This thesis focuses on the study of high-power, coupled-cavity traveling-wave tube(CCTWT) for radar applications. The CCTWT employed a reentrant double-slot staggered RF cavity structure. Computational analysis of the X-band, double-slot staggered structures is carried out through the use of HFSS code, which solves Maxwell's equations fully in three-dimensions. The non-linear, large-signal performance of CCTWTs are predicted from numerical simulations using a three-dimensional particle-in-cell code, MAGIC3D. With beam voltage set to 12.7~13kV and beam current at 300mA, the CCTWT produces a saturated radiation power of 350~430W, corresponding to an electronic efficiency of 8.9~11.2% and a gain of 23.7~24.2dB within a frequency range of 7.9~8.4GHz.
We have developed a slab-type Nd:YAG gain module based on the techniques of conduction cooling and end pumping. The Nd:YAG slab is end-capped on both ends by undoped pure YAG and is pumped through the end-caps by stacked arrays of laser diode bars. The slab's surfaces of total internal reflection are in contact on both sides with microchannel cooling blocks which are cooled by water circulation. The power oscillator based on the gain module generates more than 400 W at 1-kW pumping with a slope efficiency of 55%. The small-signal gain of the gain module is 10 in a single zig-zag pass, and the amplified beam shows a near diffraction-limited beam quality.
컨테이너 무역 규모가 매년 증가함에 따라 항만 환경이 급격히 변화하고 있다. 이러한 항만의 변화에 성공적으로 대처하기 위해 차세대 항만하역시스템인 LMTT(Linear Motor-based Transfer Technology)의 연구가 진행되고 있다. LMTT용 셔틀 카의 프레임부는 내부 빔, 내부 빔, 크로스 빔으로 구성되어 있으며, 본 연구에서는 프레임을 설계하기 위하여 크로스 빔의 개수, 하중 재하 위치 및 내부 빔의 위치에 따른 외부 빔과의 거리비 등이 프레임의 강도 및 강성에 미치는 영향을 유한요소 해석을 통하여 하중이 외부 빔과 내부 빔에 동시에 작용하고 크로스 빔이 5개일 때가 최적의 조건이라는 결론을 얻을 수 있었다.
In this study, the nematic liquid crystal (NLC) alignment effects treated on the ZnO thin film layers using ion beam irradiation were successfully studied for the first time. The ZnO thin films were deposited on indium-tin-oxide (ITO) coated glass substrates by rf-sputter and The ZnO thin films were deposited at the three kinds of rf power. The used DuoPIGatron type ion beam system, which can be advantageous in a large area with high density plasma generation. The ion beam parameters were as follows: energy of 1800 eV, exposure time of 1 min and ion beam current of $4\;mA/cm^2$ at exposure angles of $15^{\circ}$, $30^{\circ}$, $45^{\circ}$, and $60^{\circ}$. The homogeneous and homeotropic LC aligning capabilities treated on the ZnO thin film surface with ion beam exposure of $45^{\circ}$ for 1 min can be achieved. The low pretilt angle for a NLC treated on the ZnO thin film surface with ion beam irradiation for all incident angles was measured. The good LC alignment treated on the ZnO thin film with ion beam exposure at rf power of 150 W can be measure. For identifying surfaces topography of the ZnO thin films, atomic force microscopy (AFM) was introduced. After ion beam irradiation, test samples were fabricated in an anti-parallel configuration with a cell gap of $60{\mu}m$.
동시 계수 도플러 넓어짐 양전자 소멸 분광법으로 p형과 n형 실리콘 시료에 0, 4.0 MeV 에너지의 1.0, $2.0{\times}10^{13}$ protons/$cm^2$ 양성자 빔 조사에 의한 결함을 측정하여 실리콘 구조 특성에 대하여 조사하였다. 양전자와 전자의 쌍소멸로 발생하는 감마선 스펙트럼의 수리적 해석 방법인 S-변수와 W-변수를 사용하여, 시료의 구조 변화를 측정하였다. 본 연구에서 측정된 S-변수는 시료에 조사된 양성자의 빔 에너지에 따라 변하지 않고 거의 일정한 값을 보인 반면, 양성자 조사량의 변화에 따라 결함이 증가하였으며, 그 이유는 양성자 조사 에너지에 따른 Bragg 피크 때문에 에너지는 시료의 특정 깊이에 주로 결함을 형성하여 시료전체에는 결함으로 잘 나타나지 않기 때문으로 판단된다. 그리고 빔의 조사량에 따른 결함의 영향이 큰 것으로 나타났다.
본 연구의 목적은 CIGS 태양전지의 두 가지 TCO층 중 AZO를 제외한 intrinsic ZnO의 전자빔 처리 영향에 대한 특성 분석을 하고자 함이다. 또한 추후 CIGS 태양전지를 제조하여 적용 시 전자빔 처리 전후의 특성이 어떻게 변하는지를 알아보기 위한 사전 실험이다. Intrinsic ZnO는 RF magnetron sputter 를 이용하여 약 100nm의 두께로 증착 하였다. 이때 공정 압력을 변수로 RF power는 80W로 설정 하였으며 Ar 분압은 10mtorr, 5mtorr, 1mtorr로 각각 달리 하며 증착 하였다. 이후 전자빔 처리를 위해 각각의 시편에 Argon flow 7sccm 상태에서 DC power 3kW, RF power 300W의 세기로 전자빔 처리를 실시 하였다. 전자빔 처리에 따른 전기적, 구조적 특성을 분석하기위해 Hall measurement와 SEM, XRD, UV-vis spectroscopy을 사용하였다. 먼저 Hall measurement 측정을 통한 전기적 분석 결과 비저항이 무한대에서 약 $40m{\Omega}{\cdot}cm$로 감소된 결과를 도출 할 수 있었으며, $2{\sim}3.4{\times}10^{18}/cm^3$ 이상의 carrier density 가 측정 되었다. UV-vis spectroscopy를 이용한 투과도 측정결과 모든 시편에서 Band gap이 감소하는 결과를 보였다. SEM, XRD를 이용한 분석결과 결정성 및 grain의 크기가 증가하는 결과를 얻을 수 있었다.
본 논문에서는 주 증폭기가 양방향 펌핑 방식인 MOPA (master oscillator power amplifier) 협대역 고출력 광섬유 레이저를 제작하였으며, 제작된 레이저의 출력 특성을 연구하였다. 이터븀이 도핑된 코어 25 ㎛, 클래드 400 ㎛ 편광 유지 광섬유를 사용하여 주 증폭부를 제작하였으며, 신호 광원은 PRBS (pseudo-random binary sequence) 신호에 의해 위상 변조된 3 GHz, 10 GHz의 선폭을 갖는 광원을 사용하였다. 3 GHz의 선폭을 가진 신호 광원을 이용하여 순방향과 역방향 펌프 비율을 조절하며 SBS (stimulated Brillouin scattering) 특성을 분석하였다. 10 GHz의 선폭을 가진 신호 광원을 이용하여 주 증폭기의 펌핑 비율에 따른 TMI 특성을 분석하였다. 순방향 및 역방향 펌프 비율을 1.6:1로 입사시켰을 때 주 증폭기의 출력을 1 kW까지 증폭하였으며, 기울기 효율과 빔 품질(M2)은 각각 80%, 1.36으로 측정되었다.
CuCl, KDP 결정체를 이용한 지그재그형 진헹파 전기광학적 레이저 변조기에 대해 자세히 해석했다. 변조기와 크기와 대역폭은 변조용 결정체의 광학적 특성및 M/W유전특성에 의해 결정됨을 알수 있다. 더욱 광손실과 M/W손실의 영향, 입사각, 회절등의 영향을 규명했고 최적 설계법을 제시했다. 중요한 결과를 요약하면 다음과 같다. (1) CuCl, KDP로 10(GHz)이상의 대역폭에서 3(watt)이하의 변조전력으로 50%변조를 얻었다. (2) 변조주파수 한계의 상한은 레이저 빔폭에 의한 차단주파수로 인해 제한된다. A detailed analysis has been carried out of a zigzag traveling wave electro-optic laser modulator usin3 CuCl, KDP Crystal. The inclusion of such practical factors as M/W and optical loss results in an optimum design in which modulator dimensions and bandwidth limitation are uniquely determined by optical and M/W dielectic properties of modulating crystal. The main conclusion of the analysis are: (1) CuCl, KDP may be used to produce 50% modulation over bandwidth of 10(GHz) with less than (watt) of modulating power. (2) The upper modulation frequency limit is set by a cutoff frequency which arises from finite width of optical beam.
본 논문에서는 반사배열 안테나 구조를 이용한 W대역 모노펄스 추적 시스템을 제안하였다. 제안한 반사배열 안테나 모노펄스 추적 시스템은 단일 반사 방식의 4개의 급전 혼 안테나과 마이크로스트립 반사배열을 이용한 평판형 반사판으로 구성된다. 4개의 급전 혼 안테나는 10 dBi의 이득, E/H평면에서 대칭적으로 56도 반치각을 가지고 있다. 1개의 급전 혼 안테나를 사용한 반사배열 안테나는 41.8 × 41.8 mm2의 크기로, 26.8 dBi의 이득과 약 5.6도의 반치각 빔폭을 가지고 있다. 4개의 급전 혼 안테나를 사용한 반사배열 모노펄스 추적 시스템은 75 GHz에서 90 GHz까지 정합되어 있으며, 각 안테나 사이의 격리도는 10 dB 이상 확보되어 있다. 또한 전파신호의 추적범위는 5.98도를 가지고 있으며, 추적오차범위는 0.02도임을 확인하였다.
$N^+$ beam modified diffusion barriers have been proposed for Cu metallization . The crystalline phases of W and Ti thin films change from polycrytalline to amorphous phase by the N ion implantation of 1~$3\times 10^{17}$atoms/$\textrm{cm}^2$. The comparison between these amorphized diffusion barriers and the conventional W and TiN films shows that the amorphized W and Ti diffusion barriers are superior to the conventional w and TiN for protecting the Cu diffusion barriers are superior to the conventional W and TiN for protecting the Cu diffusion at the annealing temperature range $600^{\circ}C$~$800^{\circ}C$ for 30min. This is a worldwidely new and excellent result on the high temperature thermal stability of diffusion barrier.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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