• 대한전자공학회논문지
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• 제15권5호
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• pp.39-45
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• 1978

본 논문은 Gunn 다이오드를 이용한 Varactor튜닝 X밴드 발진기에 관하여 기술하였다. Dyadic Green함수를 이용하여 공평함에 위치한 2개의 포스트에 대한 해석을 한 다음, 입사 TE10모드에 대한 obstacle회로강을 유도하였다. 전자적 튜닝을 시키기 위하여 체역 다이나믹 응답특성과 높은 Q를 갖는 튜닝 Varactor다이오드는 안정된 발진점등은 컴퓨터 시뮬레이션에 의하여 계산하였다. 실험시 스윗칭 모드는 이동단변의 위치가 각각 18mm, 32.5mm일때 일어 났으며 varactor 튜닝 Gunn 발진기의 제반특성은 이동단락과 바이어스 전양의 변화에 가장 큰 영향을 받았다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 Techno-Fair 및 합동춘계학술대회 논문집 전기물성,응용부문
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• pp.151-152
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• 2008

In this paper, a dual band LNA (Low Noise Amplifier) with a matching circuit using varactor diode is designed for 912MHz and 2450MHz RFID system. The operating frequency is controlled by the bias voltage applied to the varactor diode. The measured results demonstrate that gain is 13.6dB and 6.8dB at 912MHz and 2450MHz. The measured NF (Noise Figure) is 1.4dB and 3.1dB at 912MHz and 2450MHz, respectively.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제20권9호
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• pp.40-44
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• 2006

This study investigated a new tuneable bandpass filter based on coplanar waveguide coupled line structure, and using the varactor diode for tuning the center frequency of the filter. The filter was designed by a commercial simulator and had a tuning range of 180[MHz] from 0.95[GHz] to 1.13[GHz]. The filter acceptable values regarding the insertion loss was less than 3[dB] and its return loss greater than 12[dB]. The figure of merit of the implemented tuneable filter increased with the reverse bias voltage up to 14[V] on the varactor diode. The proposed filter has a promising future as it can be used in integration processes and in various materials as substrate.

• 한국통신학회논문지
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• 제37권4A호
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• pp.214-218
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• 2012

본 논문에서는 FMCW(frequency modulation continuos wave) 응용에서 사용 가능한 우수한 성능의 W-band 도파관 전압조정발진기를 구현하였다. 중심주파수가 94 GHz인 도파관 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하기 위하여 GaAs 건 다이오드(Gunn diode) 및 버렉터 다이오드(varactor diode)와 저역통과필터(LPF, low pass filter)를 적용한 두 개의 바이어스 포스트(bias post)를 이용하였으며, 발진기의 동공(cavity)을 47 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였다. 제작된 전압조정발진기는 1.095 GHz의 대역폭, 1.69%의 오차율 특성을 갖는 590 MHz의 선형성 구간과 14.86~15.93 dBm의 출력전력 특성을 나타내었다. 위상잡음은 전 구간에서 -95 dBc/Hz(at 1 MHz offset) 이하의 우수한 특성을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권5호
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• pp.63-68
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• 2004

본 논문은 접지면에 새로운 형태의 PBG(photonic band gap) 구조와 바랙터에 서로 다른 바이어스 전압을 인가하여 전압에 따른 주파수의 선형성이 향상된 12㎓ VCDRO(voltage controlled dielectric resonator oscillator)를 설계하였다 접지면의 PBG 구조는 출력단에 부가적인 필터 없이 2, 3차 고조파를 억압하였으며, 마이크로스트립 라인과 결합된 유전체 공진기의 공진주파수를 정확히 해석하기 위하여 FEM(fuite element method) 시뮬레이션을 이용하여 추출된 산란계수를 VCDRO 설계에 사용하였다. 측정된 결과를 통하여 본 논문에서 제안한 기법의 유용함을 보여주었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.71-79
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• 1990

逆바이어스 電壓變化에 따라 終端된 바랙터 리액턴스 變化로부터 發生되는 反射波의 連續的인 位相變化를 擴張시키기 위하여 인덕터와 바랙터를 直列로 連結시킨 回路와 하이브리드 링이 結合된 아나로그 移相器를 動作周波數 10GHz에서 設計하였으며, 分散特性 및 不連續 影響을 考慮하여 마이크로 스트립線路로 製作하였다. 實驗結果, 逆바이어스電壓을 20V가지 變化시킴에 따라 位相은 $52.34^{\circ}$에서 $235.01^{\circ}$까지 變化되므로서 $180^{\circ}$이상의 位相變化를 얻을 수 있었으며, 傳送 損失은 -3.6~14.3dB 및 Return loss는 -16~-18dB(1.37 < VSWR < 2.3)을 나타내었다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.345-350
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• 2005

본 논문에서는 저가형 구조에 이용 가능한 X-band 대역의 push-push형 VCO를 제안하였다. 제작된 push-push형 발진기는 부가적인 바렉터 다이오드를 사용하지 않고, 컬렉터 바이어스를 가변하여 X-band에서 넓은 주파수 가변을 얻었다. 측정 결과 컬렉터 바이어스 전압을 $4\~9V$ 가변하였을 때 $10.9\cal{GHz}\~11.8\cal{GHz}$의 $900\cal{MHz}$의 주파수 가변, $-30\;\cal{dBc}$ 이하의 우수한 $f_0$ 억압 특성, $-115\;\cal{dBc/Hz}\;@\;1\;\cal{MHz}$의 위상 잡음 특성을 가졌다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권5호
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• pp.1035-1039
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• 2012

본 논문에서는 GaAs 기반의 건 다이오드(Gunn diode)와 버렉터 다이오드(varactor diode)를 사용하여 중심 주파수가 94 GHz인 도파관(waveguide) 전압조정발진기(VCO, voltage controlled oscillator)를 구현하였다. 94 GHz 신호는 동공(cavity)을 47 GHz에서 발진하도록 설계하여 2체배된 신호를 사용하였으며, 다이오드의 바이어스(bias) 포스트(post)가 저역통과필터(LPF, low pass filter) 및 공진기(resonator) 기능을 동시에 수행하도록 설계하였다. 제작된 도파관 전압조정발진기는 760 MHz의 대역폭과 12.61~15.26 dBm의 출력전력 특성을 나타내었다. 위상잡음은 -101.13dBc/Hz(at 1MHz offset)의 우수한 특성을 얻었다.

• Journal of Electrical Engineering and Technology
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• 제10권4호
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• pp.1720-1725
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• 2015

The performance of the AlGaN/GaN MSM-2DEG varactor with different dielectric films deposited by the E-beam deposition is investigated in detail. The capacitance swing and the capacitance ratio of the varactor without dielectric film as well as with, SiO₂, Gd₂O₃, and Si₃N₄ films, respectively, are determined by electrodes of varying areas. The maximum capacitance, the minimum capacitance and the capacitance ratios are proportional to the increasing of the electrode areas. The capacitance ratio determined by the maximum and the minimum capacitance is found to be 18.35 (with Si₃N₄ dielectric film) and 149.51 (without dielectric film), respectively. The transition voltages of the fabricated varactors are almost the same for a bias voltage of about ±5 V and leakage current can be lower three orders of magnitude while the varactors with dielectric films. The tunability of the capacitance ratio makes the AlGaN/GaN MSM-2DEG varactor with a dielectric film highly useful in multirange applications of a surge free preamplier.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2003년도 종합학술발표회 논문집 Vol.13 No.1
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• pp.100-103
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• 2003

A Ku-band Push-push VCO for low cost applications is proposed. The proposed push-push oscillator achieves a wide tuning range in Ku-band by the collector bias tuning instead of extra varactor diodes. The measurement shows a wide tuning range of 900MHz, fundamental suppression of -30dBc and good phase noise of -115dBc@1MHz offset.