• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권4호
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• pp.349-354
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• 1997

This paper aims at studying the improvement of test method for t-weight sensitive fault (t-wsf) detect. The development of RAM fabrication technology results in not only the increase at device density on chips but also the decrease in line widths in VLSI. But, the chip size that was large and complex is shortened and simplified while the cost of chips remains at the present level, in many cases, even lowering. First of all, The testing patterns for RAM fault detect, which is apt to be complicated , need to be simplified. This new testing method made use of Local Lower Bound (L.L.B) which has the memory with the beginning pattern of 0(l) and the finishing pattern of 0(1). The proposed testing patterns can detect all of RAM faults which contain stuck-at faults, coupling faults. The number of operation is 6N at 1-weight sensitive fault, 9,5N at 2-weight sensitive fault, 7N at 3-weight sensitive fault, and 3N at 4-weight sensitive fault. This test techniques can reduce the number of test pattern in memory cells, saving much more time in test, This testing patterns can detect all static weight sensitive faults and pattern sensitive faults in RAM.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권10호
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• pp.1537-1545
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• 1993

본 논문에서는 RAM의 Built-In Self Test(BIST)를 수행하기 위하여 제안되었던 Column Weight Sensitive Fault(CWSF) 테스트 알고리즘과 비트라인 디코더 고장 테스터 알고리즘에 적합한 패턴발생회로와 고장위치 검출기를 설계하였다. 패턴발생 회로는 어드레스 발생부와 데이터 발생부로 구성되었다. 또한 어드레스 발생부는 실효 어드레스를 위한 행 어드레스 발생부와 순차 및 병렬 어드레스를 위한 열 어드레스 발생부로 나누어져 있다. 고장위치 검출기는 고장발생의 유, 무와 그 위치를 찾기위해 구성되었다. 설계한 회로들의 검증을 위하여 각 부분 및 전체적인 시뮬레이션을 통하여 동작을 확인하였다.