• 제목/요약/키워드: V-Fe-N system

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Synthesis and Characterization of Dense Ceramic Membranes for Methane Conversion - Part II

  • Santos, A.;Fontes, V.A.;Fontes, F.A.Oliveira;De Sousa, J.F.;De Souza, C.P.
    • 한국분말야금학회:학술대회논문집
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    • 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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    • pp.1112-1113
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    • 2006
  • The perovskite- type oxide $(ABO_3)$ containing transition metals on the B-site show mixed (electronic/ionic) conductivity. These mixed-conductivity oxides are promising materials for oxygen permeating membranes. The main objective of this research work is to synthesize and characterization ceramic powders of the Sr-Co-Fe-O system for methane conversion using membrane reactor. SCFO powders were synthesized from the route was based on the complex method of combination of acid EDTA and citrate and shown be available by control efficient of synthesis to performed $SrCo_{0.8}Fe_{0.2}O_{3-\delta$, moreover, it presented easy implementation, reproducibility and operation. Powder ceramic was characterized by XRD, microscopic optic, SEM and TG-DTA.

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HFCVD 다이아몬드 박막 제작에서의 질소 첨가 효과

  • 이성현;권민철;박홍준
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.55-55
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    • 1999
  • HFCVD system을 이용한 다이아몬드 박막 제작시에 암모니아를 첨가하여 질소가 첨가된 다이아몬드 박막을 제작하였다. HFCVD에 의한 일반적인 다이아몬드 박막속에 질소가 잘 들어가지 않는 것으로 나타았다. 이는 C-N 결합에너지가 C-C 결합에너지 보다 낮으므로 C-C 결합이 만들어 지는 환경에서 C-N 결합이 매우 불안정해지기 때문으로 추정된다. 따라서 본 연구에서는 암모니아를 첨가할 때 필라멘트의 온도를 100도 정도 낮추었으며, 다이아몬드의 Quality를 유지하고 박막내에 불안정한 C-N 결합이 게속 존재하도록 하기 위하여 암모니아 첨가 후 다시 순수한 다이아몬드 박막을 증착하였다. 보다 균질한 질소 첨가 다이아몬드 박막을 제작하기 이하여 1시간 단위로 위의 과정을 반복하여 5시간 박막을 증착하였다. 또한 N도핑 다이아몬드 박막의 표면 저항이 도핑되지 않은 다이아몬드 박막보다 약 106 정도 크기 때문에 박막 증착의 마무리는 순수한 다이아몬드 증착으로 하였다. 메탄에 대한 암모니아의 첨가비를 변화시켜가며 만들어진 다이아몬드 박막의 특성을 알아보기 위하여 SEM, XRD, Raman spectra를 이용하여 표면의 morphology 와 Quality를 조사하였고, FT-IR을 이용하여 박막내의 질소 첨가 유무를 확인하였으며, FE 측정과 I-V 특성 곡선을 측정하여 전기적 특성을 알아보았다. 실험결과 메탄에 대한 암모니아의 첨가비가 커짐에 따라 다이아몬드의 Quality는 조금 떨어졌지만, 좋은 전기적 특성이 나타나는 것을 확인할 수 있었다.

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메모리소자 응용을 위한 초박막의 제작 및 특성 평가 (Evaluation of the fabrications and properties of ultra-thin film for memory device application)

  • 정상현;최행철;김재현;박상진;김광호
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2006년도 하계학술대회 논문집 Vol.7
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    • pp.169-170
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    • 2006
  • In this study, ultra thin films of ferroelectric vinylidene fluoride-trifluoroethylene (VF2-TrFE) copolymer were fabricated on degenerated Si (n+, $0.002\;{\Omega}{\cdot}cm$) using by spin coating method. A 1~5 wt% diluted solution of purified vinylidene fluoride-trifluoroethylene (VF2:TrFE=70:30) in a dimethylformamide (DMF) solvent were prepared and deposited on silicon wafers at a spin rate of 2000~5000rpm for 30 seconds. After annealing in a vacuum ambient at $200^{\circ}C$ for 60 min, upper gold electrodes were deposited by vacuum evaporation for electrical measurement. X-ray diffraction results showed that the VF2-TrFE films on Si substrates had $\beta$-phase of copolymer structures. The capacitance on $n^+$-Si(100) wafer showed hysteresis behavior like a butterfly shape and this result indicates clearly that the dielectric films have ferroelectric properties. The typical measured remnant polarization (2Pr) and coercive filed (EC) values measured using a computer controlled a RT-66A standardized ferroelectric test system (Radiant Technologies) were about $0.54\;C/cm^2$ and 172 kV/cm, respectively, in an applied electric field of ${\pm}0.75\;MV/cm$.

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Chemical Composition of RM_1-390 - Large Magellanic Cloud Red Supergiant

  • Yushchenko, Alexander V.;Jeong, Yeuncheol;Gopka, Vira F.;Vasil'eva, Svetlana V.;Andrievsky, Sergey M.;Yushchenko, Volodymyr O.
    • Journal of Astronomy and Space Sciences
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    • 제34권3호
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    • pp.199-205
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    • 2017
  • A high resolution spectroscopic observation of the red supergiant star RM_1-390 in the Large Magellanic Cloud was made from a 3.6 m telescope at the European Southern Observatory. Spectral resolving power was R=20,000, with a signal-to-noise ratio S/N > 100. We found the atmospheric parameters of RM_1-390 to be as follows: the effective temperature $T_{eff}=4,250{\pm}50K$, the surface gravity ${\log}\;g=0.16{\pm}0.1$, the microturbulent velocity $v_{micro}=2.5km/s$, the macroturbulence velocity $v_{macro}=9km/s$ and the iron abundance $[Fe/H]=-0.73{\pm}0.11$. The abundances of 18 chemical elements from silicon to thorium in the atmosphere of RM_1-390 were found using the spectrum synthesis method. The relative deficiencies of all elements are close to that of iron. The fit of abundance pattern by the solar system distribution of r- and s-element isotopes shows the importance of the s-process. The plot of relative abundances as a function of second ionization potentials of corresponding chemical elements allows us to find a possibility of convective energy transport in the photosphere of RM_1-390.

중질소(重窒素)를 이용(利用)한 수도품종(水稻品種) 및 시용시기(施用時期)에 따른 토양(土壤) 및 시비(施肥) 질소(窒素)의 효율(效率) -V 포장(圃場)에서 ^{15}N$의 국지시용(局地施用)- (Efficiency of Soil and Fertilizer Nitrogen in Relation to Rice Variety and Application Time, Using ^{15}N$ Labeled $Fertilizer_{1)}$ -V. ^{15}N$ Point application in fields-)

  • 박훈;목성균;석순종
    • Applied Biological Chemistry
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    • 제25권4호
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    • pp.232-238
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    • 1982
  • 농가포장(農家圃場)(13개소(個所))에서 중질소비시험결과(重窒素肥試驗結果) 80%의 포장(圃場)에서 이용율(利用率)은 감법(減法)의 경우가 표식법(標識法)의 경우보다 높았으며 비료질소(肥料窒素)에 의(依)한 토양질소흡수(土壤窒素吸收)가 조장(助長)된 것을 나타낸다. 이 두 방법(方法)의 값은 포장간(圃場間)에에 류사(類似)한 경향(傾向)을 보였다. 황피뇨소(黃皮尿素)와 국지시용(局地施用)은 시비효율(施肥效率)(시비질소(施肥窒素) 당증수량(當增收量), Fe)을 분시(分施)의 15에서 23으로 증대(增大)시켰는데 이는 이용율(利用率)(Ef)을 29에서 50으로 증대시킨 때문이며 흡수시비질소효율(吸收施肥窒素效率)(Ef)은 50에서 46으로 감소하는 경향(傾向)을 보였다. 통일계(統一系)의 다수확능(多收穫能)은 흡수시비질소효율(吸收施肥窒素效率), 전이율(轉移率) 및 토양질소선호지수(土壤窒素選好指數)(시비질소흡수증가량(施肥窒素吸收增加量)에 대(對)한 토양질소흡수증가량(土壤窒素吸收增加量)의 비(比) PI)가 큰데 기인한 것 같다. 일련의 본(本) 연구(硏究)는 시비체계하(施肥體系下)의 수량(收量)은 이용율(利用率)과 흡수시비질소효율(吸收施肥窒素效率)의 적(積)인 시비효율(施肥效率)에 의존(依存)하며 비료(肥料)의 형태(形態)나 시비시기(施肥時期) 및 방법(方法) 등(方法) 시비관리(施肥管理)는 주(主)로 이용율(利用率)을 증대(增大)시키고 이용율(利用率)의 한계(限界)는 품종(品種) 특성(特性)에 주(主)로 기인(基因)하는 흡수시비질소효율(吸收施肥窒素效率)에 의(依)하여 조정(調整)됨을 보였다.

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Process Characteristics and Applications of High Density Plasma Assisted Sputtering System (HiPASS)

  • 양원균;김기택;이승훈;김도근;김종국
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.95-95
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    • 2013
  • 박막 공정 기술은 반도체 및 디스플레이뿐만 아니라 대부분의 전자소자에 적용되는 매우 중요한 기술이다. 그 중, 마그네트론 스퍼터링 공정은 플라즈마를 이용하여 금속 및 세라믹 등의 벌크 물질을 박막으로 증착 가능한 가장 널리 사용되는 방법 중의 하나이다. 하지만, Fe, Co, Ni 같은 강자성체 재료는 공정이 불가능하며, 스퍼터링 타겟 효율이 40% 이하이고, 제한적인 방전압력 범위 및 전류 상승에 의한 높은 전압 인가 제한이 있다는 단점이 있다. 본 연구에서 사용된 고밀도 플라즈마 소스를 적용한 고효율 스퍼터링 시스템은 할로우 음극을 이용한 원거리에서 고밀도 플라즈마를 생성하여 전자석 코일을 통해 자석이 없는 음극으로 이온을 수송시켜 스퍼터링을 일으킨다. 따라서 강자성체 재료의 스퍼터링이 가능하며, 90% 이상의 타겟 사용 효율 구현 및 기존 마그네트론 스퍼터링 대비 고속 증착이 가능하다. 또한, $10^{-4}$ Torr 압력영역에서 방전 및 스퍼터링이 가능하다. 타겟 이온 전류를 타겟 인가 전압과 관계없이 0~4 A까지, 타겟 이온 전류와 상관없이 타겟 인가 전압을 70~1,000 V 이상까지 독립적으로 제어가능하다. 또한 TiN과 같은 질소 반응성 공정에서 반응성 가스인 질소를 40%까지 넣어도 타겟에 수송되는 이온의 양에 영향이 없다. 할로우 음극 방전 전류 40 A에서 발생된 플라즈마의 이온에너지 분포는 55 eV에서 가우시안 분포를 보였으며, 플라즈마 포텐셜인 sheath drop은 74 V 였다. OES를 통한 광학적 진단 결과, 전자석에 의한 이온빔 초점에 따라 플라즈마 이온화율을 1.8배까지 증가시킬 수 있으며, 할로우 음극 방전 전류가 60~100 A로 증가하면서 플라즈마 이온화율을 6배까지 증가 가능하다. 또한, 타겟 이온 전류와 관계없이 타겟 인가 전압을 300~800 V로 증가시킴에 따라 Ar 이온 밀도의 경우 1.4배 증가, Ti 이온 밀도의 경우 2.2배 증가시킬 수 있었으며, TiN의 경우 증착 속도도 16~44 nm/min으로 제어가 가능하다.

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Magnetic resonance study on boron substituted amorphous FeZrMn alloys

  • A.N.Ulyanov;Tian, Sheng-Bo;Kim, Kyeong-Sup;V.Srinivas;Yu, Seong-Cho
    • 한국자기학회:학술대회 개요집
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    • 한국자기학회 2003년도 하계학술연구발표회 및 한.일 공동심포지엄
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    • pp.90-91
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    • 2003
  • Amorphous magnetic materials with competing magnetic interactions are the subject of current interest. Critical behaviour studies have been performed in order to understand the nature of the phase transition at the Curie point (T$\sub$c/) and type of magnetic ordering below the T$\sub$c/. In some cases there exists a temperature interval in which the magnetic system consists of ferromagnetic grains separated by the paramagnetic interlayers. Magnetic properties of nanoparticles embedded in amorphous matrix also are the subject of recent interest. While these materials exhibit excellent soft magnetic properties at room temperature, some of them have been found to be superparamagnetic in the temperature range above the T$\sub$c/ of the matrix. Thus the role of different magnetic phases in the intergrain magnetic coupling can possibly be taken apart in a sufficiently broad temperature range and investigated separately. In particular materials with competing magnetic exchange interactions show characteristics of enhanced magnetoresistance and softer magnetic properties when magnetic nanocrystals are dispersed in amorphous matrix. We expect careful magnetic measurements in the vicinity of T$\sub$c/ would throw some light on magnetic behaviour of above materials. We present here the FMR analysis of Fe$\sub$82/Mn$\sub$8-x/B$\sub$x/Zr$\sub$10/ alloy near the Curie point.

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Fabrication of Nd-Substituted Bi4Ti3O12 Thin Films by Metal Organic Chemical Vapor Deposition and Their Ferroelectrical Characterization

  • Kim, Hyoeng-Ki;Kang, Dong-Kyun;Kim, Byong-Ho
    • 한국세라믹학회지
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    • 제42권4호
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    • pp.219-223
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    • 2005
  • A promising capacitor, which has conformable step coverage and good uniformity of thickness and composition, is needed to manufacture high-density non-volatile FeRAM capacitors with a stacked cell structure. In this study, ferroelectric $Bi_{3.61}Nd_{0.39}Ti_3O_{12}$ (BNdT) thin films were prepared on $Pt(111)/TiO_2/SiO_2/Si$ substrates by the liquid delivery system MOCVD method. In these experiments, $Bi(ph)_{3}$, $Nd(TMHD)\_{3}$ and $Ti(O^iPr)_{2}(TMHD)_{2}$ were used as the precursors and were dissolved in n-butyl acetate. The BNdT thin films were deposited at a substrate temperature and reactor pressure of approximately $600^{\circ}C$ and 4.8 Torr, respectively. The microstructure of the layered perovskite phase was observed by XRD and SEM. The remanent polarization value (2Pr) of the BNdT thin film was $31.67\;{\mu}C/cm^{2}$ at an applied voltage of 5 V.

RFCVD 장치를 이용하여 성장한 실리콘 나노와이어의 특성 (Properties of Silicon Nanowires grown by RFCVD)

  • 김재훈;이형주;신석승;김기영;고춘수;김현숙;황용규;이충훈
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제20권2호
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    • pp.101-105
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    • 2007
  • We have synthesized silicon nanowires by using RFCVD(Radio Frequency Chemical Vapor Deposition) system on Au deposited p-type Si(100) wafers, and investigated their physical and electrical properties. The silicon nanowires had been grown in the atmospheres of $H_{2},\;N_{2}\;and\;SiH_{4}$ at 10 Torr at the substrate temperatures of $700{\pm}5^{\circ}C\;and\;810{\pm}5^{\circ}C$ respectively. FE-SEM analysis revealed that diameters of the silicon nanowires are $50{\sim}60nm$ with the length of several ${\mu}m$. XRD analysis showed that the growth direction of the nanowires is Si[111]. Field emission characteristics showed that the turn-of voltages at the current of $0.01\;mA/cm^{2}$ are $10\;V/{\mu}m\;and\;8.5\;V/{\mu}m$ for the wires grown at $700{\pm}5^{\circ}C\;and\;810{\pm}5^{\circ}C$, respectively.

전리수를 이용한 Si 웨이퍼 세정의 IR 특성연구 (A Study on IR Characterization of Electrolyzed Water for Si Wafer Cleaning)

  • Byeongdoo Kang;Kunkul Ryoo
    • 한국산학기술학회:학술대회논문집
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    • 한국산학기술학회 2001년도 춘계학술대회 발표논문집
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    • pp.124-128
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    • 2001
  • A present semiconductor cleaning technology is based upon RCA cleaning technology which consumes vast amounts of chemicals and ultra pure water(UPW) and is the high temperature Process. Therefore, this technology gives rise to the many environmental issues, and some alternatives such as functional water cleaning are being studied. The electrolyzed water was generated by an electrolysis system which consists of anode, cathode, and middle chambers. Oxidative water and reductive water were obtained in anode and cathode chambers, respectively. In case of NH$_4$Cl electrolyte, the oxidation-reduction potential and pH for anode water(AW) and cathode water(CW) were measured to be +1050mV and 4.8, and -750mV and 10.0, respectively. AW and CW were deteriorated after electrolyzed, but maintained their characteristics for more than 40 minutes sufficiently enough for cleaning. Their deterioration was correlated with CO$_2$ concentration changes dissolved from air. It was known that AW was effective for Cu removal, while CW was more effective for Fe removal. The particle distributions after various particle removal processes maintained the same pattern. In this work, RCA consumed about 9$\ell$chemicals, while EW did only 400$m\ell$ HCI electrolyte or 600$m\ell$ NH$_4$Cl electrolyte. It was hence concluded that EW cleaning technology would be very effective for eliminating environment, safety, and health(ESH) issues in the next generation semiconductor manufacturing.