• 한국통신학회논문지
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• 제39C권9호
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• pp.789-800
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• 2014

본 논문에서는 선박 내 WiMedia 환경의 WSS에서 릴레이 기반 WUSB/DRD와 WLP 디바이스의 통신을 위한 연동 프로토콜을 제안한다. 이를 위해 릴레이 기반 협력 통신에 사용되는 RNT 테이블 구성과 RNS 릴레이 노드 알고리즘에 대해 알아본다. 또, WLP 네트워크를 구성하는 디바이스를 알아보고 WUSB/DRD/WLP 디바이스의 통신을 위한 연동 프로토콜을 제안한다. 제안하는 WLP 연동 프로토콜을 이용하면, 기존의 표준 DRP 예약과 WUSB 프로토콜의 DRP 예약을 이용하여 WUSB/DRD/WLP 디바이스의 통신이 가능하게 된다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.740-753
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• 2010

WLP 기반 모바일 IP의 무선 네트워크에서, 사용자의 이동에 의한 핸드오프로 발생하는 패킷 손실은 TCP 수율 성능을 심각하게 악화시킬 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, 사용자의 이동에 의하여 손실된 패킷을 복원하는 Bridge Station(BS) 패킷 버퍼링 방식이 제안됐다. BS 패킷 버퍼링 방식을 이용하면 핸드오프 동안 손실되는 패킷들이 이전 BS에서 저장되고, 핸드오프 종료시 저장된 패킷들이 새로운 BS로 포워딩되어, 복구된다. 그러나 WLP 디바이스가 새로운 WLP 서브 네트워크의 혼잡한 BS로 이동한 경우, 이전 BS가 포워딩하는 패킷들은 손실되고, 이전 BS가 포워딩하는 패킷들의 버스트한 도착 특성으로 심화된 혼잡이 BS 내 WLP 디바이스 플로들의 TCP 전송 성능을 저하시킨다. 본 논문에서는 이러한 BS 패킷 버퍼링 방식을 사용하는 WLP 기반 모바일 IP 무선 네트워크에서, AS(Assured Service) WLP 디바이스의 in-profile(IN) 및 전체 패킷 수율 감소를 막기 위해, 핸드오프 시 버퍼링된 out-of-profile(OUT) 패킷을 IN 패킷으로 Re- Marking하는 PBM(Packet Bridge Marker) 방식을 제안한다. 시뮬레이션 결과는 제안하는 PBM 방식을 사용하여 AS WLP 디바이스의 버퍼링된 OUT 패킷의 손실을 막아 핸드오프 시 IN 패킷의 수율뿐만 아니라 전체 패킷 수율도 향상시킬 수 있음을 보인다.

• 디지털융복합연구
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• 제10권6호
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• pp.99-109
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• 2012

본 연구는 한국 HRD 전문가들이 인식하는 WLP 역할과 역량의 중요도를 분석하고, 이를 2004년 ASTD 글로벌 HRD 전문가 역량 연구 결과와 비교 논의함으로써 두 연구간의 공통점과 차이점을 발견하여 시사점을 제시하고자 하였다. HRD 전문가, 일터 학습 및 성과(WLP) 역량 모델 등의 문헌을 고찰하였고, 서울 경인권 소재 HRD 전문가를 대상으로 설문을 실시하여 205명의 응답을 최종 분석에 활용하였다. 주요 연구결과는 첫째, WLP 네 가지 역할 중 한국 HRD 전문가는 비즈니스 파트너 역할을, 글로벌 HRD 전문가는 직무 전문가 역할이 중요하다고 인식하는 것으로 나타났다. 둘째, WLP 열두 가지 역량 중 한국 HRD 전문가와 글로벌 HRD 전문가 모두 효과적 커뮤니케이션 역량을 가장 중요하게 인식하는 것으로 나타났다. 본 연구의 결과를 바탕으로 얻어진 결론을 제시하면 다음과 같다. 첫째, 한국과 글로벌 HRD 전문가들의 역할 인식에는 큰 차이가 있는데 이는 한국과 글로벌의 HRD 시장 특성을 반영한 결과로 볼 수 있다. 둘째, 한국과 글로벌 HRD 전문가들이 WLP 역량 인식에 있어서는 상당한 유사성을 보이고 있다. HRD 분야의 전문가로서 활동하기 위해서는 고객 및 다양한 이해당사자들과의 효과적 커뮤니케이션 전략을 개발하고 구사하는 것은 매우 중요하다고 할 수 있다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2007년도 춘계학술발표대회 및 제12회 신소재 심포지엄
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• pp.15.1-15.1
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• 2007

• 한국통신학회논문지
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• 제40권6호
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• pp.1208-1216
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• 2015

본 논문에서는 선박 내 IT 서비스에 대한 요구에 부응하기 위해 WiMedia WLP 기반의 네트워크를 사용한다. 이동 단말이 새로운 서브네트워크의 혼잡한 기지국으로 이동한 경우, 기존의 통신 중인 이동 단말들의 무선링크이용률 성능을 향상시키기 위한 방안을 제안한다. 이전 기지국은 핸드오버 동안 저장한 패킷들을 표기하고 혼잡한 새로운 기지국에서 버퍼의 혼잡정도에 따라 버퍼링 된 패킷의 폐기 유무를 결정한다. 다양한 시뮬레이션 시나리오에서 실시한 시뮬레이션 결과로부터 제안한 핸드오버를 고려한 버퍼관리 방식은 기지국의 혼잡한 무선링크에서 링크이용률을 향상시킬 수 있음을 확인한다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2003년도 기술심포지움 논문집
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• pp.53-58
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• 2003

The Wafer Level Packaging is one of the most important technologies in the semiconductor industry today. Its primary advantages are its small form factor and low cost potential for manufacturing including test procedure. The CASIO's WLP samples, application example and the structure are shown in Fig.1, 2&3. There are dielectric layer , under bump metal, re-distribution layer, copper post , encapsulation material and terminal solder .The key technologies are 'Electroplating thick copper process' and 'Unique wafer encapsulation process'. These are very effective in getting electrical and mechanical advantages of package. (Fig. 4). CASIO and CMK are developing a new System Packaging technology called the Embedded Wafer Level Package (EWLP) together. The active components (semiconductor chip) in the WLP structure are embedded into the Printed Wiring Board during their manufacturing process. This new technical approach has many advantages that can respond to requirements for future mobile products. The unique feature of this EWLP technology is that it doesn't contain any solder interconnection inside. In addition to improved electrical performance, EWLP can enable the improvement of module reliability. (Fig.5) The CASIO's WLP Technology will become the effective solution of 'KGD problem in System Packaging'. (Fig. 6) The EWLP sample shown in Fig.7 including three chips in the WLP form has almost same structure wi_th SoC's. Also, this module technology are suitable for RF and Analog system applications. (Fig. 8)

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제25권1호
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• pp.41-45
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• 2018

기술의 발전과 전자기기의 소형화와 함께 반도체의 크기는 점점 작아지고 있다. 이와 동시에 반도체 성능의 고도화가 진행되면서 입출력 단자의 밀도는 높아져 패키징의 어려움이 발생하였다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방법으로 산업계에서는 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FO-WLP)에 주목하고 있다. 또한 FO-WLP는 다른 패키지 방식과 비교해 얇은 두께, 강한 열 저항 등의 장점을 가지고 있다. 하지만 현재 FO-WLP는 생산하는데 몇 가지 어려움이 있는데, 그 중 한가지가 웨이퍼의 휨(Warpage) 현상의 제어이다. 이러한 휨 변형은 서로 다른 재료의 열팽창계수, 탄성계수 등에 의해 발생하고, 이는 칩과 인터커넥트 간의 정렬 불량 등을 야기해 대량생산에 있어 제품의 신뢰성 문제를 발생시킨다. 이러한 휨 현상을 방지하기 위해서는 패키지 재료의 물성과 칩 사이즈 등의 설계 변수의 영향에 대해 이해하는 것이 매우 중요하다. 이번 논문에서는 패키지의 PMC 과정에서 칩의 두께와 EMC의 두께가 휨 현상에 미치는 영향을 유한요소해석을 통해 알아보았다. 그 결과 특정 칩과 EMC가 특정 비율로 구성되어 있을 때 가장 큰 휨 현상이 발생하는 것을 확인하였다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제17권1호
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• pp.20-28
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• 2017

A fully integrated dual-band CMOS power amplifier (PA) is developed for 802.11n WLAN applications using wafer-level package (WLP) technology. This paper presents a detailed design for the optimal impedance of dual-band PA (2 GHz/5 GHz PA) output transformers with low loss, which is provided by using 2:2 and 2:1 output transformers for the 2 GHz PA and the 5 GHz PA, respectively. In addition, several design issues in the dual-band PA design using WLP technology are addressed, and a design method is proposed. All considerations for the design of dual-band WLP PA are fully reflected in the design procedure. The 2 GHz WLP CMOS PA produces a saturated power of 26.3 dBm with a peak power-added efficiency (PAE) of 32.9%. The 5 GHz WLP CMOS PA produces a saturated power of 24.7 dBm with a PAE of 22.2%. The PA is tested using an 802.11n signal, which satisfies the stringent error vector magnitude (EVM) and mask requirements. It achieved an EVM of -28 dB at an output power of 19.5 dBm with a PAE of 13.1% at 2.45 GHz and an EVM of -28 dB at an output power of 18.1 dBm with a PAE of 8.9% at 5.8 GHz.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권2호
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• pp.91-95
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• 2014

This paper presents the structure and process technology of simple and low-cost wafer-level packaging (WLP) for thin film radio frequency (RF) devices. Low-cost practical micromachining processes were proposed as an alternative to high-cost processes, such as silicon deep reactive ion etching (DRIE) or electro-plating, in order to reduce the fabrication cost. Gold (Au)/Tin (Sn) alloy was utilized as the solder material for bonding and hermetic sealing. The small size fabricated WLP of $1.04{\times}1.04{\times}0.4mm^3$ had an average shear strength of 10.425 $kg/mm^2$, and the leakage rate of all chips was lower than $1.2{\times}10^{-5}$ atm.cc/sec. These results met Military Standards 883F (MIL-STD-883F). As the newly proposed WLP structure is simple, and its process technology is inexpensive, the fabricated WLP is a good candidate for thin film type RF devices.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권1호
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• pp.29-35
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• 2020

The cure characteristics of three kinds of naphthalene type epoxy resins(NET-OH, NET-MA, NET-Epoxy) with a 2-methyl imidazole(2MI) catalyst were investigated for preparing sheet epoxy molding compound(SEMC) for wafer level package(WLP) applications, comparing with diglycidyl ether of bisphenol-A(DGEBA) and 1,6-naphthalenediol diglycidyl ether(NE-16) epoxy resin. The cure kinetics of these systems were analyzed by differential scanning calorimetry with an isothermal approach, and the kinetic parameters of all systems were reported in generalized kinetic equations with diffusion effects. The NET-OH epoxy resin represented an n-th order cure mechanism as like NE-16 and DGEBA epoxy resins, however, the NET-MA and NET-Epoxy resins showed an autocatalytic cure mechanism. The NET-OH and NET-Epoxy resins showed higher cure conversion rates than DGEBA and NE-16 epoxy resins, however, the lowest cure conversion rates can be seen in the NET-MA epoxy resin. Although the NETEpoxy and NET-MA epoxy resins represented higher cure reaction conversions comparing with DGEBA and NE-16 resins, the NET-OH showed the lowest cure reaction conversions. It can be figured out by kinetic parameter analysis that the lowest cure conversion rates of the NET-MA epoxy resin are caused by lower collision frequency factor, and the lowest cure reaction conversions of the NET-OH are due to the earlier network structures formation according to lowest critical cure conversion.