CuCl2-loaded V2O5-WO3/TiO2 catalyst showed excellent activity in the catalytic oxidation of elemental mercury to oxidized mercury even under SCR condition in the presence of NH3, which is well known to significantly inhibit the oxidation activity of elemental mercury by HCl. Moreover, it was confirmed that, when SO2 was present in the reaction gas together with HCl, excellent elemental mercury oxidation activity was maintained even though CuCl2 supported on the catalyst surface was converted to CuSO4. This is thought to be because not only HCl but also the SO4 component generated on the catalyst surface promotes the oxidation of elemental mercury. However, in the presence of SO2, the total mercury balance before and after the catalytic reaction was not matched, especially as the concentration of SO2 increased. In order to understand the cause of this, further studies are needed to investigate the effect of SO2 in the SnCl2 aqueous solution employed for mercury species analysis and the effect of sulfate ions generated on elemental mercury oxidation. It was confirmed that SO2 also promotes NOx removal activity, which is thought to be because the increase in acid sites by SO4 generated on the catalyst surface by SO2 facilitates NH3 adsorption. The composition change and structure of the components present on the catalyst surface under various reaction conditions were measured by XRD and XRF. These measurement results were presented as a rational explanation for the results that SO2 enhances the oxidation activity of elemental mercury and the NOx removal activity in this catalyst system.
In this paper, we studied the effects of the electron reflection on shadow mask on which the electron reflecting materials with $WO_3-ZnS:Cu.Al-PbO-SiO_2$ system were screen-printed and we evaluated the variation of the electron beam mislanding in CRT. As a result, the green emitted spectra on the electron reflecting layer are observed due to the transformation of the electron energy, when the electron impacted on shadow mask. The beam mislanding is reduced about 40% in comperision with that of CRT made by the conventional method.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1996.05a
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pp.295-298
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1996
In this study, we have fabricated all solid state electrochromic devices using WO$_3$ film as the working electrode, V$_2$O$\_$5/ film as the counter electrode and PEO-LiClO$_4$-PC film as the solid electrolyte. The WO$_3$ thin films for working electrode and V$_2$O$\_$5/ thin films for counter electrode were deposited onto ITO glass by vacuum evaporation and were shown good electrochromic and state properties after 1x10$\^$5/ cycles. PEO-LiClO$_4$-PC polymer electrolyte can easily be formed into thin films, do not absorb in the visible region of the light. Therefore, such electrolyte have electrochromic properties suitable for large-scale all solid-state electrochromic devices. All solid-staeelectrochromic devices fabricated in this polymer electrolyte have optical modulation of 20%∼30% at 1.5 V.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.27
no.2
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pp.83-90
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1994
We have investigated the mechanism for the abnormal oxide growth occuring during oxidation of the crystalline tungsten silicide. TEM and XPS analysis reveal the abnormaly grown oxide layer consisting of crystalline $Wo_3$ and amorphous $SiO_2$. The presence of crystalline $Wo_3$ provides a rapid diffusion of oxygen through the oxide layer. The abnormal oxide growth is mainly due to the poor quality of initial oxide layer growth on tungsten silicide. Two species such as tungsten and silicon from decomposition fo tungsten silicide as well as silicon supplied from the underlying polysilicon are the main contributors sto abnormal oxide forma-tion. Consequently, the abnormal oxidation results in the disintegration of tungsten silicide and thinning of polysilicon as well.
The electrochromism of $WO_3$ and $V_2O_5$ thin films have been studied. The $WO_3$ thin film is found to be cathodic coloration material and the coloration efficiency of this film is close to $60 [cm^2/C]$ in the near infrared region. The $V_2O_5$ thin film exhibits cathodic coloration in tile near infrared and anodic coloration in the blue and near UV region. The cathodic coloration in the $450{\sim}1100 nm$ wavelength range is relatively weak with a maximum coloration efficiency of $6 [cm^2/C]$).
Park Gyeong Won;Choi Jong Ho;Park In Su;Nam Woo Hyeon;Seong Yeong Eun
한국전기화학회:학술대회논문집
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2003.07a
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pp.83-88
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2003
PtRu alloy and $PtRu-WO_3$ nanocomposite thin-film electrodes for methanol electrooxidation were fabricated by means of a sputtering method. The structural and electrochemical properties of well-defined PtRu alloy thin-film electrodes were characterized using X-ray diffraction, Rutherford backscattering spectroscopy. X-ray photoelectron spectroscopy, and electrochemical measurements. The alloy thin-film electrodes were classified as follows: Pt-based and Ru-based alloy structure. Based on structural and electrochemical understanding of the PtRu alloy thin-film electrodes, the well-controlled physical and (electro)chemical properties of $PtRu-WO_3$, showed superior specific current to that of a nanosized PtRu alloy catalyst, The homogeneous dispersion of alloy catalyst and well-formed nanophase structure would lead to an excellent catalytic electrode reaction for high-performance fuel cells. In addition, the enhanced catalytic activity in nanocomposite electrode was found to be closely related to proton transfer in tungsten oxide using in-situ electrochemical transmittance measurement.
Kim, Joo-Hyung;Lee, You-Jong;Jang, Yun-Sung;Kim, Doo-Hyun;Hong, Mun-Pyo
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2009.10a
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pp.354-355
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2009
In the fabrication of inverted top-emitting organic light emitting diodes (ITOLEDs), the sputtering process is needed for deposition of transparent conducting oxide (TCO) as top anode. Energetic particle bombardment, however, changes the physical properties of underlying layers. In this study, we examined plasma process effects on tungsten oxide ($WO_3$) hole injection layer (HIL). From our results, we suggest the theoretical mechanism to explain the correlation between the physical property changes caused by plasma process on $WO_3$ HIL and degradation of device performances.
Metal oxide/metal bilayer structures are explored as contacts with a low injection barrier in organic thin-film transistors (OTFTs) in an effort to realize their true potential for low-cost electronics. OTFTs with a bilayer electrode of $WO_3$ (10nm) and Al shows a saturation mobility as large as 0.97 $cm^2$/Vsec which are comparable to those of Au-based control samples (~0.90 $cm^2$/Vsec). Scaling of contact resistance with respect to the thickness of $WO_3$ layer is also discussed.
The electrochromic $WO_3$ thin films were prepared by using the electron beam deposition technique. The influences of vacuum pressure were examined in terms of the surface morphology and the electrochromic properties of films. From the results, the electrochromic behavior of electron beam deposited films strongly depends on the vacuum pressure during deposition. The film prepared under a vacuum pressure of $5{\times}10^4$ mbar was found to be rather stable when subjected to the repeated coloring and bleaching cycles in an aqueous acid electrolyte of 1M $H_2SO_4$. It was also found that the degraded film by repeated cycling in the aqueous acid solution changed the grain shape of film surface.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.2
no.1
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pp.22-25
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2004
A highly sensitive ammonia gas sensor using thick-film technology has been fabricated and examined. The sensing material of the gas sensor is FeOx-$WO_{3}-SnO_{2}$ oxide semiconductor. The sensor exhibits resistance increase upon exposure to low concentration of ammonia gas. The resistance of the sensor is decreased, on the other hand, for exposure to reducing gases such as ethyl alcohol, methane, propane and carbon monoxide. A novel method for detecting ammonia gas quite selectively utilizing a sensor array consisting of an ammonia gas sensor and a compensation element has been proposed and developed. The compensation element is a Pt-doped $WO_{3}-SnO_{2}$gas sensor which shows opposite direction of resistance change in comparison with the ammonia gas sensor upon exposure to ammonia gas. Excellent selectivity has been achieved using the sensor array having two sensing elements.
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