• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 1992년도 춘계학술발표회
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• pp.147-148
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• 1992

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제1권2호
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• pp.135-142
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• 1994

• 한국식품저장유통학회지
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• 제9권1호
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• pp.74-77
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• 2002

솔잎으로부터 항균, 항산화효과 등이 입증된 바 있는 polyphenols 분리.정제를 실시하였다. 이 물질의 분리를 위한 추출용매로는 열수, EtOH, IPA를 사용하였는데, 각각의 용매에 의하여 분리된 polyphenols의 수율 및 순도는 각각 9.84, 11.61, 14.36% (w/w) 및 83.83, 82.64, 81.52%였다. 추출조건은 솔잎분말 대비 약 7배 (w/v)에 해당하는 용매를 가하고 85$^{\circ}C$에서 6시간 동안의 처리로 추출이 가능하였다. 분리된 polyphenols의 정제는 formamide-active carbon(1:1, w/w)을 충진한 column을 통과시켜 정제한 다음 농축, 분무건조 하고, 이 분말에 식품첨가물용 n-hexane(1:2.5, w/v)을 가하여 1시간 동안 추출하여 지방성분을 추출, 제거하고 풍건하여 각각의 시제품을 얻었다. Polyphenols의 추출용매로는 열수, EtOH, IPA 중 수율과 순도를 동시에 고려할 때, 상호간의 장단점이 있었는데, 수율과 순도간에는 정의 반비례 관계가 성립하였다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제41권6호
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• pp.790-795
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• 2012

본 연구는 울금의 산업적 실용화를 극대화시키기 위해 Aspergillus oryzae를 이용하여 산업용 규격에서 생산된 발효울금의 일반성분 및 미량성분 분석과 발효울금을 이용하여 동물모델에서 14일간 예비 투여하고 GalN으로 급성 간독성을 유발한 후 혈액 중 간기능 지표물질의 변화 및 간조직의 조직학적 관찰을 통해 GalN로 유발된 급성 간독성에 발효울금의 간기능 보호효과를 평가하고자 하였다. 발효울금의 일반성분은 수분 0.15%, 조지방 4.68%, 조단백 4.35%, 조섬유 6.92%, 조회분은 6.83%로 분석되었다. 발효울금의 미량성분은 P, Mg, Ca 순으로 분석되었다. 간기능 지표효소인 AST와 ALT의 활성은 발효울금 300 mg/kg/day과 silymarin 150 mg/kg/day를 투여한 군에서 GalN만을 투여한 군과 비교하여 통계적으로 유의한 결과를 나타내어 발효울금 300 mg/kg/day의 예비 투여는 GalN에 대한 급성 간독성에 대해 보호효과를 갖으며, 양성 대조군인 silymarin 150 mg/kg/day 투여와 비교하여 유사한 간독성 보호 활성을 갖는 것으로 나타났다. ALP의 경우 발효울금을 100 mg/kg/day로 투여한 군에서만 GalN만을 투여한 군과 통계적으로 유의한 감소를 나타났고 300 mg/kg/day 발효울금을 투여한 군과 silymarin 투여군은 통계적 유의차가 나타나지 않았다. 중성지방의 경우 발효울금 300 mg/kg/day 투여군만 GalN만을 투여한 군과 비교하여 통계적 유의차가 나타났으나 silymarin 투여군에서는 동일한 효과가 나타나지 않았다. GalN으로 유도된 급성 간독성의 조직병리학적 결과 GalN만을 투여한 군에서 세포괴사 및 침윤된 염증세포, 카운실만소체의 괴사가 심하게 나타났으며 300 mg/kg/day 발효울금 투여군과 150 mg/kg/day silymarin 투여군에서 간조직의 괴사 및 염증의 개선효과를 관찰할 수 있었다. 혈청 분석 및 조직병리학적 결과를 종합한 결과 GalN 유발 간독성에 대한 개선효과는 300 mg/kg/day 발효울금 투여군과 150 mg/kg/day silymarin 투여군에서 나타나는 것으로 판단할 수 있었다. 이러한 결과로부터 본 연구에서 사용한 Aspergillus oryzae로 발효하여 산업적 규격에서 생산된 발효울금은 간기능 저하 개선 기능을 갖는 새로운 기능성 소재로서 간질환과 관련된 다양한 기능성식품 개발에 이용될 수 있을 것으로 생각된다.

• 한국표면공학회지
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• 제37권6호
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• pp.307-312
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• 2004

Extensive efforts have been made in an attempt to utilize photocatalytic properties of $TiO_2$ in visible range. $TiO_2$ and TiO-N thin films were made by the DC reactive magnetron sputtering method at $300^{\circ}C$. Various gases (Ar, $O_2$ and $N_2$) were used and Ti target was impressed by 0.6 kW-5.8 kW power range. The hysteresis phenomenon of the $TiO_2$ thin film as a function of the discharge voltage characteristic was observed to be higher as applied power increases. That of TiO-N thin film was occurred at the 5.8 kW power. The cross section and surface roughness of thin films were observed by FE-SEM and AFM. Average surface roughness of TiO-N thin film was observed as $15.9\AA$ and that of $TiO_2$ as $13.2\AA$. The crystal phases of both $TiO_2$ and TiO-N thin films were found to be anatase structure. The atomic $\beta$-N (396 eV peak in N 1s XPS) was shown in the rutile crystal of TiO-N and was considered acting as the origin of wavelength shift to the visible light.

• 한국진공학회지
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• 제22권4호
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• pp.188-192
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• 2013

반도체 소자의 소형화, 고집적화로 박막의 다층화 및 선폭 감소로 인한 실리콘 웨이퍼와 금속 박막 사이의 확산을 방지하기 위한 많은 연구가 이루어지고 있다. 본 연구는 tungsten (W)을 주 물질로 증착시 nitrogen (N)의 유량을 2.5~10 sccm으로 변화시키며 증착된 확산방지막의 nano-mechanics 특성에 대해 연구하였다. 증착률, 비저항 및 결정학적 특성을 ${\beta}$-ray backscattering spectroscopy, 4-point probe, X-ray diffraction (XRD)을 이용하여 측정한 후 Nano-indenter를 사용하여 nano-mechanics 특성을 조사하였다. 그 결과 질소 가스 유량이 5 sccm 포함된 박막에서 표면 경도(surface hardness)는 10.07 에서 15.55 GPa로 급격하게 증가하였다. 이후 질소가스의 유량이 7.5 및 10 sccm에서는 표면 경도가 각각 12.65와 12.77 GPa로 질소 가스 유량이 5 sccm인 박막보다 표면경도가 상대적으로 감소하였다. 이는 박막 내 결정질과 비정질의 W과 N의 결합 비율의 차이에 의한 영향으로 생각되며, 또한 압축응력에 기인한 스트레스 증가가 원인으로 판단된다.

• Applied Microscopy
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• 제50권
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• pp.7.1-7.10
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• 2020

Tantalum nitride (TaN_x) thin films were grown utilizing an inductively coupled plasma (ICP) assisted direct current (DC) sputtering, and 20-100% improved microhardness values were obtained. The detailed microstructural changes of the TaN_x films were characterized utilizing transmission electron microscopy (TEM), as a function of nitrogen gas fraction and ICP power. As nitrogen gas fraction increases from 0.05 to 0.15, the TaN_x phase evolves from body-centered-cubic (b.c.c.) TaN_0.1, to face-centered-cubic (f.c.c.) δ-TaN, to hexagonal-close-packing (h.c.p.) ε-TaN phase. By increasing ICP power from 100 W to 400 W, the f.c.c. δ- TaN phase becomes the main phase in all nitrogen fractions investigated. The higher ICP power enhances the mobility of Ta and N ions, which stabilizes the δ-TaN phase like a high-temperature regime and removes the micro-voids between the columnar grains in the TaN_x film. The dense δ-TaN structure with reduced columnar grains and micro-voids increases the strength of the TaN_x film.

• 호남수학학술지
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• 제27권2호
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• pp.205-209
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• 2005

In this paper we discuss on the uniquenss of the solution of partial differential equations: (1) $${\frac{{\partial}w}{{\partial}{\bar{z}}}}=F(z,\;w,\;{\frac{{\partial}w}{{\partial}z}}}+G(z,\;w.{\bar{w})$$ in the sobolev space $W_{1,p}(D)$.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1995년도 추계학술대회 논문집
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• pp.85-88
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• 1995

In this report the large-signal RF performance of GaN MESFETs at different operating temperatures is investigated using a harmonic balance modeling technique. The predicted device performance calculated by the large-si anal model of a GaN FET is shown to be in good agreement with experimen tar data. It is demonstrated that the optimal RF performance of a GaN MESFET amplifier is achieved by balancing the input impedence for a optimized de sign. A GaN MESFET with the optimized design is predicted to produce maximum RF output power of about 4W/mm and 1W/mm at room temperature and 773 K, respectively. The device produces a peak Power-Added Efficiency (PAE) of 52% and 32% at the two temperatures.

• 전자통신동향분석
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• 제27권1호
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• pp.74-85
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• 2012

차세대 화합물 반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전자소자 글로벌 연구개발 동향에 관하여 기술하고자 한다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$) 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. GaN 전자소자 기술동향에서는 먼저 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트 분석을 통한 RF 전력증폭기 연구개발 방향을 살펴보고, 후반부에서는 이동통신 기지국, 선박 및 군용 레이더 트랜시버용 고출력 RF 전력증폭기의 응용 분야에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 전자소자의 연구개발 방향과 조기상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.