• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.171-172
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• 2015

$Ni-W-Si_3N_4$ alloy composite coatings were prepared by pulse electro-deposition method using nickel sulfate bath with different contents of tungsten source, $Na_2WO_4.2H_2O$, and dispersed $Si_3N_4$ nano-particles. The structure and micro-structure of coatings was separately analyzed by X-ray diffraction (XRD) and scanning electron microscope (SEM). Results indicated that nano $Si_3N_4$ and W content in alloy had remarkable effect on micro-structure, micro-hardness and scratch resistant properties. Tungsten content in Ni-W and $Ni-W-Si_3N_4$ alloy ranged from 7 to 14 at.%. Scratch test results suggest that as compared to Ni-W only, $Ni-W-Si_3N_4$ prepared from Ni/W molar ratio of 1:1.5 dispersed with 20 g/L $Si_3N_4$ has shown the best result among different samples.

• 대한화학회지
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• 제39권11호
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• pp.856-862
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• 1995

본 연구의 텅스텐 옥소-니트로실 착물 $(n-Bu_4N)_2[W_5O_{12}(NO)_2{RC(NH_2)NHO}_2{RC(NH)NO}_2]{R\;=\;(CH_3)CH, CH_3CH_2CH_2,CH_3SCH_2}$은 텅스텐(VI) 다핵 착물 $(n-Bu_4N)_2[W_6O_{19}]$, 텅스텐 디니트로실 단핵 착물 $[W(NO)_2(acac)(CH_3CN)_2](BF_4)$ 및 부틸 아미드옥심 유도체의 반응에서 얻었다. 합성한 착물은 원소분석, 적외선, 전자 흡수 및 핵자기 공명 스펙트럼에 의해 특성을 조사하였다. 전자를 끌어당기는 ${W(NO)_2}^{2+}$ 단위체는 두 개의 이핵체 ${W_2O_5}^{2+}$ 사이의 중심에 삽입되어 오핵종을 이룬다. $(n-Bu_4N)_2[W_5O_{12}(NO)_2{(CH_3)_2CHC(NH_2)NHO}_2/{(CH_3)_2/CHC(NH)NO}_2]$의 $^1{H} NMR$ 스펙트럼에서 네 개의 이중선이 나타남으로 양성자간의 상호작용이 큰 것을 추정할수있다. $^{13}C$ NMR 스펙트럼은 배위된 네 개의 배위자중 두개의 배위자가 나타남으로 두 배위자의 서로 다른 배위모형과 대칭성에 대한 정보를 준다. ${W(NO_2)}^{2+}$ 단위체는 형식상 시스형이며 기하학적으로 $C_{2v}$ 대칭을 가진다.

• 한국의상디자인학회지
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• 제9권1호
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• pp.123-140
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• 2007

Fashion magazine advertising is the most excellent source of information in predicting the fashion trend. It plays a pivotal role in setting a direction for the fashion trend in the upcoming season. The purpose of this study was to review by photos of the $pr{\hat{e}}t-{\acute{a}}-porter$ collection shown in LONDON, NEW YORK, MILAN, and PARIS during 2002-2006 A/W and 2003-2005 S/S seasons, being focused on such fashion items published as coat, dress, one-piece, two-pieces(jacket+skirt/pants, blouse+skirt/pants). In the results of this study, designers presented coat(n=144) chiefly, blouse+pants(n=29) were presented few during 2002-2003 A/W seasons. During 2003-2004 A/W seasons one-piece(n=156) was looking bullish, blouse+pants(n=34) were declining. Dress(n=149) was presented mostly, blouse+pants(n=17) was presented few during 2004-2005 A/W seasons. During 2005-2006 A/W seasons coat(n=180) was revived, blouse+pants(n=26) were presented lowly. Therefore designers presented coat(n=605, 28.4%) extremely much during 2002-2006 A/W seasons. Designers presented one-piece(n=109) much, jacket+pants(n=22) were presented few in 2003 S/S. In 2004 S/S seasons one-piece(n=167) was presented vastly different than jacket+pants(n=42). Also one-piece(n=152) was presented mostly, blouse+pants(n=48) was presented few in 2005 S/S seasons. During 2003-2005 S/S seasons one-piece(n=428, 28.2%) was presented most. And designers in these four world fashion centers didn't prefer blouse+pants in A/W seasons and jacket+pants in S/S seasons. Based on the above findings, it could be confirmed that the fashion items trend was almost similar among the four collections of $pr{\hat{e}}t-{\acute{a}}-porter$. The results of this study suggest that the fashion collections are the most reliable information sources for fashion product planning. Lastly, it is hoped that this study will provide for some useful basic data for domestic fashion businesses in producing fashion items.

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.22-27
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• 2002

Reactive sputtering 방법으로 증착된 tungsten nitride ($(WN_x)$) 박막에 대해 $N_2$ 유량비 변화에 따르는 구조, 화학결합, 그리고 비저항 값의 변화를 조사하였다. $(WN_x)$ 박막 증착시 $N_2$ 유량비를 20%, 40%, 60%로 늘려감에 따라 그 구조는 각각 bcc $\beta$-W상, 비정질상, 그리고 fcc W$_2$N상으로 변화하였으며, 비정질상이 형성되었을 때 박막 표면이 가장 평탄하였다. $(WN_x)$ 박막이 공기 중에 노출된 경우, 모든 시료 표면에서 $WO_3$ 산화물이 형성되었으며, $N_2$유량비가 증가할수록 $(WN_x)$ 박막내 N의 조성비가 증가하였고, W $4f_{7/2}$ peak가 높은 binding energy 쪽으로 이동하였다. 하지만 시료표면을 $Ar^+$ 이온으로 etching한 후에는 WNx 박막 표면이 비정질화되기 때문에 N의 조성비가 변화함에도 불구하고 $W4f_{7/2}$ / peak가 거의 변화하지 않았다. 박막의 비저항 값은 $N_2$ 유량비가 증가함에 따라 증가하였다.

• Elastomers and Composites
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• 제40권3호
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• pp.174-180
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• 2005

공기 중 초음파 조건에서 풀러렌$[C_{70}]$과 금속 헥사카르보닐 착물 $M(CO)_6$ (M=Cr, Mo, W)을 반응시켜 풀러렌 산화물 $[C_{70}O_n](n=1{\sim}2)$을 합성하였다. 동일한 초음파 조건에서 풀러렌$[C_{70}]$과 여러 가지 금속 헥사카르보닐 착물 $M(CO)_6$ (M=Cr, Mo, W)의 반응성은 $Mo(CO)_6$ > $W(CO)_6$ > $Cr(CO)_6$ 순으로 증가함을 나타냈다. MALDI-TOF-MS, UV-visible 스펙트럼과 HPLC를 사용하여 분석한 결과 초음파화학 반응의 생성물은 $[C_{70}O_n](n=1{\sim}2)$ 임을 알 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제15권2호
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• pp.133-136
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• 2005

In the case of contacts between semiconductor and metal in semiconductor devices, they tend to be unstable because of thermal budget. To prevent these problems we deposited W-C-N diffusion barrier for preventing the interdiffusion between metal and semiconductor. The thickness of the barrier is $1,000{\AA}$ and the pressure is 3 mTorr during the deposition. In this work we coated LSMO (CMR material) on W-C-N diffusion barrier and then we studied the interface effects between LSMO layer and W-C-N diffusion barrier. We got results that the magnetic characteristics of LSMO thin film are still maintained after annealing at $800^{\circ}C$ for 3 hr because W-C-N thin diffusion barrier was prevented the diffusion of oxygen between LSMO and Si substrate.

• Journal of applied mathematics & informatics
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• 제23권1_2호
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• pp.113-126
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• 2007

Let A and E be $m{\times}n$ matrices and W an $n{\times}m$ matrix, and let $A_{d,w}$ denote the W-weighted Drazin inverse of A. In this paper, a new representation of the W-weighted Drazin inverse of A is given. Some new properties for the W-weighted Drazin inverse $A_{d,w}\;and\;B_{d,w}$ are investigated, where B=A+E. In addition, the Banach-type perturbation theorem for the W-weighted Drazin inverse of A and B are established, and the perturbation bounds for ${\parallel}B_{d,w}{\parallel}\;and\;{\parallel}B_{d,w}-A_{d,w}{\parallel}/{\parallel}A_{d,w}{\parallel}$ are also presented. When A and B are square matrices and W is identity matrix, some known results in the literature related to the Drazin inverse and the group inverse are directly reduced by the results in this paper as special cases.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제34권6호
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• pp.1673-1678
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• 2013

Lumazine protein is a member of the riboflavin synthase superfamily and the intense fluorescence is caused by non-covalently bound to 6,7-dimethyl 8-ribityllumazine. To figure out the binding modes and the structure of the N-terminal domain of lumazine protein, the wild type of protein extending to amino acid 118 (N-LumP 118 Wt) and mutants of N-LumP 118 V41W, S48W, T50W, D64W, and A66W from Photobacterium leiognathi were purified. The biochemical properties of the wild type and mutants of N-LumP 118 proteins were analyzed by absorbance and fluorescence spectroscope. The peak of absorbance and fluorescence of lumazine ligand were shifted to longer wavelength on binding to N-LumPs. The observed absorbance value at 410 nm of lumazine bound to N-LumP 118 proteins indicate that one mole of N-LumP 118 proteins bind to one mole of ligand of lumazine. Fluorescence analysis show that the maximum peak of fluorescence of N-LumP S48W was shifted to the longest wavelength by binding with 6,7-dimethyl 8-ribityllumazine and was shown to the greatest quench effect by acrylamide among all tryptophan mutants.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.123-123
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• 2000

선폭이 초미세화됨에 따라 게이트 전극에서의 공핍 현상 및 불순물 확산의 물제를 갖는 poly-Si 게이트를 대체할 전극 물질로 텅스텐(W)이 많이 연구되어 왔다. 반도체 소자의 배선물질로 일찍부터 사용되어온 텅스텐은 내화성 금속의 일종으로 용융점이 높고, 저항이 낮다. 그러나, 일반적으로 사용되고 있는 CVD에 의한 텅스텐의 증착은 반응가스(WF6)로부터 오는 불소(F)의 게이트 산화막내로의 확산으로 인해 MOS 소자가 크게 열화될수 있다. 본 연구에서는 W/TiN 이중 게이트 전극 구조를 갖는 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적 특성을 살펴보았다. P-Type (100) Si위에 RTP를 이용, 85$0^{\circ}C$에서 110 의 열산화막을 성장 및 POA를 수행한 후, 반응성 스퍼터링법에 의해 상온, 6mTorr, N2/Ar=1/6 sccm, 100W 조건에서 TiN 박막을 150, 300, 500 의 3그룹으로 증착하였다. 그 위에 LPCVD 방법으로 35$0^{\circ}C$, 0.7Torr, WF6/SiH4/H2=5/5~10/500sccm 조건에서 2000~3000 의 텅스텐을 증착하였다. Photolithography 공정 및 습식 에칭을 통해 200$\mu\textrm{m}$$\times$200$\mu\textrm{m}$ 크기의 W/TiN 복층 게이트 MOSC를 제작하였다. W/TiN 복측 게이트 소자와 비교분석하기 위해 같은 조건의 산화막을 이용한 알루미늄(Al) 게이트, 텅스텐 게이트 MOSC를 제작하였다. 35$0^{\circ}C$에서 증착된 텅스텐 박막은 10~11$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 미소한 W(110) peak값을 나타내는 것으로 보아 비정질 상태에 가까웠다. TiN 박막의 경우 120~130$\Omega$/ 의 면저항을 가졌고 TiN (200)의 peak 값이 크게 나타난 반면, TiN(111) peak가 미소하게 나타났다. TiN 박막의 두께와 WF/SiH4의 가스비를 변화시켜가며 제작된 MOS 캐패시터를 HF 및 QS C-V, I-V 그리고 FNT를 통한 전자주입 방법을 이용하여 TiN 박막의 불소에 대한 확산 방지막 역할을 살펴 보았다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. W/TiN 게이트 MOS 소자는 모두 순수 텅스텐 게이트보다 우수하였고, Al 게이트와 유사한 전기적 특성을 보여주었다. TiN 박막이 300 , 500 이고 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우 소자 특성이 우수하였으나, 5:5의 경우에는 FNT 전자주입 특성이 열화되기 시작하였다. 그리고, TiN박막의 두께가 150 으로 얇아질 경우에는 WF6/SiH4의 가스비가 5:10인 경우에서도 소자 특성이 열화되기 시작하였다. W/TiN 복층 게이트 MOS 캐패시터를 제작하여 전기적인 특성 분석결과, 순수 텅스텐 게이트 소자의 큰 저전계 누설 전류 특성을 해결할 수 있었으며, 불소확산에 영향을 주는 조건이 WF6/SiH4의 가스비에 크게 의존됨을 알 수 있었다. TiN 박막의 증착 공정이 최적화 될 경우, 0.1$\mu\textrm{m}$이하의 초미세소자용 게이트 전극으로서 텅스텐의 사용이 가능할 것으로 보여진다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제39권1호
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• pp.70-76
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• 2011

Weissella 속 유산균 검출의 차이를 이용한 한국산 및 중국산 김치 판별의 가능성 검토를 위하여 Weissella 속 9종 균주의 PCR 검출법을 개발하였다. 종(species) 수준에서의 Weissella 속 균주의 특이적 PCR 검출을 위한 primer는 recN 유전자의 염기서열을 이용하여 선정하였으며, 김치로부터 W. cibaria, W. confusa, W. koreensis, W. soli를 모두 검출하기 위해서는 20 ng template DNA가 필요한 것으로 나타났다. 한국산 김치시료로부터는 W. cibaria, W. confusa, W. koreensis가 높은 빈도로 검출되었지만, W. soli는 검출되지 않았다. 한편 중국산 김치시료로부터는 이들 4종의 Weissella 속 균주들이 모두 검출되었다. 본 연구자들이 개발한 W. soli 특이적 PCR 검출은 현시점에서 중국산 김치의 원산지 판별법으로 적용되기에는 한계점을 가지고 있지만, 미생물 군집의 차이를 이용한 새로운 과학적 검증법이 제시되어 그 가능성이 검토되었다는 점에서 의의를 가지고 있다.