A study has been investigated on the effect of mechanical properties (tension strength, rotary bending fatigue strength, wear resistance, hardness) according to the carbide particle size variation by the treatment of 1) quenching tempering, and 2) quenching, subzero treatment and tempering. The material used in this investigation was a typical bearing steel, high C high Cr, AISI E 52100. The result obtained in this study were as follows : (1) Finer the carbide particle size increasing the hardness and retained austenite in same quenching condition. (2) Finer the carbide particle size reduced the tension and rotary bending fatigue which were resulted from austenite grain growth and carbide precipitation on grain boundry that induced by carbide refine heat treatment. (3) Finer the carbide particel size increasing the wear resistance which were resulted by uniform distribution of carbide and increased hardness induced by microstructural uniform hardenability of matrix. (4) When the carbide particles were refinded, subzero treatment is effective only wear resistance and hardness.
Acid- and pepsin-solubilized collagens were extracted from the skin of shark (Isurus oxyrinchus) and their physicochemical properties were characterized by amino acid analysis, SDS-PAGE, the composition of collagen types, solubility and denaturation temperature. Acid - and pepsin-solubilized collagens from shark skin had an imino acid of 188.8 and 186.2 residues/1,000 amino acids, respectively. SDS-PAGE showed two different${\alpha}$ chains ($\alpha1$ and $\alpha2$) and $\beta$-component. The component ratio of type I and V was 10:1, and the type III was not found. Solubility of acid-soluble collagen was low in the range of pH 6.0 to pH 11.0. On the other hand, pepsin-solubilized collagen showed a low solubility in the range of pH 7.0-9.0. Temperature for denaturation of acid- and pepsin-solubilized collagens were $25^{\circ}C$ and $27^{\circ}C$, respectively.
Study of the main properties of PVDF films produced by two processing technologies such as hot pressing from a melt or solution casting was the aim of this paper. All samples were prepared of as-received PVDF powder. First group of samples was prepared by the hot pressing. Second group of samples was prepared by the solution casting method. PVDF powder was dissolved in dimethylformamide. To characterize properties of samples, different experimental methods such as FRA (dielectric spectroscopy), IR-spectroscopy and DSC/TGA analysis were used in this work. It was found that IR-spectra of both studied groups do not change compared to that for virgin PVDF powder. It confirms that molecular structure is practically independent on the processing technology of samples. The only difference has been found that new band centered at $1723\;cm^{-1}$ appears for samples prepared by the hot pressing method. This absorption band is related with formation of C=C bonds in samples prepared by the hot pressing method in contrast both to PVDF powder and samples prepared by the solution casting method.
We identified cdf based on screening of the Arabidopsis cDNA library for functional suppressors of the AtBI-1 (a gene described to suppress the cell death induced by Bax gene expression in yeast). The cdf was located on Chr. V and was composed of 5 exons and 4 introns. It encodes a protein of 258 amino acid residues with a molecular weight of 28.8 kDa. The protein has 3 transmembrane domains in the C-terminal region. The cdf has one homologue, named cdf2, which was found in Arabidopsis. Like cdf, cdf2 also induced growth defect in yeast. The effect of the cell growth defect factor was somewhat lower than Bax. cdf could arrest the growth of yeast. Its localization to the nucleus was essential for the suppression of yeast cell proliferation. Morphological abnormality of intracellular network, which is a hallmark of AtBI-1, was attenuated by expression of cdf.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.12
no.1
s.34
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pp.73-76
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2005
To widen the band gap of ZnO, we have investigated $Zn_{1-x}Mg_xO(ZMO)$ thin films prepared by pulsed laser deposition on c-plane sapphire substrates at $500^{\circ}C$. From X-ray diffraction patterns, ZMO films show only the (0002) and (0004) diffraction peaks. It means that the flints have the wurtzite structure. Segregation of ZnO and MgO phases is found in the films with x=0.59. All the samples are highly transparent in the visible region and have a sharp absorption edge in the UV region. The shift of absorption edge to higher energy is observed in the films with higher Mg composition. The excitonic nature of the films is clearly appeared in the spectra for all alloy compositions. The optical band-gap ($E_g$) of ZMO films is obtained from the ${\alpha}^2$ vs Photon energy plot assuming ${\alpha}^2\;\propto$ (hv - $E_g$), where u is the absorption coefficient and hv is the photon energy. The value of $E_g$ increases up to 3.72 eV for the films with x=0.35. It is important to adjust Mg composition control for controlling the band-gap of ZMO films.
A new highly salicylate-selective PVC membrane electrode based on tripodal tris-thiourea derivatives, L1 and L2, as neutral carriers is described. The electrodes display an excellent potentiometric response to salicylate ions and an anti-Hofmeister selectivity sequence in the following order: Salicylate? > ClO4 ? > Benzoate? > I? >NO3? > NO2? > Maleate? > Acetate? > Lactate? > Fumarate?. It also exhibited a near-Nernstian potential in a linear range of 5.0 × 10?5 - 1.0 × 10?1 M with a detection limit of 9.0 × 10?5 mol/L and a slope of ?59.9 mV/decade at a pH of 7.0 in a saline buffer solution at 25 oC. The stability constant (log KS) of the anionsionophore complex was also determined at 25 oC by a conductometric titration in DMSO solution.
This paper reports the characteristics of TFTs, formed inside a location-controlled grain: "single-crystalline" Si TFTs (c-Si TFTs). Position of the grains were controlled with a great precision by "${\mu}-Czochralski$ (grain-filter) process". Effects of process parameters, such as, deposition method of gate $SiO_2$, crystallization energy density and position of the channel with respect to the grain filters on TFT characteristics is investigated. It is concluded that the characteristics of TFTs drastically improved by avoiding the grain filter from the channel region. With TFTs having the current-flow direction parallel to radial direction from the grain-filter, electron mobility and subthreshold swing of 600 $cm^2/Vs$ and 0.21 V/dec. respectively are obtained.
Kim, Dae-Young;Nam, Sung-Pill;Noh, Hyun-Ji;Jo, Seo-Hyeon;Lee, Tae-Ho;Lee, Sung-Gap;Lee, Young-Hi
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.197-197
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2010
Pb(Zr,Ti)O3/BiFeO3/(PZT/BFO) multilayer thin films were coated on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by chemical solution deposition. With increasing the annealing temperature, the dielectric and leakage current density properties of multilayered PZT/BFO/PZT thin films were improved. The current density of the PZT/BFO/PZT filmannealing at $600^{\circ}C$ was about 189.39(x10-9A/cm2) at 10V. The relative dielectric constant and the dielectric loss of the PZT/BFO/PZT thin film annealing at $600^{\circ}C$ were about 318 and 0.161%, respectively.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.139-140
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2008
In this study, the photocurrent (PC) spectroscopy of undoped p-type CIS layers has been investigated at temperatures ranging from 10 to 293 K. Three peaks, A, B, and C, corresponded to the intrinsic transition from the valence band states off $\Gamma_7$(A), $\Gamma_6$(B), and $\Gamma_7$(C) to the conduction band state $\Gamma_6$, respectively. The crystal field splitting and the spin orbit splitting were found at 0.0059 and 0.2301 eV, respectively, and the temperature dependence of the optical band gap could be expressed by using the empirical equation $E_g$(T) = $E_g$(0) - $(8.57\times10^{-4)T^2$/(T + 129). But the behavior of the PC was different from that generally observed in other semiconductors: the PC intensities decreased with decreasing temperature. From the relation of log $J_{ph}$ vs 1/T, where $J_{ph}$ is the PC density, the dominant level was observed at the higher temperatures. We suggest that in undoped p-type CIS layers, the trapping center limits the PC signal due to native defects and impurities with decreasing temperature.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.7
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pp.441-446
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2017
Aluminum nitride fibers were synthesized by carbothermal reduction and nitridation of precursor fibers obtained by electrospinning. The starting materials used to synthesize the AlN fibers were $Al(NO_3)_3{\cdot}9H_2O$ and urea. Polyvinylpyrrolidone with increasing viscidity was used as the carbon source to obtain a composite solution. The mixed solution was drawn into a plastic syringe with a stainless steel needle, which was used as the spinneret and connected to a 20 kV power supply. A high voltage was supplied to the solution to facilitate the formation of a dense net of fibers on the collector. The precursor fibers were dried at $100^{\circ}C$ and then heated to $1,400^{\circ}C$ for 1 h in a microwave furnace under $N_2$ gas flow for the carbothermal reduction and nitridation. X-ray diffraction studies indicated that the synthesized fibers consisted of the AlN phase. Field emission scanning electron microscopy studies indicated that the diameter of the calcined fibers was approximately 100 nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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