• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.10 no.5
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• pp.232-236
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• 2000

CoSm thin films with a Cr underlayer have received continuous attention as a potential material for a high density longitudinal magnetic recording media. In this study the Ax gas sputtering pressure effects on the magnetic properties of CoSm thin films, which were fabricated by using a dc magnetron sputtering machine, were investigated. The magnetic switching volume is especially important parameter to understand the thermal stability of the written information, magnetization reversal process and media noise. Therefore, in this paper the effects of sputtering pressure on the magnetic switching volume of CoSm thin films grown on Cr underlayer with the same sputtering conditions was studied. As the Ar sputtering pressure during sputtering of the CoSm magnetic layer increases from 5 to 30 mTorr, the measured switching volumes decreased from 9.0 to 5.2$\times$10$^{-18}$ cm$^3$. The calculated diameter of switching unit from V＊ was less than 22 nm, which satisfies the Sharrock's requirement on the thermal stability of the high density longitudinal magnetic recording media.

• Journal of IKEEE
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• v.14 no.3
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• pp.199-204
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• 2010

In this paper, we proposed trench field ring for breakdown voltage of power devices. The proposed trench field ring was improved 10% efficiency comparing with conventional field ring. we analyzed five parameters of trench field ring for design of trench field ring and carried out 2-D devices simulation and process simulations. That is, we analyzed number of field ring, juction depth, distance of field rings, trench width, doping profield. The proposed trench field ring was better to more 1000V.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.7 no.2
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• pp.295-301
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• 2012

In this article, we have designed SHA, which has 12 Bit resolution at an input signal range of 1 $V_{pp}$ and operates at a sampling speed of 100 MS/s in order to use at front of high speed ADC. SFDR(Spurious Free Dynamic Range) of the proposed system drops to approximately 66.3 dB resolution when the input frequency is 5 MHz, and the sampling frequency is 100 MHz, however, the circuit without a feedthrough has 12 bit resolution with approximately 73 dB.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1204-1205
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• 2015

본 연구는 38kV급 VCB의 외함에 체결된 부싱의 부분방전 발생 문제를 해결하기 위하여 부싱의 형상에 따른 부분방전 현상을 분석하였다. 부싱에 발생하는 부분방전의 패턴을 분석한 결과 도체나 외함 끝단 등 날카로운 부위에서 발생할 수 있는 코로나 방전 형태로 나타났다. 이를 해결하기 위해 도체와 쉴드링의 형상을 변수로 두고 실험을 진행하였으며 시작품 제작 전 비용과 시간을 최소화하기 위해 Maxwell 2D 프로그램으로 전계해석을 선진행한 뒤 설계에 반영하여 실험하였다. 실험 결과 쉴드링의 크기나 형상보다는 고전압부와의 거리가 부분방전의 크기에 더 큰 영향을 미친다는 것을 알 수 있었고, 도체의 두께를 변화시켰을 때의 부분방전 및 전계집중 변화폭이 가장 컸다.

• ETRI Journal
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• v.14 no.3
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• pp.75-96
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• 1992

이중 매몰층, $1.5\mum$ 에피두께, 이중 well, LOCOS 소자격리, LDD MOS 소자와 이중 다결정실리콘 전극을 갖는 바이폴라 소자에 의하여 구성된 BiCMOS 소자를 제작하였다. 제작된 소자를 측정 및 분석한 결과, 31단 CML 바이폴라($A_E=2X8\mum^2$)링 발진기와 31단 CMOS( $A_E=1.25X5\mum^2$) 인버터 링 발진기로부터 94ps/5V 와 330ps/12V의 게이트 전달 지연시간/소자 강복전압을 갖는 바이폴라 및 MOS소자특성을 얻을 수 있었다. 또한 BiCMOS 소자의 경우, 31단 BiCMOS 링 발진기로부터 약 700ps의 게이트 전달 지연시간을 얻었으며, 출력부하의 증가에 따른 속도의 감속비가 완만한 전기적 특성을 얻을 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Society of Computer Information Conference
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• 2014.01a
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• pp.139-142
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• 2014

앉아서 생활하는 시간이 많은 현대인들에게 올바르게 앉는 자세는 매우 중요하다. 따라서 현대인들이 올바른 자세를 유지할 수 있도록 도와주는 자세 모니터링 시스템을 고안하게 되었다. 이 시스템의 주요 구성으로는 전원부와 계측부, 제어부, 통신부, 안드로이드기반 어플리케이션으로 나눌 수 있다. 전원부는 9V의 건전지 하나로 구성되어 있고, 2개의 레귤레이터를 통해 아날로그 회로(3.3V)와 MCU(5V)에 전원이 공급되어진다. 그리고 계측부는 6개의 압력센서를 이용하여 아날로그 값을 계측한다. 제어부와 통신부는 MCU 보드(MSP430 Launchpad)와 FB155BC Bluetooth Module로 구성되어 있고, 안드로이드기반 어플리케이션은 Bluetooth Module에서 받은 디지털 신호들을 스마트폰의 화면에 UI공정을 거쳐 디스플레이 한다. 본 연구는 잘못된 자세로 의자에 앉는 습관을 스마트폰의 화면을 통해 실시간으로 확인하고, 바른 자세로 앉을 수 있도록 하여 척추교정 및 척추질환 예방에 기여할 것으로 예상된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.353-353
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• 2013

최근 고밀도 메모리 반도체의 재료와 빠른 응답을 요구하는 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 특히, 비휘발성 메모리 소자 중 하나인 저항 변화 메모리 소자는 인가되는 전압에 따라 저항이 급격히 변화하여 적어도 서로 다른 두 저항 상태를 스위칭할 수 있는 물질을 이용하는 소자이다. 따라서 본 연구에서는 화합물 중에서 비휘발성 메모리 장치의 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 실리사이드 계열의 바나듐 실리사이드($V_3Si$) 박막을 열처리 과정을 통하여 수 nm 크기의 나노입자로 제작하여, 그래핀을 하부 전극으로 하는 저항 변화 메모리 소자를 제작하였다. p-type (100) 실리콘 기판에 단일층으로 형성되어 있는 그래핀 상에 약 10 nm 두께의 저항 변화층($SiO_2$)을 각각 초고진공 스퍼터링 방법으로 성장시킨 후 $V_3Si$ 나노입자를 제작하기 위해서 $V_3Si$ 금속 박막을 스퍼터링 방법으로 4~6 nm의 두께로 저항 변화층 사이에 증착시켰으며, 급속 열처리 방법으로 질소 분위기에서 $800^{\circ}C$로 5초 동안 열처리하여 $V_3Si$ 나노 입자를 형성하였다. 마지막으로 200 nm 두께의 Pt을 증착하였다. 하부 전극으로 형성되어 있는 그래핀은 라만 분광법을 이용하여 확인하였으며, 제작된 소자의 전기적인 측정은 Agilent E4980A LCR meter, 1-MHz HP4280A와 HP 8166A pulse generator, HP4156A precision semiconductor parameter analyzer을 이용하여 전기적인 특성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2000.07a
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• pp.456-459
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• 2000

Thin films of vanadium oxide(V$O_x$) have been deposited by r.f. magnetron sputtering from $V_2$$O_5$ prget in gas mixture of argon and oxygen. Crystal structure, surface morphology, chemical composition and bonding properties of films in-situ annealed in $O_2$ ambient with various heat-treatment conditions are characterized through XRD, SEM, AES, RBS and FTIR measurements. The filrns annealed below 200 $^{\circ}C$are amorphous, and those annealed above 30$0^{\circ}C$ are polycrystalline. The growth of grains and the transition of vanadium oxide into the higher oxide have been obsenred with increasing the annealing temperature and time. The increase of O/V ratio with increasing the annealing temperature and time is attributed to the diffusion of oxygen and the partial filling of oxygen vacancies. It is observed that the oxygen atoms located on the V-0 plane of $V_2$$O_5$ layer participate more readily in the oxidation process.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.21 no.6
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• pp.354-361
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• 2012

The organic memory device was made by the plasma polymerization method which was not the dry process but the wet process. The memory device consist of the styrene and MMA monomer as the insulating layer, MMA monomer as the tunneling layer and Au thin film as the memory layer which was fabricated by thermal evaporation method. The I-V characteristics of fabricated memory device got the hysteresis voltage of 27 V at 40/-40 V double sweep measuring conditions. At this time, the optimized structure was 7 nm of Au thin film as floating gate, 400 nm of styrene thin film as insulating layer and 30 nm of MMA thin film as tunneling layer. Therefore we got the charge trapping characteristics by the hysteresis voltage. From the paper, styrene indicated a good charge trapping characteristics better than MMA. In the future, we expect to make devices by using styrene thin film rather than Au thin film.

• Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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• 2005.11a
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• pp.283-285
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• 2005

인터넷 사용자의 증가와 항께 인터넷 트래픽 역시 기하급수적으로 증가하고 있다. 이에 따라 네트워크 보안, 트래픽의 특성 분석, 사용자별/응용별 과금, 및 트래픽 엔지니어링을 수행하기 위해서는 네트원크 모니터링 도구가 필수적이다. 그러나, 기존 연구에 많이 사용되고 있는 Cisco NetFlow v5는 포트번호를 기반으로 응용 트래픽을 분류하여 분석할 수 있지만, IPv6과 MPLS 등의 다양한 프로토콜에 대한 트래픽을 분석할 수는 없다. 따라서, IETF에서는 IPFIX표준을 제정하여 확장성 있고 SCTP/TCP 전송 프로토콜을 이용하여 신뢰성있는 플로우 측정 프레임워크를 제시하였다. 본 논문은 Cisco NetFlow v5와 NetFlow v9(IPFIX의 기본 프로토콜)를 모두 지원하여 IPv4/IPv6 트래픽을 실시간으로 분석할 수 있는 플로우 기반 트래픽 모니터링 도구를 구현하였고, 실험을 통하여 IPv6 트래픽을 신뢰성있게 분석할 수 있다는 것을 보였다.