기 위한 탐침형 반도체 미세전극 어레이(depth-type silicon microelectrode array, 일명 SNU probe)를 제작하였다. 붕소를 확산시켜 생성된 고농도 p-type doping된 p＋ 영역을 습식식각 정지점으로 사용하는 기존의 방법과 달리 실리콘 웨이퍼의 앞면을 건식식각하여 원하는 탐침 두께만큼의 깊이로 트렌치(trench)를 형성한 후 뒷면을 습식식각하는 방법으로 탐침 형태의 미세 구조를 만들었다. 제작된 반도체 미세전극 어레이의 탐침 두께는 30 $\mu\textrm{m}$이며 실리콘 건식식각을 위한 마스크로 6 $\mu\textrm{m}$ 두께의 LTO(low temperature oxide)를 사용하였다. 탐침의 두께는 개발된 본 공정을 이용해서 5~90 $\mu\textrm{m}$ 범위까지 쉽게 조절할 수 있었다. 탐침의 두께를 보다 쉽게 조절할 수 있게 됨에 따라 여러 신경조직에 필요한 다양한 구조의 반도체 미세전극 어레이를 개발할 수 있게 되었다. 본 공정을 이용해서 개발된 4채널 SUN probe를 사용하여 흰쥐의 제1차 체감각 피질에서 4채널 신경 신호를 동시에 기록하였으며, 전기적 특성검사에서 기존의 탐침형 반도체 미세전극, 텅스텐 전극과 대등하거나 우수한 신호대 잡음비(signal to noise ratio, SNR)특성을 가짐을 확인하였다.

• 한국막학회:학술대회논문집
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• 한국막학회 1999년도 The 7th Summer Workshop of the Membrane Society of Korea
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• pp.27-30
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• 1999

Poly(phenylene oxide)s were used to prepare flat, integrally skinned self-supporthed asymmetric membranes by dry-wet phase separption. The intrinsic ideal gas selectivity of poly- (2,6-dimethy-1,4-phenylene oxide) (PMPO) was retained in the membranes, and improved by a coating with silicone rubber. Polymers of the same class were coated of UF supports with a silicon rubber gutter layer, yielding composite membranes with high flux but lower selectivity. The effect of th glutaraldehyde cross-linking of sodium alginate (SA) membranes on the mobility of water and ethanol has been studied with pfg nmr. Crosslinking reduces water self-diffusion, and does not seem to be stable on the timescale of weeks.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.126-126
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• 2003

유기트랜지스터에 관한 연구는 1980년 이후부터 시작되었으나 근래에 들어 전 세계적으로 본격적인 연구가 진행되고 있다. 제작공정이 간단하고 비용이 저렴하며 충격에 의해 깨지지 않고 구부리거나 접을 수 있는 전자 회로 기판이 미래의 산업에 필수적인 요소가 될 것으로 예상되고 있으며 이러한 요구를 충족시킬 수 있는 유기트랜지스터의 개발은 아주 중요한 연구분야로 대두되고 있다. 본 연구에서는 표면처리에 따른 contact angle, I-V 특성곡선, 표면 morphology 등의 결과로부터 dry cleaning 한 것이 wet cleaning한 것보다 왜 좋은지를 논하고자 한다. 먼저 N-type SiO$_2$ 기판을 이용하여 back면의 oxide층을 제거한 후, back gate용으로 사용하기 위하여 sputtering장치로 Au/Cr을 증차하였다. 그리고 기판에 앞면을 photolithography 공정을 이용하여 Au/Cr를 1000$\AA$ 증착 하여 source-, drain-eldctrode를 제조하였다. 그리고 SiO$_2$ 기판의 표면처리를 달리하여 그 위에 유기박막을 증착하여 특성을 비교하였다.