• 제목/요약/키워드: V-Band

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A D-Band Integrated Signal Source Based on SiGe 0.18μm BiCMOS Technology

  • Jung, Seungyoon;Yun, Jongwon;Rieh, Jae-Sung
    • Journal of electromagnetic engineering and science
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    • 제15권4호
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    • pp.232-238
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    • 2015
  • This work describes the development of a D-band (110-170 GHz) signal source based on a SiGe BiCMOS technology. This D-band signal source consists of a V-band (50-75 GHz) oscillator, a V-band amplifier, and a D-band frequency doubler. The V-band signal from the oscillator is amplified for power boost, and then the frequency is doubled for D-band signal generation. The V-band oscillator showed an output power of 2.7 dBm at 67.3 GHz. Including a buffer stage, it had a DC power consumption of 145 mW. The peak gain of the V-band amplifier was 10.9 dB, which was achieved at 64.0 GHz and consumed 110 mW of DC power. The active frequency doubler consumed 60 mW for D-band signal generation. The integrated D-band source exhibited a measured output oscillation frequency of 133.2 GHz with an output power of 3.1 dBm and a phase noise of -107.2 dBc/Hz at 10 MHz offset. The chip size is $900{\times}1,890{\mu}m^2$, including RF and DC pads.

적응형 레이다를 위한 다중대역 혼합기에 관한 연구 (The Study on Multi-band Mixer for Adaptive Radar)

  • 고민호;강세벽
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.1053-1058
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    • 2021
  • 본 논문은 능동소자에 인가되는 게이트 바이어스 전압을 가변하여 X-, K- 및 Ka-대역 신호를 선택적으로 변환할 수 있는 다중대역 혼합기를 제안하였다. 제안한 다중대역 혼합기는 LO 전력 +6 dBm으로 구동하였고 X-대역의 경우, 게이트 바이어스 전압 -0.8 V에서 변환손실 -10 dB 특성, K-대역에서 게이트 바이어스 전압 -0.3 V에서 변환손실 -9 dB 특성, Ka-대역에서는 게이트 바이어스 전압 -0.2 V에서 변환손실 -7.0 dB 특성을 나타내었다. 모든 대역에서 1-dB 압축점 (P1dB)은 +0.5 dBm 특성을 나타내었다.

60 GHz 무선 LAN의 응용을 위한 고이득 저잡음 증폭기에 관한 연구 (Studies on the High-gain Low Noise Amplifier for 60 GHz Wireless Local Area Network)

  • 조창식;안단;이성대;백태종;진진만;최석규;김삼동;이진구
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권11호
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    • pp.21-27
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    • 2004
  • 본 논문에서는 60 GHz 무선 LAN(wireless local area network) 응용을 위해 0.1 ㎛ Γ-gate pseudomorphic high electron mobility transistor(PHEMT)를 이용하여 V-band용 millimeter-wave monolithic integrated circuit(MIMIC) 저잡음 증폭기를 설계 및 제작하였다. 본 연구에서 개발한 PHEMT의 DC 특성으로 드레인 포화 전류 밀도(Idss)는 450 mA/mm, 최대 전달컨덕턴스(gm, max)는 363.6 mS/mm를 얻었으며, RF 특성으로 전류이득 차단주파수(fT)는 113 GHz, 최대 공진 주파수(fmax)는 180 GHz의 성능을 나타내었다. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 개발을 위해 PHEMT의 비선형 모델과 CPW 라이브러리를 구축하였으며, 이를 이용하여 V-band MIMIC 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 V-band MIMIC 저잡음 증폭기는 본 연구에서 개발된 PHEMT 기반의 MIMIC 공정을 이용해 제작되었으며, V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 측정결과, 60 GHz에서 S21이득은 21.3 dB, 입력반사계수는 -10.6 dB 그리고 62.5 GHz에서 출력반사계수는 -29.7 dB의 특성을 나타내었다. V-band MIMIC 저잡음 증폭기의 잡음지수 측정결과, 60 GHz에서 4.23 dB의 특성을 나타내었다.

저전압 EEPROM IP용 DC-DC Converter 설계 (Design of DC-DC Converter for Low-Voltage EEPROM IPs)

  • 장지혜;최인화;박영배;김려연;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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    • pp.852-855
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    • 2012
  • 본 논문에서는 FN(Fowler-Nordheim) 터널링 방식에 의한 program 동작과 band-to-band 터널링 방식에 의한 erase 동작을 수행하는 EEPROM IP용 DC-DC converter를 설계하였다. 로직전압으로 $1.5V{\pm}10%$의 저전압을 사용하는 EEPROM IP용 DC-DC converter는 charge pump 회로의 pumping stage 수와 pumping capacitance를 줄이기 위해 입력 전압으로 VDD 대신 VRD(Read Voltage)을 전압을 사용하는 방식을 제안하였다. VRD($=3.1V{\pm}0.1V$)는 5V의 external supply voltage를 voltage regulator 회로를 이용하여 regulation된 전압이다. 설계된 DC-DC converter는 write 모드에서 VPP(=8V)와 VNN(=-8V)의 전압을 출력한다.

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임피던스 변화를 이용한 다중대역 마이크로폴 안테나 설계 (Multi-band Micropole Antenna Design Using Impedance Change)

  • 박재홍;김현희;이경창;황용연
    • 한국기계가공학회지
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    • 제20권1호
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    • pp.110-115
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    • 2021
  • A multi-band, compact, and complex vehicle roof antenna has become important in terms of car exterior design and multi-functions which include Radio, DAB/DMB, SXM, GNSS, Telematics, and V2X. In this paper, we propose a compact multi-band V2X pole-type roof antenna. Using impedance change characteristic, a single pole antenna which has multiband such as radio, DAB/DMB, telematics, and V2X band is proposed. With two patch antennas for GNSS and SXM, the dimension of a multiband roof antenna is 131x63x37mm only.

도파관 내에서 공간적으로 결합된 V-Band MMIC 결합 발진기 Array (Spatially Combined V-Band MMIC Coupled Oscillator Array in Waveguide)

  • 최우열;김홍득;강경태;임정화;권영우
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제13권8호
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    • pp.783-789
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    • 2002
  • 본 논문은 V-band에서 동작하는 MMIC 결합 발진기 array에 관한 것이다. 제안된 발진기 array의 unit cell들은 한 개의 microstrip patch 안테나와 두개의 발진기가 결합된 push-pull 능동 안테나 구조로 되어 있다. 전체 발진기 array의 주파수 동기화는 각 unit cell의 microstrip patch 안테나 사이의 강한 전자기적 결합을 통해 이루어진다. 이로 인해 전체 array를 하나의 MMIC로 구현할 수 있었다. 제안된 구조로 설계된 2종의 V-band 1$\times$2 결합 발진기 array가 0.15 um pHEMT MMIC 표준 공정을 이용해 제작되었다. 제작된 MMIC 칩은 도파관을 이용한 전력 결합 module로 구현되었다. 모듈 측정 결과, 첫 번째 array는 56.372 GHz에서 0.5 dBm의 출력을 나타내었고 다른 하나는 60.147 GHz에서 5.85 dBm의 출력을 나타내었다.

V-모양 접지면을 가지는 소형 이중 대역 이중 다이폴 준-야기 안테나 (Compact Dual-band Double Dipole Quasi-Yagi Antenna with V-shaped Ground Plane)

  • 여준호;이종익
    • 한국항행학회논문지
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    • 제22권5호
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    • pp.436-441
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    • 2018
  • 본 논문에서는 V-형 접지면을 갖고 2.45 GHz와 5 GHz 무선 랜 주파수 대역을 포함하는 이중 대역에서 동작하는 소형 이중 다이폴 준-야기 안테나의 설계 방법에 대하여 연구하였다. 먼저 2.45 GHz 대역에서 동작하는 준-야기 안테나를 설계한 후, 기존의 스트립 접지면 대신 V-모양 접지면을 사용하여 안테나의 길이를 줄여 소형화하였다. 5 GHz 대역 동작을 위해 2.45 GHz 대역 준-야기 안테나의 다이폴 투사기 위에 두 번째 다이폴을 연결하고 도파기를 추가하였다. 제안된 설계 방법을 이용하여 2.45 GHz 대역과 4.57-7.11 GHz 대역에서 동작하는 이중 대역 안테나를 FR4 기판 상에 $40mm{\times}55mm$ 크기로 제작하였다. 실험 결과, 전압정재 파비가 2 이하인 대역이 2.33-2.75 GHz과 4.38-7.15 GHz으로 원하는 이중대역에서 동작하는 것을 확인하였다. 측정된 이득은 두 대역에서 4 dBi 이상을 유지하였다.

Hot wall epitaxy 방법에 의한 $AgInS_{2}$ 박막의 성장과 광전류특성 (Growth and photocurrent properties for the $AgInS_{2}$ epilayers by hot wall ep itaxy)

  • 홍광준
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2002년도 제4회 영호남학술대회 논문집
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    • pp.92-96
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    • 2002
  • Hot wall epitaxy 방법을 이용하여 chalcopyrite 구조를 가진 고품질의 $AgInS_{2}$ 박막을 성장 하였다. 광전류 스펙트럼을 측정한 결과, 30K에서 300K까지는 단지 A 와 B 두개의 봉우리가 관측되었고 반면에 10K에서는 A,B,C 세 개의 봉우리가 관측되었다. 이때 이들 봉우리들은 band-to-band 전이에 기인하는 것으로 관측되었다. 광전류 측정으로부터 $AgInS_{2}$의 가전자대 갈라짐이 측정되었고 이로부터 10k에서 결정장에 의한 갈라짐 $D_{cr}$과 스핀궤도에 의한 갈라짐 $D_{so}$은 각각 0.150eV와 0.009eV로 관측되었다. 또한 에너지 밴드갭의 온도 의존성 $E_{g}(T)$에 대하여 연구하였고 성장된 $AgInS_{2}$ 박막의 에너지 밴드갭은 1.868eV 임을 알았다.

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65-nm CMOS 공정을 이용한 V-Band 차동 저잡음 증폭기 설계 (Design of V-Band Differential Low Noise Amplifier Using 65-nm CMOS)

  • 김동욱;서현우;김준성;김병성
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제28권10호
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    • pp.832-835
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    • 2017
  • 본 논문은 고속 무선 데이터 통신을 위한 V-band 차동 저잡음 증폭기를 65-nm CMOS 공정을 이용하여 설계한 결과를 제시한다. 설계한 저잡음 증폭기는 3단 공통소스 구조이며, MOS 커패시터를 이용한 커패시턴스 중화 기법을 적용하였고, 트랜스포머를 이용하여 각 단의 임피던스 정합을 구현하였다. 제작한 저잡음 증폭기는 63 GHz에서 최대 이득 23 dB을 보이며, 3 dB 대역폭은 6 GHz이다. 제작한 칩의 크기는 패드를 포함하여 $0.3mm^2$이며, 1.2 V 공급 전원에서 32 mW의 전력을 소비한다.

Feasibility Study on Tropospheric Attenuation Effect of Ku/V Band Signal for Korean Satellite Navigation System

  • Park, Jungkeun;Lee, Young Jae;Choi, Moonseok;Jang, Jae-Gyu;Sung, Sangkyung
    • International Journal of Aeronautical and Space Sciences
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    • 제17권1호
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    • pp.80-88
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    • 2016
  • For next generation global navigation satellite systems, new carrier frequencies in Ku/V band are expected to emerge as a promising alternative to the current frequency windows in L band as they get severely congestive. In the case of higher frequency bands, signal attenuation phenomenon through the atmosphere is significantly different from the L band signal propagation. In this paper, a fundamental investigation is carried out to explore the Ku/V band as a candidate frequency band for a new global satellite navigation carrier signal, wherein specific attention is given to the effects of the dominant attenuation factors through the tropospheric propagation path. For a specific application, a candidate orbit preliminarily designed for the Korean regional satellite navigation system is adapted. Simulation results summarize that the Ku band can provide a promising satellite navigation implementation considering the present satellite's power budget, while the V band still requires technical advances in satellite transceiver system implementations.