• 제목/요약/키워드: V-sim

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Cu 기판위에 성장한 MgO, $MgAl_2O_4$$MgAl_2O_4/MgO$ 박막의 집속이온빔을 이용한 스퍼터링수율 측정과 이차전자방출계수 측정 (Sputtering Yield and Secondary Electron Emission Coefficient(${\gamma}$) of the MgO, $MgAl_2O_4$ and $MgAl_2O_4/MgO$ Thin Film Grown on the Cu Substrate by Using the Focused Ion Beam)

  • 정강원;이혜정;정원희;오현주;박철우;최은하;서윤호;강승언
    • 한국진공학회지
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    • 제15권4호
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    • pp.395-403
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    • 2006
  • [ $MgAl_2O_4$ ] 막은 MgO 보호막 보다 단단하며 수분 흡착 오염 문제에 상당히 강한 특성을 가진다. 본 연구에서 AC-PDP 의 유전체보호막으로 사용되는 MgO 보호막의 특성을 개선하기 위해 $MgAl_2O_4/MgO$ 이중층 보호막을 제작하여 특성을 조사하였다. 전자빔 증착기를 사용하여 Cu 기판에 MgO 와 $MgAl_2O_4$을 각각 $1000\AA$ 두께로 증착, $MgAl_2O_4/MgO$$200/800\AA$ 두께로 적층 증착 후, 이온빔에 의한 충전현상을 제거하기 위해 Al 을 $1000\AA$ 두께로 증착하였다. 집속 이온빔 (focused ion beam: FIB) 장치를 이용하여 10 kV 에서 14 kV 까지 이온빔 에너지에 따라 MgO는 $0.364{\sim}0.449$ 값의 스퍼터링 수율에서 $MgAl_2O_4/MgO$ 을 적층함으로 $24{\sim}30 %$ 낮아진 $0.244{\sim}0.357$ 값의 스퍼터링 수율이 측정되었으며, $MgAl_2O_4$는 가장 낮은 $0.088{\sim}0.109$ 값의 스퍼터링 수율이 측정되었다. g-집속이온빔 (g-FIB) 장치를 이용하여 $Ne^+$ 이온 에너지를 50 V 에서 200 V 까지 변화시켜 $MgAl_2O_4/MgO$ 와 MgO 는 $0.09{\sim}0.12$의 비슷한 이차 전자방출 계수를 측정하였다. AC- PDP 셀의 72 시간 열화실험 후 SEM 및 AFM으로 열화된 보호막의 표면을 관찰하여 기존의 단일 MgO 보호막과 $MgAl_2O_4/MgO$의 적층보호막의 열화특성을 살펴보았다.

정상 망막과 변성 망막을 위한 전기자극 파라미터 (Electrical Stimulation Parameters in Normal and Degenerate Rabbit Retina)

  • 진계환;구용숙
    • 한국의학물리학회지:의학물리
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    • 제19권1호
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    • pp.73-79
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    • 2008
  • 망막색소변성(retinitis pigmentosa: RP)과 연령 관련 황반변성(age-related Macular Degeneration: AMD)은 망막변성으로 인해 실명에 이르는 대표적인 질환이며 망막이식장치의 개발을 통해 치료될 수 있다고 간주되고 있다. 최근에 국내에서도 망막이식장치 개발을 위한 연구팀이 조직되었다. 성공적인 망막이식장치 개발을 위하여 여러 가지 선결요소가 필요하지만 그 중 한 가지가 이식장치에 인가할 전기자극을 최적화하는 것이다. 변성망막의 전기적 특성은 정상 망막과 다르리라 예측되므로 우리는 장차 개발될 망막 이식장치에 인가할 전기자극 최적화를 위한 가이드라인을 제공하기 위해 정상 망막과 변성 망막의 전압자극 파라미터에 관한 실험을 하였다 망막을 분리한 후 망막절편을 신경절세포 층이 다채널전극의 표면을 향하게 하여 전극에 붙인다 in-vitro 상태에서 망막 신경절세포의 전기신호를 기록하기 위해 전극 직경: $30{\mu}m$, 전극간 거리: $200{\mu}s$, 전극 임피던스 1kHz 에서 $50k{\Omega}$인 8행 8열의 다채널전극을 사용하였다. 다채널전극의 60채널 중 두 채널을 자극전극과 접지로 사용하여 단극전기자극을 인가하였고 나머지 전극을 기록전극으로 사용하였다. 가한 전기자극은 전압자극으로 전하균형을 맞춘 이상성자극을 아노딕 사각파를 먼저 주고 캐쏘딕 사각파가 나중에 나오는 형태로 두 사각파간의 지체는 없도록 하였으며 동일한 자극을 2초 간격으로 50회 반복하여 인가하였다. 다양한 전기자극을 사용하였는 바 첫째는 사각파의 크기를 달리하였다 $(0.5{\sim}3V)$. 둘째는 사각파의 시간을 달리하였다 $(100{\sim}1,200{\mu}s)$. 전하밀도는 옴의 법칙과 쿨롱의 법칙을 이용하여 계산하였다. 전기자극으로 유발된 반응은 50회 자극에 대한 평균치를 얻은 후 자극 후 히스토그램(PSTH)을 그려 분석하였다. 전압자극의 크기를 $0.5{\mu}3V$로 달리하였을 때 믿을 만한 망막신경절세포가 유발되는 자극은 1.5V이었고 이때 계산된 전하밀도의 역치는 $2.123mC/cm^2$이었다. 전압의 크기를 2V로 고정하고 자극 지속시간을 $100{\sim}1,200{\mu}s$로 달리하였을 때 믿을 만한 망막신경절세포가 유발되는 자극의 역치는 $300{\mu}s$에서 관찰되었다. 이때 계산된 전하밀도의 역치는 $1.698mC/cm^2$이었다. L-(1)-2-amino-4-phosphonobutyric acid (APB)을 사용하여 ON-경로를 차단한 후에 전기자극을 인가하였을 때도 자극에 의해 망막신경절 세포의 반응이 유발되는 것을 확인하였다. APB-변성망막에서 전압의 크기를 2V로 고정하고 자극 지속시간을 $100{\sim}1,200{\mu}s$로 달리하였을 때 믿을 만한 망막신경절세포가 유발되는 자극의 역치는 $300{\mu}s$에서 관찰되었으며 이는 정상망막의 결과와 같았다. 추후 APB-변성망막을 가지고 좀더 실험이 진행되어야 정상망막과 변성망막의 전하밀도에 관한 명료한 비교가 가능할 것이다.

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마이크로 스펙트로미터 적외선 센서용 저응력 $Si_3N_4$ Membrane 상에서의 Thermopile 제조 및 특성 (Fabrication and Characterization of Thermopile on Low-Stress $Si_3N_4$ Membrane for Microspectrometer Infrared Sensor)

  • 최공희;박광범;박준식;정관수
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2005년도 추계종합학술대회
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    • pp.781-784
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    • 2005
  • Twenty four types of thermopile for micro spectrometer infrared sensors were fabricated on low-stress $Si_3N_4$ membranes with $1.2{\mu}m-thickness$ using MEMS technology. Poly-Si thin film with thickness of 3500 ${\AA}$ as the first thermocouple material, was deposited by LPCVD method. And aluminum thin film with thickness of 6000 ${\AA}$ as the second thermocouple material, was deposited by sputtering method. Thermopile were designed and fabricated for optimum conditions by five parameters of thermocouple numbers (16 ${\sim}$ 48), thermocouple line widths (10 ${\mu}m$ ${\sim}$ 25 ${\mu}m$), thermocouple lengths (100 ${\mu}m$ ${\sim}$ 500 ${\mu}m$), membrane areas ($1^2\;mm^2$ ${\sim}$ $2.5^2\;mm^2$) and junction areas (150 ${\mu}m^2$ ${\sim}$ 750 ${\mu}m^2$), respectively. Electromotive forces of fabricated thermopile were measured 1.1 mV ${\sim}$ 7.4 mV at $400^{\circ}C$. It was thought that measurement results could be used for thermopile infrared sensors optimum structure for micro spectrometers.

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Does Age Influence the Poor Prognosis after Aneurysmal SAH Surgery in Elderly Patients?

  • Sim, Jong-Eun;Kim, Hyung-Dong;Song, Young-Jin;Noh, Seung-Jin
    • Journal of Korean Neurosurgical Society
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    • 제40권5호
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    • pp.357-362
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    • 2006
  • Objective : The incidence of aneurysmal subarachnoid hemorrhage has been increasing. At the same time, surgical results for elderly patients are unsatisfactory and no guidelines of treatment are available. We carried out a study comparing variable factors and surgical results between young and old age groups to find ways to improve prognosis. Methods : A retrospective study was carried out on 754 patients who were operated on between 1990 and 2004 by the same surgeon in our hospital. The patients were divided into seven groups according to age : 93 patients below 40 years of age [Group I], 419 patients aged $40{\sim}59$ [Group II], 115 patients aged $60{\sim}64$ [Group III], 82 patients aged $65{\sim}69$ [Group IV], 28 patients aged $70{\sim}74$ [Group V], 12 patients aged $75{\sim}79$ [Group VI] and 5 patients over the age of 80 [Group VII]. We then checked their medical history, Fisher's grade, Hunt-Hess grade, postoperative complications, and Glasgow Outcome Scale. Results : Age was not a statistically significant factor among patients below 70 years of age [P $value{\ge}0.05$]. But for those aged 70 and older, the age factor had a statistical value [P $value{\le}0.001$]. In addition, there was a close correlation between Hunt-Hess grade IV and V patients, and those with vasospasm, and hydrocephalus after surgery, with poor prognosis in elderly patients as well as young patients [P $value{\le}0.001$]. Conclusion : Advanced age [under the age of 70] dose not precluded adequate surgical treatment in patient with AN SAH, and we should be also alert to preventable causes of delayed neurological deterioration for improving the outcome in all elderly groups.

63Sn-37Pb 솔더 스트립에서의 Electromigration 거동 (Electromigration Behavior in the 63Sn-37Pb Solder Strip)

  • 임승현;최재훈;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제11권2호
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    • pp.53-58
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    • 2004
  • 63Sn-37Pb 공정솔더의 electromigration 현상을 용이하게 관찰하기 위해 63Sn-37Pb 공정솔 더를 증착하여 스트립 형태의 시편을 제작 후 electromigration 테스트를 실시하였다. $80{\sim}150^{\circ}C$의 온도 및 $1{\times}10^4{\sim}1{\times}10^5\;A/cm^2$의 전류밀도에서 electromigration 테스트시 스트립 형상의 63Sn-37Pb 솔더 합금에서 hillock과 void의 발생이 관찰되었으며, 온도와 전류밀도가 높아질수록 void의 형성이 빨라져서 평균파괴시간이 단축되었다. 평균파괴시간을 이용하여 Black의 식으로부터 구한 63Sn-37Pb 솔더 스트립의 electromigration에 대한 활성화 에너지는 $0.16{\sim}0.5\;eV$이었다.

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마이크로웨이브 다중 대역 수신기용 Ku-대역 전압 제어 발진기 설계 및 구현 (Design and Implementation of Ku-Band VCO for Microwave Multi-Band Receiver)

  • 고민호;조호윤;박효달
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제20권9호
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    • pp.853-861
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    • 2009
  • X-대역, Ku-대역, K-대역 및 Ka-대역의 신호를 수신할 수 있는 다중 대역 수신기의 구조를 제안하고 이를 구현하기 위해서 요구되는 광대역 및 높은 출력 전력 특성을 갖는 전압 제어 발진기를 설계 제작하였다. 완충단을 갖는 전압 제어 발진기는 정상 상태 조건에서 발진부의 특성이 완충단에 의해 영향을 받지 않도록 발진부의 출력 임피던스와 완충단의 입력 임피던스가 직교 교차하도록 설계하였다. 제작한 전압 제어 발진기는 튜닝 전압 $0.0{\sim}8.0\;V$에서 $14.00{\sim}15.20\;GHz$ 대역폭을 나타내었고, $12{\sim}13\;dBm$ 출력 전력 특성을 나타내어 다중 대역 수신기에서 요구하는 특성을 만족하였다.

마이크로스트립 사각 개방 루프 공진기와 가변 부성 저항을 이용한 저위상 잡음 Push-Push 전압 제어 발진기 (Low Phase Noise Push-Push VCO Using Microstrip Square Open Loop Resonator and Tunable Negative Resistance)

  • 최재원;서철헌
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제18권8호
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    • pp.847-853
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    • 2007
  • 본 논문에서는 마이크로스트립 사각 개방 루프 공진기와 가변 부성 저항을 이용한 향상된 push-push 전압제어 발진기를 제시하였다. 마이크로스트립 사각 개방 루프 공진기는 큰 결합 계수 값을 갖는데, 이는 Q값을 크게 만들고, 전압 제어 발진기의 위상 잡음을 줄인다. 1.8V의 공급 전압을 사용한 전압 제어 발진기는 $5.744{\sim}5.859GHz$의 주파수 조절 범위에서 $-124.67{\sim}-122.67dBc/Hz\;@\;100 kHz$의 위상 잡음 특성을 갖는다. 이 전압 제어 발진기의 FOM은 같은 주파수 조절 범위에서 $-202.83{\sim}-201dBc/Hz\;@\;100 kHz$의 값을 갖는다. 마이크로 스트립 사각 개방 루프 공진기를 이용한 단일 종단 전압 제어 발진기와 마이크로스트립 공진기를 이용한 push-push 발진기와 비교했을 때 개선된 위상 잡음 특성은 각각 -8.51 dB와 -33.67 dB이다.

Atomic Force Microscopy을 이용한 4H-SiC의 Local Oxidation (Local oxidation of 4H-SiC using an atomic force microscopy)

  • 조영득;방욱;김상철;김남균;구상모
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.79-80
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    • 2009
  • The local oxidation using an atomic force microscopy (AFM) is useful for Si-base fabrication of nanoscale structures and devices. SiC is a wide band-gap material that has advantages such as high-power, high-temperature and high-frequency in applications, and among several SiC poly types, 4H-SiC is the most attractive poly type due to the high electron mobility. However, the AFM local oxidation of 4H-SiC for fabrication is still difficult, mainly due to the physical hardness and chemical inactivity of SiC. In this paper, we investigated the local oxidation of 4H-SiC surface using an AFM. We fabricated oxide patterns using a contact mode AFM with a Pt/Ir-coated Si tip (N-type, $0.01{\sim}0.025\;{\Omega}cm$) at room temperature, and the relative humidity ranged from 40 to 50%. The height of the fabricated oxide pattern ($1{\sim}3\;nm$) on SiC is similar to that of typically obtained on Si ($10^{15}{\sim}10^{17}\;cm^{-3}$). We perform the 2-D simulation to further analyze the electric field between the tip and the surface. Whereas the simulated electric field on Si surface is constant ($5\;{\times}\;10^7\;V/m$), the electric field on SiC surface increases with increasing the doping concentration from ${\sim}10^{15}$ to ${\sim}10^{17}\;cm^{-3}$. We demonstrated that a specific electric field ($4\;{\times}\;10^7\;V/m$) and a doping concentration (${\sim}10^{17}\;cm^{-3}$) is sufficient to switch on/off the growth of the local oxide on SiC.

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V형직선선형(V型直線船型)의 특징(特徵) (Some Characteristics of Straight-Framed V-Bottom Hull Forms.)

  • 김극천
    • 대한조선학회지
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    • 제1권1호
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    • pp.9-16
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    • 1964
  • As a pre-study for researches on powering characteristics of straight-framed V-bottom hull forms for usual commercial vessels, practicability of such a hull is investigated from viewpoints of over-all ship economy. For this purpose, a trawler hull of straight-elements with double chines, SV(T)-1, similar to Prof. Nevitt's W-8 in size and hull form coefficients was designed and tested at the SNU Ship Model Towing Tank for resistance measurements. The result is given in Fig.3 together with those of W-8 and other equivalent hulls of double curvature, such as FAO 135a-173, Doust and Takgi. The curves of the latters are reproduction of Prof. Nevitt's analysis, and given for comparison purpose. With in speed range of $9.0{\sim}10.5$ konts the resistance coefficients of SV(T)-1 are $18{\sim}25%$ higher than those of W-8, and $5{\sim}20%$ and $12{\sim}14%$ higher than those of FAO 135a-173 and Doust respectively. SV(T)-1, however, is slightly superior in resistance characteristics than Takagi's equivalent hull within the speed range. On the other hand, an equation for reduction rates of hull construction cost required to compensate for propulsion power increase in straight-elements hulls was derived from the definition of the economic efficiency of commercial vessels. The solution of the equation is given in Fig.4 graphically, from which it is known that $10{\sim}20%$ increase in propulsion power can be compensated by $8{\sim}16%$ reduction in hull construction cost. Considering simplicity and less equipments required in construction of straight -elements hulls, the author does argue for attainability of the above reduction rates in hull construction cost. Consequently, it is concluded that there is clear feasibility to adopt straight-elements hulls for usual commercial vessels of medium and small-size. And a further research will be done to obtain reliable data for chine shapes having good flowliness with the flow around ships depending on ship's size and speed.

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마이크로스트립 사각 개방 루프 SRR(Split Ring Resonator)를 이용한 저위상 잡음 전압 제어 발진기 (Low Phase Noise VCO using Microstrip Square Open Loop Split Ring Resonator)

  • 최재원;서철헌
    • 대한전자공학회논문지TC
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    • 제44권12호
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    • pp.22-27
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    • 2007
  • 본 논문에서는 마이크로스트립 사각 개방 루프 Split Ring 공진기 (OLSRR)를 이용하여 개선된 전압 제어 발진기를 위상 잡음을 줄이기 위하여 제안하였다. 이 목적을 위하여 마이크로스트립 사각 개방 루프의 형태를 갖는 사각형의 Split Ring 공진기에 대하여 연구하였다. 마이로스트립 사각 개방 루프 공진기와 비교할 경우, 마이크로스트립 사각 개방 루프 Split Ring 공진기는 더 큰 결합 계수를 갖으며, 이로 인하여 얻을 수 있는 더 높은 Q 값을 통하여 전압 제어 발진기의 위상 잡음을 줄일 수 있다. 1.7 V의 공급 전력을 갖는 전압 제어 발진기는 주파수 조절 범위, $5.746\sim5.854$ GHz에서 $-120\sim-116.5$ dBc/Hz @ 100 kHz의 위상 잡음 특성을 갖는다. 이 전압 제어 발진기의 FOM은 같은 주파수 조절 범위에서 $-200.33\sim-197$ dBc/Hz @ 100 kHz를 갖는다.