• 한국진공학회지
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• 제20권3호
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• pp.200-204
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• 2011

이 논문에서는 반도체의 기판으로 사용되는 Si(silicon)기판과 금속배선 물질인 Cu(copper)의 확산을 효과적으로 방지하기 위한 W(Tungsten)-C(Carbon)-N(Nitrogen) 확산방지막을 제시하였고, 시료 증착을 위하여 rf magnetron sputter를 사용하여 동일한 증착조건에서 질소(N)의 비율을 다르게 증착한 후 시료의 열적 안정성 측정을 위하여 상온에서 $800^{\circ}C$까지 각각 질소 분위기에서 30분간 열처리 과정을 실시하여 열적 손상을 인가하였다. 이후 Nanoindentation 기법을 이용하여 총 16 points에서 Elastic modulus와 Weibull distribution을 측정하였다. 그 결과 질화물질이 고온에서 물성변화가 적게 나타나는 것을 알 수 있었고, 온도변화에 따른 박막의 균일도와 결정성 또한 질화물질에서 더 안정적이었다.

• 한국재료학회지
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• 제3권5호
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• pp.443-450
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• 1993

실리콘이 주입된 CaAs 기판위에 플라즈마 화학 증착법으로 자기정렬 gate구조의 Schottky contact을 형성하였다. 갈륨비소 소자 제조를 위하여 두께 1600$\AA$의 턴스텐질화막을 $350^{\circ}C$에서 증착하여 $750^{\circ}C$에서 $900^{\circ}C$까지 급속 열처리 하였다. 텅스텐 질화막과 GaAs계면의 열적 안정성을 XRD(X-ray diffraction), PL(photoluminescence),ODLTS(optical deep livel transient spectroscopy)측정으로 조사하였으며, W보다 $W_{67}N_{33}$ gate를 형성시킬 경우에 GaAs에 미치는 열적손상이 적음을 알 수 있으며 이온 주입한 Si이온이 활성화 되는 것으로 생각된다. $W_{67}N_{33}$ GaAs 다이오드가 약 800-$900^{\circ}C$의 고온열처리 온도에서 W/GaAs 다이오드의 경우보다 열적 안정성이 우수하였다.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제63권1호
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• pp.123-129
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• 2023

For an ordered set W = {w₁, w₂, . . . , w_k} of vertices and a vertex v in a connected graph G, the k-vector r(v|W) = (d(v, w₁), d(v, w₂), . . . , d(v, w_k)) is called the metric representation of v with respect to W, where d(x, y) is the distance between the vertices x and y. A set W is called a resolving set for G if distinct vertices of G have distinct metric representations with respect to W. The minimum cardinality of a resolving set for G is its metric dimension dim(G), and a resolving set of minimum cardinality is a basis of G. The corona product, G ⊙ H of graphs G and H is obtained by taking one copy of G and n(G) copies of H, and by joining each vertex of the ith copy of H to the ith vertex of G. In this paper, we obtain bounds for dim(G ⊙ K₁), characterize all graphs G with dim(G ⊙ K₁) = dim(G), and prove that dim(G ⊙ K₁) = n - 1 if and only if G is the complete graph K_n or the star graph K_1,n-1.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제5권11호
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• pp.2845-2854
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• 1998

Median 필터는 임계치 분할, 스택킹 특성, 그리고 선형 분리성에 기반하여 이진 영역에서 구현이 가능하다. 본 논문에서는 VLSI 구현에 적합한 변형 가능한 메쉬(RMESH) 구조에서 median 필터링을 위한 1차원 및 2차운 병렬 알고리즘의 성능을 평가한다. 실제로 M 레벨의 1차원 시그널 길이가 N이고 윈도우 폭이 W일 때, 메쉬 구조에서는 $O(Mw^2)$의 시간 복잡도를 갖는 반면 RMESH 구조에서의 알고리즘은 O(Mw) 시간 복잡도를 갖는다. 또한 M 레벨의 2차원 영상의 크기가 $N{\times}N$이고 원도우 크기가 $w{\times}w$라고 가정하면, 본 논문에서 제안한 $N{\times}N$ RMESH 상에서 median 필터링 알고리즘은 $N{\times}N$ 메쉬의 $O(Mw^2)$ 시간 보다 더욱 향상된 O(Mw) 시간에 계산되어진다.

• Advances in Traditional Medicine
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• 제4권1호
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• pp.53-59
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• 2004

The effect of aqueous and alcoholic extract of the leaves of Ocimum. sanctum was studied on the spontaneous movements of the whole worm (w.w) preparation and nerve muscle (n.m.) complex of Setaria cervi (S. cervi) and on the survival of microfilariae (m.f.) in vitro. Both the extracts caused inhibition of the spontaneous motility of the w.w. and n.m. complex of S. cervi characterized by initial stimulation followed by reversible paralysis, aqueous extract at a higher concentration showed immediate effect and irreversible paralysis. The concentration required to inhibit the movements of n.m. complex was $1/4^{th}$ for aqueous and $1/3^{rd}$ for alcoholic extract compared to that for the w.w., suggesting a cuticular permeability barrier. On the m.f. the lethal concentration (LC 50 and LC 90) were 35 and 50 ng/ml for aqueous whereas, 60 and 85 ng/ml for alcoholic extracts respectively.

• 대한수학회보
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• 제50권4호
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• pp.1193-1200
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• 2013

The center of the Lie group $SU(n)$ is isomorphic to $\mathbb{Z}_n$. If $d$ divides $n$, the quotient $SU(n)/\mathbb{Z}_d$ is also a Lie group. Such groups are locally isomorphic, and their Weyl groups $W(SU(n)/\mathbb{Z}_d)$ are the symmetric group ${\sum}_n$. However, the integral representations of the Weyl groups are not equivalent. Under the mod $p$ reductions, we consider the structure of invariant rings $H^*(BT^{n-1};\mathbb{F}_p)^W$ for $W=W(SU(n)/\mathbb{Z}_d)$. Particularly, we ask if each of them is a polynomial ring. Our results show some polynomial and non-polynomial cases.

• 한국재료학회지
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• 제7권2호
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• pp.102-106
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• 1997

박막형 접촉연소식을 포함한 마이크로 가스센서에서 membrane은 Si식각시 식각정지용으로서 또 센서 소자를 지지하는 층으로서 응력이 없어야 하며 이는 응력이 membrane파괴의 주 원인으로 작용하기 때문이다. 이에 따라 본 연구에서는 증착조건이 low pressure chemical vapor deposition(LPCVD)법과 sputtering법으로 제작된 $SiN_{x}$과 $SiN_{x}/SiO_{x}/(NON)$막의 응력고 굴절율 변화에 미치는 효과에 대한 실험을 행하였다. LPCVD의 경우 단일막인 $SiN_{x}$의 압축응력 및 굴절율을 나타내었다. Sputtering의 경우 $SiN_{x}$는 공정압력이 1mtorr에서 30torr까지 증가할수록 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 응력값은 압축에서 인장으로 전환되었으며 본 실험에서 응력이 가장 낮게 나온 시편의경우 압축응력으로 $1.2{\times}10^{9}dyne/cm^2$가 공정압력 10mtorr, 인가전력밀도 $1.37W/cm^2$에서 얻어졌다. 굴절율은 공정압력이 1motorr에서 30motorr까지 증가할수혹 인가전력밀도가 $2.74W/cm^2$에서 $1.10W/cm^2$으로 감소할수록 감소하여 2.05에서 1.89의 변화를 보였다. LPCVD와 sputtering으로 증착된 막들은 모두 온도가 증가함에 따라 응력이 감소하였으며 온도감소시 소성적인 특성을 나타내었다.

• 대한수학회보
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• 제44권1호
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• pp.131-150
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• 2007

In this paper, we will define direct producted $W^*-porobability$ spaces over their diagonal subalgebras and observe the amalgamated free-ness on them. Also, we will consider the amalgamated free stochastic calculus on such free probabilistic structure. Let ($A_{j},\;{\varphi}_{j}$) be a tracial $W^*-porobability$ spaces, for j = 1,..., N. Then we can define the corresponding direct producted $W^*-porobability$ space (A, E) over its N-th diagonal subalgebra $D_{N}\;{\equiv}\;\mathbb{C}^{{\bigoplus}N}$, where $A={\bigoplus}^{N}_{j=1}\;A_{j}\;and\;E={\bigoplus}^{N}_{j=1}\;{\varphi}_{j}$. In Chapter 1, we show that $D_{N}-valued$ cumulants are direct sum of scalar-valued cumulants. This says that, roughly speaking, the $D_{N}-freeness$ is characterized by the direct sum of scalar-valued freeness. As application, the $D_{N}-semicircularityrity$ and the $D_{N}-valued$ infinitely divisibility are characterized by the direct sum of semicircularity and the direct sum of infinitely divisibility, respectively. In Chapter 2, we will define the $D_{N}-valued$ stochastic integral of $D_{N}-valued$ simple adapted biprocesses with respect to a fixed $D_{N}-valued$ infinitely divisible element which is a $D_{N}-free$ stochastic process. We can see that the free stochastic Ito's formula is naturally extended to the $D_{N}-valued$ case.

• 한국전자파학회논문지
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• 제27권1호
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• pp.76-79
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• 2016

본 논문에서는 ETRI에서 개발된 50 W GaN-on-SiC HEMT 소자를 이용하여 X-band에서 동작하는 50 W 펄스 전력증폭기의 개발 결과를 정리하였다. 제작된 50 W GaN HEMT 소자는 $0.25{\mu}m$의 게이트 길이를 갖고, 총 게이트 폭은 12 mm인 소자이다. 펄스 전력증폭기는 9.2~9.5 GHz 주파수 대역에서 50 W의 출력전력과 6 dB의 전력이득 특성을 나타내었다. 전력소자의 전력밀도는 4.16 W/mm이다. 제작된 GaN-on-SiC HEMT 소자와 전력증폭기는 X-대역 레이더 시스템 등 다양한 응용분야에 적용이 가능할 것으로 판단된다.

• 한국진공학회지
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• 제16권5호
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• pp.348-352
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• 2007

반도체 기술이 초고집적화 되어감에 따라 미세화공정에 의하여 소자의 크기가 급격히 줄어들고 있으며, 공정에서는 선폭이 크게 줄어드는 추세이다. 또한 박막을 다층으로 제조하여 소자의 집적도를 높이는 것이 중요한 이슈가 되고 있다. 이와 같은 수많은 제조 공정을 거치는 동안, Si 기판과 금속 박막사이에는 확산에 의한 많은 문제점들이 발생되고 있기 때문에, 이러한 금속과 Si 사이의 확산을 방지하는 것이 큰 이슈로 부각되어 왔다. 특히 Cu는 낮은 온도에서도 Si과 확산을 일으켜 Si 기판과 접합에서 확산에 의한 소자 failure 등이 문제로 발생하게 되며, 또한 선폭이 줄어듦에 따라 고열이 발생하여 실리콘으로 spiking이 발생하게 된다. 이를 방지하기 위하여 본 논문에서는 질소와 탄소를 첨가한 3개의 화합물로 구성된 Tungsten-Carbon-Nitrogen (W-C-N) 확산방지막을 사용하였다. 실험은 물리적 기상 증착법(PVD)으로 질소비율을 변화하며 확산방지막을 증착하였고, 이를 여러 가지 온도에서 열처리하여 열적인 안정성에 대한 실험을 실시하였다. 결정구조를 확인하기 위하여 X-ray Diffraction 분석을 통하여 확산방지막의 특성을 연구하였다.