• 제목/요약/키워드: Voltage deviation

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Study on Motor Characteristics due to Deviation of the Wheel Diameters with Parallel Operation

  • Lee, Hyung-Woo
    • Journal of Electrical Engineering and Technology
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    • 제8권1호
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    • pp.106-109
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    • 2013
  • It is desirable and advantageous to feed parallel propulsion with induction motors by a single voltage source inverter. However, effects of deviation of the wheel diameters on motor current, rotor speed and torque should be also considered for parallel operation. In order to understand the behavior and characteristics, a simple simulation model is developed by using a commercial Matlab Simulink. From the results, it is clear to manage the diameter deviation of the wheels which are connected to traction motors.

실험계획법을 이용한 예인 음탐기용 음향패키지 형상 연구 (A study on configuration of acoustic package for towed array sonar using design of experiments)

  • 이정현;신증호;권오조;김군칠
    • 한국음향학회지
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    • 제38권2호
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    • pp.200-206
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    • 2019
  • 본 연구에서는 예인 음탐기용 음향패키지에 대한 수신전압감도 특성을 분석하기 위해 수치해석과 실험계획법을 적용하였다. 수치해석 결과는 초기 설계된 음향패키지의 구조 공진 모드 특성으로 인한 수신전압감도 변화를 보여준다. 수신전압감도 편차를 줄이기 위해 도출된 음향패키지 설계 변수의 영향은 실험계획법을 통해 분석하였다. 수신전압감도 편차는 수중청음기 쉴드캔 두께(t)의 변화에 가장 민감한 것을 확인하였다. 수조시험 결과 실험계획법에 의해 도출된 음향패키지는 수신전압감도 편차가 감소됨을 확인하였다.

단위 셀간 성능편차 및 접속접안 강하 초소화를 위한 극소형 직접메탄올 연료전지 스택의 설계 및 제작 (MEMS-based Direct Methanol Fuel Cells and Their Stacks for the Reduction of Cell-to-Cell Deviation and Interconnection Voltage Drop)

  • 서영호;조영호
    • 대한기계학회논문집A
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    • 제31권10호
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    • pp.981-985
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    • 2007
  • We present a MEMS-based portable Direct Methanol Fuel Cell (micro-DFMC), featured by a platinum sputtered microcolumn electrode and a built-in fuel chamber containing a limited amount of methanol fuel. Also presented is a micro-DMFC stack structure having a common electrolyte sandwiched by the microcolumn electrodes. The single cells with ME16 and PE16 electrodes show the maximum power densities of $31.04{\pm}0.29{\mu}W/cm^2$ and $9.75{\pm}0.29{\mu}W/cm^2$, respectively; thus indicating the microcolumn electrode (ME16) generates the power density (3.2 times) higher than the planar electrode (PE16). The single cell tests of ME16 and ME4 electrodes (Fig.8) show the maximum power of $31.04{\pm}0.29{\mu}W/cm^2$, and $25.23{\pm}2.7{\mu}W/cm^2$, respectively; thus demonstrating the increased window frame reduces the normalized standard power deviation (standard deviation over the average power). The normalized deviation of 0.11 in ME4 cell has been reduced to 0.01 in ME16 cell due to the increased window frames. The maximum power density of 4-cell stack is 15.7 times higher than that of the single cell. 4-cell stack produces the power capacity of 20.3mWh/g during 980min operation at the voltage of 450mV with the load resistance of $800{\Omega}$.

Effect of the amount of battery charge on tube voltage in different hand-held dental x-ray systems

  • Kim, Eun-Kyung
    • Imaging Science in Dentistry
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    • 제42권1호
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    • pp.1-4
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    • 2012
  • Purpose : Hand-held dental x-ray system is a self contained x-ray machine designed to perform intraoral radiography with one or two hands. The issue about its usage as general dental radiography is still in dispute. The aim of the present study was to assess the relationship between the amount of battery charge and the tube voltage in different handheld dental x-ray systems. Materials and Methods : Seven hand-held dental x-ray units were used for the study. Tube voltage was measured with Unfors ThinX RAD (Unfors Instruments AB, Billdal, Sweden) for 3 consecutive exposures at the different amount of battery charge of each unit. The average and the deviation percentage of measured kV from indicated kV of each unit were calculated. Results : Tube voltage of only 1 unit was 70 kV (indicated by manufacturer) and those of the others were 60 kV. Tube voltage deviation percentage from the indicated kV at the fully charged battery was from 2.5% to -5.5% and from -0.8% to -10.0% at the lowest charged battery. Conclusion : Tube voltages of all units decreased as the residual amount of the battery charge decreased. It is suggested that the performance test for hand-held x-ray system should be performed for the minimum residual charged battery as well as the full charged one. Persistent battery charging is suggested to maintain the proper tube voltage of the hand-held portable x-ray system.

전류제어 교류서어보 구동장치를 위한 고정자 전압벡터의 새로운 선택 방법 (A novel neans of selecting stator voltage vector for current-controlled ac servo drives)

  • 이광원;박송배
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1987년도 전기.전자공학 학술대회 논문집(I)
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    • pp.797-800
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    • 1987
  • A new current control scheme is suggest.ed which is suitable for ac servo inverter drives. The scheme uses a simple block diagram to produce the reference stator voltage vector, and the vector nearest to it is chosen for switching. With the same arrangment three kinds of operation modes are possible : (1) constant rate sampling, (2) constant current deviation, (3) adaptive current deviation. In mode (1) current deviation after one period is minimized, while in mode (2) and (3) intervals between switchings are maximized.

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위상 검출기 편차 보상 알고림즘을 이용한 PWM컨버터 성능개선 (A Study of improving PWM converter performance using the compensation algorithm of phase detector deviation)

  • 이근호;윤길문;정연우;김한종;이제필
    • 전력전자학회:학술대회논문집
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    • 전력전자학회 1999년도 전력전자학술대회 논문집
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    • pp.315-318
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    • 1999
  • In the 3-phase PWM converter, accurate detection of the supplied voltage phase is very important. But a detecting circuit cannot avoid generating the deviation of phase detector so that we need to compensate it. In this paper, an accurate and simple compensating method of deviation of phase detector is proposed.

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온도 보상기능을 갖는 내장형RC OSCILLATOR 설계 (Design of an Embedded RC Oscillator With the Temperature Compensation Circuit)

  • 김성식;조경록
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권4호
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    • pp.42-50
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    • 2003
  • 본 논문에서는 시스템의 클럭을 안정적으로 공급하는 집적화 한 내장형 RC oscillator의 구현에 관한 논문이다. 기존의 RC oscillator는 온도에 따라 주파수변화가 약 15%정도 변화가 있는데 이는 온도에 따른 저항값의 변화와 schmit trigger의 기준전압이 온도에 따라 변화하기 때문이다. 본 연구에서는 온도에 따른 주파수 변화를 최소화하는 방법으로 CMOS bandgap과 온도에 따른 전류의 변화를 이용하였다. CMOS bandgap으로 기준 전압을 얻고 온도에 따라 증가하는 전류원과 온도에 따라 감소 하는 전류원을 서로 합하면 온도에 따라 일정한 전류를 얻어 주파수의 변화를 약 3%이내로 유지하는 회로를 제안한다.

소결온도에 따른 ZnO 바리스터의 내환경 특성 (Environmental Properties of ZnO Varistors with Variation of Sintering Temperature)

  • 이성갑;조현무;이종덕;박상만
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제18권12호
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    • pp.1111-1116
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    • 2005
  • ZnO varistor ceramics added a glass-frit 0.03 $wt\%$ were fabricated with variation of sintering temperature. The sintering temperature and time were $1125^{\circ}C\~1200^{\circ}C$ and 2 h. The average grain sizes increased and the varistor voltage decreased with increasing the sintering temperature. The values of the specimen sintered at $1200^{\circ}C$ were $23.7\;{\mu}m$ and 329 V, respectively. The leakage current of all specimens was less than $1\;{\mu}A$ at DC $82\%$ of varistor voltage. The clamping voltage ratio of the specimen sintered at $1175^{\circ}C$ was 1.37. The endurance of surge current and the deviation of varistor voltage of the specimen sintered at $1175^{\circ}C$ were 6400 $A/cm^2$ and ${\Delta}-2.81\%$, respectively. After the High Temperature Load Test(HTLT) at $85^{\circ}C$ for 1000 h, the specimen sintered at $1175^{\circ}C$ showed the lowest deviation of varistor voltage of ${\Delta}-1.92\%$.

게이트전압에 따른 나노구조 이중게이트 MOSFET의 터널링전류 변화 (Gate Voltage Dependent Tunneling Current for Nano Structure Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제11권5호
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    • pp.955-960
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    • 2007
  • 본 연구에서는 단채널효과를 감소시키기 위하여 개발되고 있는 이중게이트 MOSFET의 게이트인가 전압에 따른 터널링전류의 변화를 관찰하고자한다. 소자가 나노단위까지 스케일링되면서 터널링전류는 매우 중요한 전류요소가 되었으며 특히 차단전류를 구성하고 있는 열방사전류와 비교하면 소자의 크기가 미세해질수록 급격히 증가하는 특성을 보이고 있다. 이를 감소시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있으며 본 연구에서는 이에 부응하기 위하여 게이트 인가전압에 따른 터널링전류의 변화를 고찰할 것이다. 게이트전압에 대한 터널링전류 변화를 관찰하기 위하여 전위분포함수를 유도하였으며 전위분포함수와 터널링확률의 관계로부터 차단전류변화를 유도하였다. 이와같이 유도한 전류는 열방사전류와 비교되었으며 터널링전류 감소를 위한 유효게이트전압에 대한 관계를 유도하였다.

도핑분포함수에 따른 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이동현상 (Threshold Voltage Shift for Doping Profile of Asymmetric Double Gate MOSFET)

  • 정학기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권4호
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    • pp.903-908
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    • 2015
  • 본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따른 문턱전압이동 현상에 대하여 분석하였다. 반도체소자를 도핑시킬 때는 주로 이온주입법을 사용하며 이때 분포함수는 가우스분포를 나타내고 있다. 가우스분포함수는 이온주입범위 및 분포편차에 따라 형태를 달리하며 이에 따라 전송특성도 변화하게 된다. 그러므로 비대칭 DGMOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화는 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 문턱전압은 트랜지스터가 동작하는 최소한의 게이트전압이므로 단위폭 당 드레인 전류가 $0.1{\mu}A$ 흐를 때 상단 게이트전압으로 정의하였다. 문턱전압을 구하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식으로부터 급수형태로 유도하였다. 결과적으로 도핑농도가 증가하면 도핑분포함수에 따라 문턱전압은 크게 변하였으며 특히, 고 도핑 영역에서 하단 게이트전압에 따라 이온주입범위 및 분포편차에 의한 문턱전압의 변화가 크게 나타나는 것을 알 수 있었다.