• 대한수학회지
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• 제55권3호
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• pp.671-694
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• 2018

In this paper, we investigate the weighted vector-valued bounds for a class of multilinear singular integral operators, and its commutators, from $L^{p_1}(l^{q_1};\;{\mathbb{R}}^n,\;w_1){\times}{\cdots}{\times}L^{p_m}(l^{q_m};\;{\mathbb{R}}^n,\;w_m)$ to $L^p(l^q;\;{\mathbb{R}}^n,\;{\nu}_{\vec{w}})$, with $p_1,{\cdots},p_m$, $q_1,{\cdots},q_m{\in}(1,\;{\infty})$, $1/p=1/p_1+{\cdots}+1/p_m$, $1/q=1/q_1+{\cdots}+1/q_m$ and ${\vec{w}}=(w_1,{\cdots},w_m)$ a multiple $A_{\vec{P}}$ weights. Our argument also leads to the weighted weak type endpoint estimates for the commutators. As applications, we obtain some new weighted estimates for the $Calder{\acute{o}}n$ commutator.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제13권2호
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• pp.127-133
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• 2013

We examined the scaling effects of a number of gate_fingers (N) and gate_widths (w) on the high-frequency characteristics of $0.1-{\mu}m$ metamorphic high-electron-mobility transistors. Functional relationships of the extracted small-signal parameters with total gate widths ($w_t$) of different N were proposed. The cut-off frequency ($f_T$) showed an almost independent relationship with $w_t$; however, the maximum frequency of oscillation ($f_{max}$) exhibited a strong functional relationship of gate-resistance ($R_g$) influenced by both N and $w_t$. A greater $w_t$ produced a higher $f_{max}$; but, to maximize $f_{max}$ at a given $w_t$, to increase N was more efficient than to increase the single gate_width.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1999년도 추계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.76-76
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• 1999

Low resistance ohmic contacts to the Si-doped InGaN(~$\times$10$^{19}$ ㎤) were obtained using the W metallization schemes. Specific contact resistance decreased with increasing annealing temperature. The lowest resistance is obtained after a nitrogen ambient annealing at 95$0^{\circ}C$ for 90s, which results in a specific contact resistance of 2.75$\times$10$^{-8}$ Ω$\textrm{cm}^2$. Interfacial reactions and surface are analyzed using x-ray diffraction, transmission electron microscopy (TEM) and scanning electron microscopy (SEM). The X-ray diffraction results show that the reactions between the W film and the InGaN produce a $\beta$-W$_2$N phase at the interface. TEM results also show that the $\beta$-W$_2$N has a rough interface, which increase contact area. It shows that the morphology of the contacts is stable up to a temperature as high as 95$0^{\circ}C$. Possible mechanisms are proposed to describe the annealing temperature dependence of the specific contact resistance.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.172-172
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• 2011

현대 반도체 금속배선 연구에서는 기존에 쓰이던 Al (Aluminium) 금속배선 대신에 Cu(Copper) 금속배선 연구가 진행 되고 있다. Cu는 Al 보다 비저항이 낮고, 녹는점도 Al보다 높다는 장점이 있지만 저온에서 기판인 Si (Silicon) 과 반응하고 접착력이 우수하지 못 하다는 단점이 있다. 이런 문제를 해결하기 위하여 확산방지막을 기판과 금속배선 사이에 삽입하는 방법이 제시 되었다. 확산방지막으로는 기존에 쓰이던 Ti (Titanium) 계열의 확산방지막과 W (Tungsten) 계열의 확산방지막이 있다. 이번 연구에서는 W 계열의 확산방지막에 불순물 C (Carbon), N(Nitrogen)을 첨가한 W-C-N 확산방지막 시편을 제조하였고, N2의 비율을 변화시키며 $600^{\circ}C$ 열처리를 하였다. 실험 결과 질소의 포함 농도에 따라 확산방지막의 안정도가 변화한다는 결과를 얻었으며, 질소 첨가량에 따라 시편의 표면 보다는 시편의 중간층의 물성 변화율이 큰데 이는 시편 표면의 질소는 열처리 중 확산에 의한 시편과의 분리 현상이 일어나지만 시편의 중간층은 trap현상에 의하여 시편에 남아있어 질소의 영향을 받아 시편의 중간층이 더욱 질소 유량에 따른 영향이 큰 것을 확인하였다. 이 결과로부터 W-C-N 박막은 첨가된 질소의 유량에 따라 박막의 안정도가 결정된 다는 것을 알았다. 본 연구에서 시편은 rf magnetron sputtering 방법으로 제작하였고 연속압입 실험은 Hysitron사의 Triboindenter를 이용하였다. Indenting에 사용된 압입팁은 Berkovich tip을 사용하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.173-174
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• 2007

반도체 소자가 발달함에 따라서 박막은 더욱 다층화 되고 그 두께는 줄어들고 있다. 따라서 소자의 초고집적화를 위해서는 각 박막의 두께를 더욱 작게 하여야 한다. 또한 반도체 소자 제조 공정에서는 Si 기판과 금속 박막간의 확산이 커다란 문제로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 높은 확산성에 의하여 Si 기판과 접합에서 많은 확산에 의한 문제가 발생하게 되며, 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이러한 확산을 방지하기 위하여 금속 배선과 Si기판 사이에는 필연적으로 확산방지막을 삽입하게 되었다. 기존의 연구에서는 $1000\;{\AA}$의 W-B-C-N 확산방지막을 제작하여 연구하였다. 이 논문에서는 Cu의 확산을 방지하기 위한 W-B-C-N 확산방지막을 다양한 두께로 제작하여 그 특성을 확인하여 초고집적화를 위한 더욱 얇은 두께의 W-B-C-N 확산방지막에 대하여 연구하였다. W-B-C-N 확산방지막의 두께 변화에 대한 특성을 확인하기 위하여 $900^{\circ}C$까지 열처리 한 후 그 면저항을 측정하였다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권4호
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• pp.99-104
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• 2020

In this paper, efficiency and loss characteristics of GaN FET were reported by applying it into the QR flyback converter. In particular, for the comparison of efficiency characteristics, QR flyback converter experimental circuits with Si FET and with GaN FET were separately produced in 12W class. As a result of the experiment, the experimental circuit of the QR flyback converter using GaN FET reached a high efficiency of 90% or more when the load power was 2W or more, and the maximum efficiency was observed to be about 92%, and the maximum loss power was about 1.1W. Meanwhile, the efficiency of the experimental circuit with Si FET increased as the input voltage increased, and the maximum efficiency was observed to be about 82% when the load power was 9W or higher, and the maximum loss power was about 2.8W. From the results, it is estimated that that in the case of the experimental circuit applying the GaN FET switch, the power conversion efficiency was improved as the switching loss and conduction loss due to on-resistance were reduced, and the internal loss due to the synchronous rectifier was minimized. Consequently, it is concluded that the GaN FET is suitable for under 20W class power supply unit as a high efficiency power switch.

• 전자공학회논문지 IE
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• 제44권2호
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• pp.8-13
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• 2007

본 논문에서는 고효율의 유기발광소자 제작을 위해 플라즈마 조건 변화에 따른 ITO 특성을 분석하였다. $N_2$와 $O_2$ 가스로 RF 플라즈마 출력은 100 W, 200 W, 400 W로 가스압력은 12 mTorr, 120 mTorr로 변화실험을 하였다. $N_2$ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO의 일함수는 $4.88{\sim}5.07$ eV의 값을 나타내었고 $O_2$ 가스를 이용하여 플라즈마 처리한 ITO는 $4.85{\sim}4.97$ eV의 일함수를 나타내었다. $N_2$ 가스에서 가스의 압력이 120 mTorr이면서 플라스마 출력이 200 W의 조건에서 RF 플라즈마 처리한 ITO의 특성이 우수하였다. ITO 표면의 rms roughness는 AFM 이미지에서 계산하여 나타낸 수치로써 $N_2$와 $O_2$ 가스가 주입된 플라즈마로 처리된 ITO는 플라즈마 출력이 200 W일 때 각각 $25.2\;{\AA}$과 $30.5\;{\AA}$로 나타났으며 플라즈마 처리되지 않은 ITO는 $44.5\;{\AA}$이었다. ITO 박막의 투과율 측정에서는 $N_2$와 $O_2$ 가스의 압력을 변화시켜도 ITO의 투과율은 거의 변동이 없었다.

• 암석학회지
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• 제19권2호
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• pp.123-139
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• 2010

강화군 석모도 일대의 선캠브리아기 및 중생대 화강암류에서 발달하는 단열계의 특성이 조사 분석되었다. 노두에서 측정한 대부분의 단열은 경사가 거의 수직이거나 급하다. 빈도등급에 의한 단열 조의 방향성은 다음과 같다: Set $1:N2^{\circ}E/77^{\circ}SE$, Set $2:N17^{\circ}E/84^{\circ}NW$, Set $3:N26^{\circ}E/64^{\circ}SE$, Set $4:N86^{\circ}W/82^{\circ}SW$, Set $5:N80^{\circ}W/77^{\circ}NE$, Set $6:N60^{\circ}W/85^{\circ}SW$, Set $7:N73^{\circ}E/87^{\circ}NW$, Set $8:N82^{\circ}W/53^{\circ}NE$, Set $9:N23^{\circ}W/86^{\circ}SW$, Set 10: $N39^{\circ}W/61^{\circ}NE$ 단열군으로 나타났다. 특히, 단열의 주향(N:240)을 표시한 장미도에서는 남-북~북북동 및 서북서의 대표적인 2 방향을 지시한다. 석모도에서 발달하는 단열의 이러한 분포형태는 기존의 연구에서 시사한 국내의 주요 선구조선의 분포형태와 부합한다. 한편, 단열 모집단의 길이분포에 대한 스케일링 성질을 조사하였다. 먼저 선캠브리아기 장봉편암 및 중생대 화강암류(북부 및 남부암체)에서 측정한 단열 조는 주향 과 빈도수에 의하여 5개 그룹(그룹 I~V)으로 분류하였다. 그 다음, 상기한 5개 그룹에 대한 개개 길이-누적빈도 도표를 종합한 분포도를 작성하였다. 관계도에서 거의 멱법칙의 길이 분포를 따르는 상기한 5개 부집단(그룹 I~V)은 지수(-0.79~-1.53)의 넓은 범위를 보여준다. 이러한 5개 그룹 사이의 지수의 상대적인 차이는 방향성 효과의 중요성을 강조한다. 관계도에서 5개 그룹 중 그룹 Ⅲ의 도표가 보다 상위영역을 차지한다. 마지막으로, 각 암체에 대한 길이 빈도 분포의 특성을 보여주는 분포도를 작성하였다. 관계도에서 각 암체의 도표는 반상흑운모화강암 < 각섬석화강섬록암 < 중립질흑운모화강암(남부암체) < 중립질흑운모화강암(북부암체) < 장봉편암의 순으로 배열되어 있다. 관계도에서 생성시기가 보다 고기인 암체의 도표가 보다 상위영역을 차지하는 경향이 있다. 특히, 선캠브리아기 장봉편암의 도표는 중생대 화강암류의 도표에 비하여 보다 상위영역을 차지한다. 이와 같은 분포특성은 암체의 생성 이후에 작용한 응력장과 부합하는 신규 단열의 발생과 더불어 기존 단열의 성장작용의 공존을 시사한다.

• 대한수학회논문집
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• 제39권2호
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• pp.437-460
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• 2024

In this paper we present the weighted shift operators having the property of moment infinite divisibility. We first review the monotone theory and conditional positive definiteness. Next, we study the infinite divisibility of sequences. A sequence of real numbers γ is said to be infinitely divisible if for any p > 0, the sequence γ^p = {γ^p_n}^∞_n=0 is positive definite. For sequences α = {α_n}^∞_n=0 of positive real numbers, we consider the weighted shift operators W_α. It is also known that W_α is moment infinitely divisible if and only if the sequences {γ_n}^∞_n=0 and {γ_n+1}^∞_n=0 of W_α are infinitely divisible. Here γ is the moment sequence associated with α. We use conditional positive definiteness to establish a new criterion for moment infinite divisibility of W_α, which only requires infinite divisibility of the sequence {γ_n}^∞_n=0. Finally, we consider some examples and properties of weighted shift operators having the property of (k, 0)-CPD; that is, the moment matrix M_γ(n, k) is CPD for any n ≥ 0.

• 한국물환경학회지
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• 제32권4호
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• pp.357-366
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• 2016

N-니트로스아민은 인체에 매우 위험한 발암성 화합물이다. 수용액상 N-니트로스아민을 효과적으로 감소시킬 수 있는 방법 중 하나로 자외선 조사가 고려되고 있다. 본 연구의 목적은 수처리와 연관성이 높은 N-니트로스아민(즉, N-nitrosodibutylamine (NDBA)과 N-nitrosopyrrolidine (NPYR))의 UV 광분해에서 pH 영향을 규명하는 것이다. NDBA과 NPYR의 광분해 속도상수는 pH2-10 사이에서 각각 3.26×10^-2 L/W-min에서 5.08×10^-3 L/W-min와 1.14×10^-2 L/W-min에서 2.80×10^-3 L/W-min로 나타났다. 한편 산화 생성물인 NO2^-와 NO3^- 이온의 생성에 대해서도 연구하였다. 약산성에서 중성의 조건에서는 NO^3-에 비해 NO^2-이 주로 생성되었고, 강한 산성에서는 NO^3-이 더 많이 생성되었다. 총유기 탄소(TOC)와 총질소(TN)은 거의 변화가 없었으며, 이것으로부터 N-니트로스아민과 생성물이 광분해 시스템에서 거의 손실이 없었던 것으로 볼 수 있다. BDBA가 NPYR에 비해 상대적으로 용이하게 광분해되었다. 또한 수용액상 N-니트로스아민을 UV 광분해로 제거할 때 pH가 낮을수록 효과적인 것으로 나타났다.