• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제22권5호
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• pp.441-442
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• 2001

• 전자공학회논문지A
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• 제29A권2호
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• pp.55-62
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• 1992

Polycrystalline silicon ingots were manufactured using the casting method for polycrystalline silicon solar cells. These ingots were cut into wafers and ten n$^{+}$p type solar cells were made through the following simple process` surface etching, n$^{+}$p junction formation, metalization and annealing. For the grain boundary passivation, the samples were oxidized in O$_2$ for 5 min. at 80$0^{\circ}C$ prior to diffusion in Ar for 100 min. at 95$0^{\circ}C$. The conversion efficiency of polycrystalline silicon solar cells made from these wafers showed about 70-80% of those of the single crystalline silicon solar cell and superior conversion efficiency, compared to those of commercial polycrystalline wafers of Wacker Chemie. The maximum conversion efficiency of our wafers was indicated about 8%(without AR coating) in spite of such a simple fabrication method.

• 접착 및 계면
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• 제12권1호
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• pp.1-10
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• 2011

자동화된 반응 열량계를 이용하여 중합비율을 관찰하면서 blockiness가 다른 PVOH를 이용하여 VAE 에멀젼을 합성하였다. 입자 분포도를 관찰 결과 단량체와 물과 비율에 따른 일정한 그라프트율은 없었다. 초기 단량체-물의 비율이 낮은 곳에서 겔 효과가 관찰되었다. 또한 입자 분포는 넓고 이중 피크가 관찰되었다. 지속적으로 제한적으로 응징집되면서 입자성장이 이루어지는 것이 관찰되었다. 이것은 제한적인 응집현상과 사슬이 PVOH로 그라프팅되어 발생한 결과로 판단된다.