본 논문에서는 단위 전력증폭기를 여러 개 결합하여 높은 출력을 얻을 때 결합 손실을 최소화하여 증폭기의 효율을 높이는 방법에 대해 연구하였다. 구체적으로는 도파관과 cavity 구조로 되어있는 공간결합기를 이용한 Ka 대역 공간결합증폭기를 제안하였다. 제작된 공간결합증폭기는 Ka 대역 20W급의 SSPA로서 GaN bare die를 이용하여 설계된 5W급의 단위 증폭모듈 8EA를 적용하였다. 그리고 Hybrid Radial 구조의 8-way 공간분배기와 공간결합기를 이용하여 단위증폭모듈을 결합하였다. 제작된 공간결합기의 출력 결합손실은 약 0.334dB이며 약 92.6%의 효율을 얻었다. 본 논문의 공간결합증폭기는 최대포화출력 10W, 전력부가효율 15%이상을 목표로 개발하였으며, 측정결과 최대포화출력 30W와 전력부가효율19%의 결과값을 얻었다.
본 논문에서는 M/W 디지털 방송중계용 주파수의 공유방안에 관한 연구의 기초단계로서 AWGN 채널 환경에서 M/W 디지털 방송중계용 FPU(Field Pick Up) 무선전송 시스템 규격 및 특성을 분석하고 시뮬레이터 설계를 통하여 시스템 성능을 분석하였다. 국내 방송 중계용의 경우 디지털화 진행이 추진되고 있는바 향후 M/W 방송중계용 주파수 재배치를 위한 간섭평가 및 국내 방송중계용 표준화에 대한 기초 자료로 활용하고자 한다.
A Ka-band 6-W high power microwave monolithic integrated circuit amplifier for use in a very small aperture terminal system requiring high linearity is designed and fabricated using commercial 0.15-${\mu}m$ GaAs pHEMT technology. This three-stage amplifier, with a chip size of 22.1 $mm^2$ can achieve a saturated output power of 6 W with a 21% power-added efficiency and 15-dB small signal gain over a frequency range of 28.5 GHz to 30.5 GHz. To obtain high linearity, the amplifier employs a class-A bias and demonstrates an output third-order intercept point of greater than 43.5 dBm over the above-mentioned frequency range.
The S-Band SSPA is front-end equipment to transmit both LRIT and HRIT to COMS. To provide the required EIRP, S-Band SSPA is designed to generate maximum 1kW power at its 1dB gain compression point (P1dB). Due to the operation for 24 hours per seven days, the verification on the performance of S-Band SSPA was performed thoroughly. This paper presents that major requirements such as maximum 1kW power, maximum -26dBc of IMD characteristic at 500W output and around -57dBc of coupling factor were verified through proposed test configuration.
In this paper, the electromagnetic (EM) wave absorbers using TiO2 as a dielectric material with chlorinated polyethylene (CPE) were investigated in W-band radio frequencies. We compared the relative permittivity with reflectionless curve and the absorption properties of samples containing 40 wt.%, 50 wt.%, 60 wt.%, 70 wt.%, and 80 wt.% TiO2. It is possible to realize a complex relative permittivity satisfying the reflectionless condition by choosing composition ratio of TiO2. The optimized composition ratio of TiO2 for the maximum absorption property is about 70 wt.%. As a result, we have confirmed the realization of an EM wave absorber with a high absorption property in W-band radio frequencies.
This paper presents a new reflectarray antenna capable with 1-bit switchable capability for W-band beamforming network. The proposed antenna has been optimized using two unit-cells with sizes of 1.0 mm and 1.3 mm to form a total number of 193 radiating elements on a square aperture surface of length 30 mm. These radiating elements are spaced 0.5 wavelengths apart and fed by a 15 dBi pyramidal horn antenna as the feed antenna placed 53 mm away from the aperture center. The proposed reflectarray achieves a realized peak gain of 22.52 dBi, a half-power beamwidth of 5.1° in both E- and H-planes at the test frequency of 80 GHz and operates over a wide bandwidth from 74 GHz to 90 GHz.
논문은 ISM 밴드 응용분야에 사용되는 13.35 MHz, 5 kW RF 제너레이터의 구현에 대한 내용이다. 이 제너레이터의 구성은 드라이브증폭기와 LDMOS 1.25 kW 트랜지스터를 클래스 AB 푸쉬풀 증폭기로 구현한 모듈을 바탕으로 4개의 모듈을 윌킨슨 형태의 전송선로 변환기를 이용하여 결합하는 구조를 갖고 있다. 이 제너레이터는 선형성보다는 높은 출력과 효율을 얻는 것이 중요하며, 트랜지스터에서 발생하는 열은 워터 쿨링에 의한 수냉식 방법을 선택하여 외부로 배출하였다. 또한, 결합기와 저역통과 필터의 결합 그리고 출력 및 반사 신호를 검출하는 보호회로를 삽입하였다. 이렇게 구현된 RF 제너레이터는 포화 전력레벨 5.33 kW 출력에서 79 %의 효율을 얻었다.
본 논문에서는 K-Band에서 동작하는 1/2 주파수 분배기를 130 nm CMOS 공정을 이용하여 설계하고 제작한 결과를 보인다. 피드백 방식의 밀러 주파수 분배기는 20~25 GHz에서 동작하며 바이어스 전압 1.2 V에서 7.2 mW의 전력을 소모하고 코어 회로의 레이아웃 크기는 $315{\times}246\;um^2$이다. 밀러 주파수 분배기의 출력 신호를 2분 주시키기 위한 CML(Current Mode Logic) 주파수 분배기는 8.5~13 GHz에서 동작하며 5.7 mW의 전력을 소모하고, 코어 회로의 레이아웃 크기는 $91{\times}98\;um^2$이다. 또한 두 주파수 분배기를 결합하여 20~25 GHz의 입력 신호가 4분주되어 출력됨을 확인하였다.
본 논문에서는 X-대역 펄스압축 반도체형 레이다를 위한 200W SSPA를 개발하였다. 개발한 X-대역 SSPA는 전치증폭단, 구동증폭단, 고출력을 위한 주전력 증폭단의 3단 연계구조형 증폭기로 구성되어있다. X-대역에서 200W 이상의 출력을 내기 위해 주전력 증폭단은 충분한 이득과 전력을 얻을 수 있는 GaN HEMT소자를 사용하여 병렬구조로 설계하였다. 개발한 SSPA는 주파수범위 9.2-9.6GHz, 펄스주기 1ms, 펄스폭 100us, 듀티사이클 10% 조건에서 전체이득 59dB 이상, 출력전력 200W이상의 성능을 가진다. 본 논문에서 개발한 SSPA는 펄스압축기술을 이용한 고품위 반도체 레이다시스템에 적용할 수 있다.
도핑 되지 않은 반 절연 LEC GaAs내의 EL2와 얕은 준위 분포를 영상화하기 위해 대역단 적외선 영상 기법을 활용했다. 대역단 적외선 투사 매핑에 근거한 본 기법은 분석 속도가 빠르고 비파괴적인 방법이다. EL2 흡수 영상이 콘트라스트 반전되는 대역단 부근에 대한 정량적인 해석은 아직 보고되지 않고 있다. 본 논문은 대역단 부근에서 영상의 특정 부분(cell, wall)에 대한 포토퀀칭 메커니즘의 스펙트럼-, 공간- 및 온도- 종속성을 논하고 있다. 결함 부분별(EL2w, EL2b)로 포토퀀칭 개시점이 다른 것은 불순물 종류의 차이로 인한 서로 다른 전기적 작용에 기인한 것으로 해석할 수 있다. 전위(dislocation) 밀도가 높은 곳에서는 EL2b 밀도는 약간 적은 반면 EL2w 밀도는 보다 많다는 것을 정량적 해석으로부터 확인 했다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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