• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제20권10호
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• pp.1149-1152
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• 1999

1H NMR spectrum of a DMF-d7 solution containing 4-aminopyrimidine and [SiW11CoIIO39]6- (SiW11Co) shows separate peaks from two linkage isomers, a and b, in which N(1) and N(3) of the pyrimidine ring are coordinated to SiW11Co, respectively. The signal from the amine group in the isomer a exhibits temperature dependence that is characteristic of a two-site exchange problem. Rates of internal rotation of the amine group were determined by simulating the NMR spectra at 5-35℃. The amine group of free 4-aminopyrimidine also shows temperature-dependent spectra at lower temperatures; rates of internal rotation at (-25)-25℃ were determined. The internal rotation of the amine group in the complex is much slower than that for free 4-aminopyrimidine, indicating that π-character of the C-N bond increases on coordination to SiW11Co. The amine group in the isomer b does not show such behavior. It is probable that hydrogen bonding between N-H and a bridging oxygen atom of SiW11Co prevents it from rotating at low temperatures.

• Journal of the Korean Statistical Society
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• 제12권1호
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• pp.10-17
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• 1983

Let $X^{(n)}_j, j=1,2,\cdots,n, n=1,2,\cdots$ be a triangular array of random variables which arise naturally in a study of ferromagnetism in statistical mechanics. This paper presents weak convergence of random function $W_n(t)$, an appropriately normalized partial sum process based on $S^{(n)}_n = X^{(n)}_i+\cdot+X^{(n)}_n$. The limiting process W(t) is shown to be Gaussian when weak dependence exists. At the critical point where the change form weak to strong dependence takes place, W(t) turns out to be non-Gaussian. Our results are direct extensions of work by Ellis and Newmam (1978). An example is considered and the relation of these results to critical phenomena is briefly explained.

• 자원환경지질
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• 제3권4호
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• pp.199-222
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• 1970

One of the biggest sulfide metallic (Cu, Pb, Zn) ore deposits of South Korea is located in the area of Seo-myeon, Shiheung-gun, Gyeonggi-do. Geology of the region is mostly composed of metasediments of biotite schist, graphite schist, injection gneiss, sericite schist, limesilicate and quartzite from bottom, those are applicable to so-called Yeoncheon System of Pre-Cambrian, and granodiorite, quartz porphyry, basic dykes are outcroped in a small scope as intrusives. The origin of the ore deposit is pyrometasomatic contact deposits due to hydrothermal replacement and the ore bodies are imbedded in lower bed of limesilicate formation as impregnation and ore minerals are galena, sphalerite, marmatite, chalcopyrite, bornite, chalcocite, covellite, and the later two minerals are both hypogene and supergene. Gangue minerals are mostly skarn minerals those hornblende, diopside, epidote, hedenbergite, chlorite, garnet and quartz except primary calcite and quartz. Boundary plane (NS strike) between schists and limesilicate seemed to be primary opening of ore solution and fractures bearing $N50^{\circ}{\sim}80^{\circ}W$ are secondary structural control for localization of ore minerals and the third structural controls are both irregular gashes and schistosity in small scale. Photogeological study was carried with vertical aerial photo scaled 1: 38,000 and enlarged 1 : 10,000 under stereoscope. The study on the area convinced the fact that the geologic boundaries between rocks, limesilicates and quartzites, are traced easily by their typical topographic feature and drainage, and the main fracture patterns which derived from the result of fracture traces, that photogeologic lineament observed under stereoscope, are those bearing (1) $N20^{\circ}W$, (2) $N58^{\circ}W$, (3) $N76^{\circ}W$, (4) EW, (5) $N20^{\circ}W$, (6) $N62^{\circ}W$, (7) $N77^{\circ}W$. Among the written fractures, (5) (not schistosity, in case of fault) (6) (7) are post-mineral faults and others are pre-mineral faults and others are pre-mineral structures, and (2) (3) (6) (7) are coincided with statistical figure of 208 fractures surveyed in underground. By the result of the study, mineralized zone, are presumed to extend north and southward, total length about 4km.

• 한국결정성장학회지
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• 제17권2호
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• pp.47-51
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• 2007

저굴절 재료인 F-doped SiOC : H 박막을 Si 웨이퍼와 유리기판위에 rf power, 기판온도, 그리고 가스유량($SiH_4,\;CF_4$ and $N_2O$)을 변수로 하여 PECVD법으로 증착하였다. 기판 온도와 rf power증가에 따라 F-doped SiOC : H 박막의 굴절률은 감소하는 경향을 보였다. $N_2O$ 가스 유량이 감소함에 따라 증착된 박막의 굴절률은 감소하였으며, rf power가 180W 기판온도 $100^{\circ}C$, 그리고 $N_2O$ 가스를 첨가하지 않은 조건에서 증착한 박막은 최소 굴절률인 1.3778을 갖는 것을 알 수 있었다. Rf power 60W에서 180W로 증가시킴에 따라 증착된 박막의 불소 함량은 1.9at%에서 2.4at%로 증가하였으며 이러한 이유로 박막의 굴절률은 감소하는 경향을 나타냈다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.181-181
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• 2010

현대 반도체 금속배선 연구에서는 기존에 쓰이던 Al (Aluminium) 금속배선 대신에 Cu (Copper) 금속배선 연구가 진행되고 있다. Cu는 Al 보다 비저항이 낮고, 녹는점도 Al보다 높다는 장점이 있지만 저온에서 기판인 Si (Silicon) 과 반응하고 접착력이 우수하지 못 하다는 단점이 있다. 이런 문제를 해결하기 위하여 확산방지막을 기판과 금속배선 사이에 삽입하는 방법이 제시 되었다. 확산방지막으로는 기존에 쓰이던 Ti (Titanium) 계열의 확산방지막과 W (Tungsten) 계열의 확산방지막이 있다. 이번 연구에서는 W 계열의 확산방지막에 불순물 C (Carbon) 과 N (Nitrogen) 을 첨가한 W-C-N 확산방지막 시편을 제조하였고, N2의 비율을 변화시키며 $600^{\circ}C$, $800^{\circ}C$열처리를 하였다. 본 실험의 결과로, 확산방지막의 $N_2$ 농도가 0, 0.5, 2 sccm으로 증가할수록 고온에서도 Elastic modulus 와 Hardness 값이 시편의 여러 영역에서 비교적 안정적으로 유지된다는 결과를 얻었다. 이 결과로부터 W-C-N 박막의 질소 농도에 따라 고온에서도 비교적 안정적으로 유지된다는 결과를 얻었다. 본 연구에서 시편은 RF magnetron sputtering 방법으로 제작하였고 Elastic modulus와 Hardness의 측정은 Hysitron사의 Triboindenter를 이용하였다. Indenting에 사용된 압입팁은 Berkovich tip을 사용하였다.

• 한국식품영양과학회지
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• 제24권6호
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• pp.901-905
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• 1995

기호음료 및 약용으로 사용되는 두충나무잎의 품질 평가를 위한 HPLC로서 함유된 flavonoid 화합물을 정성, 정량 분석하였다. 즉 두충나무잎의 n-BuOH 분획으로 부터 astragalin, isoquercitrin, quercetin $3-O-{\beta}-D-xylopyranosyl(1-2)-{\beta}-D-glucopyranoside$의 3종 flavonoid 성분들을 분리하였으며, 이들 화합물은 LPLC의 THF-dioxane-MeOH-HOAc-5% $H_3PO_4-H_2O$(145 : 125 : 50 : 20 : 2 : 658) 혼합용매에서 양호한 분리능을 나타내었다. MeOH 엑스와 n-BuOH 분획 중에 astragaline의 함량은 각각 0.09%(w/w), 0.46%(w/w), isoquercitrin은 0.08%(w/w), 0.48(w/w), quercetin $3-O-{\beta}-D-xylopyranosyl(1-2)-{\beta}-D-glucopyranoside$은 0.40%(w/w), 1.22%(w/w) 함유되어있다.

• 대한화학회지
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• 제45권1호
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• pp.96-99
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• 2001

• ETRI Journal
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• 제36권3호
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• pp.498-501
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• 2014

A C-band 50 W high-power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a phased-array radar system was designed and fabricated using commercial $0.25{\mu}m$ AlGaN/GaN technology. This two-stage amplifier can achieve a saturated output power of 50 W with higher than 35% power-added efficiency and 22 dB small-signal gain over a frequency range of 5.5 GHz to 6.2 GHz. With a compact $14.82mm^2$ chip area, an output power density of $3.2W/mm^2$ is demonstrated.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2010년도 추계학술발표논문집 1부
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• pp.168-171
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• 2010

본 논문에서는 GaN HEMT 소자를 이용한 고출력 고효율 특성을 가지는 광대역 SSPA의 개발을 다루고 있다. 개발한 SSPA는 8W 급과 15W 급의 GaN HEMT 소자를 사용하여 Pre-Drive 증폭단을 구성하였으며, Drive 증폭단은 50W/150W급 GaN HEMT 소자를 직/병렬구조로 사용하였다. Main 증폭단은 4-way 분배기와 결합기를 이용한 Balanced Structure를 적용하여 높은 출력을 구현하였으며, 안정적인 동작을 위하여 음(-)전원 제어 회로와 출력신호 검출 회로를 포함하고 있다. 제작된 SSPA의 사용가능 대역은 2.9GHz~3.3GHz로 단일전원을 사용하고 있으며 100us 펄스 폭, 10% Duty Cycle 조건에서 60dB의 전압이득, 1kW 출력과 약 28% 효율 특성을 가지는 것으로 측정되었다. 본 논문에서 개발한 SSPA는 S-대역을 사용하는 레이더시스템의 송신단에 적용될 수 있다.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2017년도 전력전자학술대회
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• pp.225-226
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• 2017

본 논문에서는 WBG소자인 GaN HEMT를 적용한 고전력밀도의 부스트 컨버터개발을 제안하였다. GaN HEMT는 문턱전압이 낮아 인덕턴스에 민감하므로 인덕턴스를 최소화시키는 PCB 레이아웃을 설계하였다. 입력단에 60V의 직류전원을 연결한 후, 출력 전압을 120V, 출력 전력을 100W와 200W로 고정하여 주파수에 따른 소자의 온도와 효율을 측정하였다. 주파수를 100kHz에서 1MHz까지 100kHz간격으로 변화시켜 실험하였고, 부하전력과 주파수가 커질수록 GaN HEMT의 온도가 상승하였다. 컨버터 효율은 부하전력이 100W이고, 주파수가 100kHz일 때 91.7%로 가장 낮은 효율이 나타났고, 부하전력이 200W, 주파수가 600kHz일 때 97.4%로 가장 높은 효율이 나타났다.