• Title/Summary/Keyword: V-링

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A study on the dither-stripping with dither motion sensor of a ring laser gyroscope (링레이저 자이로의 몸체진동 검출센서를 이용한 dither-stripping 연구)

  • Sim, Gyu Min;Im, Hu Jang
    • Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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    • v.31 no.5
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    • pp.63-71
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    • 2003
  • In this paper we dicuss the dither-stripping methods by V-F(voltage to frequency) conversion of the output of angular velocity sensor which is for detecting the dither motion of the ring laser cavity. In this case, it is very important to evaluate the pulse-to-pulse scale factor between the ring lase output pulse and V-F output pulse, and also to compensate the zero offset of the V-F output pulse. In the case of the dither-stripping by the V-F conversion of angular velocity sensor output, there is a big angle uncertainty in the process of compensating the zero offset due to the dither noise for compensating the V-F output. By differential, the phase of the V-F output is changed. So, to compensate it, we change 90deg of the phase of angular velocity sensor output and delay half sampling time of the phase of ring laser output in advance. In this case the pulse-to-pulse scale factor can be evaluated by the standard deviation of each pulse. We can get the good result of the dither-stripping output by this angle differential method.

Dither-stripping with the differential of dither rate signal for a ring laser gyroscope (링레이저 자이로의 각진동 센서신호 미분에 의한 dither-stripping)

  • Shim, Kyu-Min;Chung, Tae-Ho;Lim, Hoo-Jang
    • Journal of the Korean Society for Aeronautical & Space Sciences
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    • v.33 no.8
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    • pp.65-74
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    • 2005
  • It is required for getting the ring laser gyro output purely related to the input rotation to eliminate the output of the modulated angular vibration from the ring laser signal. In this paper we discuss the dither stripping methods of compensating the ring laser signal by converting the rate signal of dither detector from voltage to frequency for a dither type ring laser gyro. We discuss the differential methods for getting rid of the offset of the V-F signal. And we develope the methods of compensating the phase differences between the ring laser signals and the V-F differential signals by using analog integrator and digital time delays. And also, we develope the gain calculation method by comparing the standard deviations of the ring laser signals with V-F differential signals. We implemented these methods and analyzed the effectiveness of these methods by comparing the dither trapping methods.

Electronic and Optical Properties of MgO Films Due to Ion Sputtering

  • Lee, Sang-Su;;Lee, Gang-Il;Lee, Seon-Yeong;Chae, Hong-Cheol;Gang, Hui-Jae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.08a
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    • pp.188-188
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    • 2011
  • MgO는 암염구조의 이온결합성 화합물로 7.8 eV의 높은 띠 틈과 약 95%의 탁월한 투과도를 갖는다. 또한, ${\gamma}$ process에 의한 이차 전자 방출이 높고 이온 스퍼터링에 의한 표면 손상이 적어 면 방전 AC-PDP의 보호막으로 이용된다. 따라서 MgO 보호막에 관한 연구는 이차 전자 방출 계수를 높여 방전 전압을 감소시키고 높은 유전율과 투과도를 유지시키기 위한 목적으로 전개되어지고 있다. 본 연구는 이온 스퍼터링에 의한 MgO 보호막의 표면 특성의 변화를 알아보기 위해 이루어졌다. MgO 박막은 electron beam evaporation의 방법을 통해 챔버 내에 O 기체를 주입하고 P type Si 기판을 300$^{\circ}C$ 가열하여 40 nm 두께로 제작되었다. 박막 시료는 표면분석 전 초고진공챔버 내에서 표면에 산화된 불순물 제거를 위해 550$^{\circ}C$의 열처리가 되어졌다. 그리고 250 eV의 He 이온으로 박막 표면을 스퍼터링 하여 XPS, REELS, UPS를 이용하여 전자 및 광학적 특성을 연구하였다. XPS 분석을 통해 MgO 박막은 He 이온 스퍼터링에 의해 표면의 화학적 조성이 변하지 않는다는 것을 확인했다. MgO 박막에 이온 스퍼터링을 하면 표준 시료와 비교하여 Ep=1,500 eV일 때 7.54 eV에서 7.63 eV로 높아지는 경향이 있다. 일함수는 He 이온 스퍼터링 한 결과 3.85 eV로부터 4.09 eV로 약간 높아졌다. 또한, QUEELS simulation으로 얻은 가시광 투과도는 91~92%로 분석되었다.

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고밀도 플라즈마 응용 고효율 스퍼터링 증착 공정 개발

  • Kim, Jong-Guk;Lee, Seung-Hun;Kim, Chang-Su;Gang, Jae-Uk;Kim, Do-Geun
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.56.1-56.1
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    • 2011
  • 본 연구에서는 90% 이상의 스퍼터링 전극 사용이 가능한 새로운 방식의 스퍼터링 증착 기술을 개발하였다. 본 장치는 기존의 마그네트론 스퍼터링법과 달리 플라즈마 발생부와 스퍼터링 전극이 따로 존재하며, 플라즈마 발생부에서 생성된 이온을 통해 전극 스퍼터링을 일으킨다. 플라즈마 발생부에서 생성된 $10^{13}cm^{-3}$ 이상의 고밀도 Ar 플라즈마는 전자석 코일을 통해 형성된 자기장을 따라 스퍼터링 전극으로 균일하게 수송되며, 스퍼터링 전극 전압에 의해 가속된 이온은 전극 대부분 영역에서 스퍼터링을 발생시킨다. 스퍼터링 전류는 플라즈마 발생부의 전력에만 비례하며 직경 100 mm 스퍼터링 전극 사용시 최대 3.8 A의 이온 전류 값을 나타냈다. 따라서 스퍼터링 전압과 전류의 독립적인 제어가 가능하며 일정한 스퍼터링 전류 조건에서 300 V 이하의 저전압 스퍼터링 공정 및 1 kV 이상의 고전압 스퍼터링 공정이 가능하였다. 이를 통해 스퍼터링된 이온 및 중성입자의 에너지 조절이 가능하며, 다양한 증착공정 분야에 응용 가능하다.

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A study on the effect of V-ring position on die roll height in the fine blanking for automobile seat recliner gear (자동차 시트 리클라이너 기어의 파인 블랭킹 성형에서 V-링 설치 위치가 다이롤 높이에 미치는 영향에 관한 연구)

  • Kim, Jong-Deok;Kim, Heung-Kyu;Chang, Sung-Ho
    • Proceedings of the KAIS Fall Conference
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    • 2011.05b
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    • pp.824-827
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    • 2011
  • 본 논문에서는 자동차 시트 리클라이너 기어의 파인 블랭킹 성형 실험을 통하여 V-링 설치 위치에 따른 기어의 다이 롤 높이 변화를 검토하였다. 3 종류의 다이 편과 가이드 플레이트 편을 설계하여 파인 블랭킹 금형을 제작하였으며 650 ton 파인블랭킹 프레스에서 성형 실험을 수행하였다. 실험으로부터 제품을 취출하여 다이 롤 높이를 측정하여 분석한 결과 기어 모듈과 관계없이 V-링 설치 위치가 가이드 플레이트에서 멀어짐에 따라 다이 롤 높이가 증가함을 파악할 수 있었다. 이와 같은 결과는 향후 파인 블랭킹 금형의 V-링을 설계할 때 다이 롤 높이를 최소화하기 위하여 유용하게 활용될 수 있을 것이다.

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Confirmation of The Fouling Phenomena in CDI Process and The Establishment of Its Removal Process Conditions (CDI 전극 내 파울링 현상 확인 및 제거공정 조건의 확립)

  • Kim, Tae Yeong;Rhim, Ji Won
    • Membrane Journal
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    • v.29 no.5
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    • pp.276-283
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    • 2019
  • In this study, The experiments of the confirmation of the fouling phenomena in CDI process and the establishment of its removal process conditions were carried out. The foulant concentrations of humic acid sodium salt (HA) added to the feed solution were 5, 10, 15 mg/L, respectively. The occurrence of fouling under the certain adsorption/desorption conditions could be confirmed with an increase in adsorption and desorption concentration curve over time. Both the voltage and time in adsorption and desorption processes were changed to eliminate the fouled pollutants. Typically, the fouling removal condition was found at the adsorption condition 1.2 V/5 min and the desorption condition -3 V/2 min, respectively.

Development of Traffic Safety Monitoring Technique by Detection and Analysis of Hazardous Driving Events in V2X Environment (V2X 환경에서 위험운전이벤트 검지 및 분석을 통한 교통안전 모니터링기법 개발)

  • Jeong, Eunbi;Oh, Cheol;Kang, Kyeongpyo;Kang, Younsoo
    • The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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    • v.11 no.6
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    • pp.1-14
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    • 2012
  • Traffic management centers (TMC) collect real-time traffic data from the field and have powerful databases for analysing, recording, and archiving the data. Recent advanced sensor and communication technologies have been widely applied to intelligent transportation systems (ITS). Regarding sensors, various in-vehicle sensors, in addition to global positioning system (GPS) receiver, are capable of providing high resolution data representing vehicle maneuverings. Regarding communication technologies, advanced wireless communication technologies including vehicle-to-vehicle (V2V) and vehicle-to-vehicle infrastructure (V2I), which are generally referred to as V2X, have been widely used for traffic information and operations (references). The V2X environment considers the transportation system as a network in which each element, such as the vehicles, infrastructure, and drivers, communicates and reacts systematically to acquire information without any time and/or place restrictions. This study is motivated by needs of exploiting aforementioned cutting-edge technologies for developing smarter transportation services. The proposed system has been implemented in the field and discussed in this study. The proposed system is expected to be used effectively to support the development of various traffic information control strategies for the purpose of enhancing traffic safety on highways.

Production of Glutathione by yeast and Process Monitoring (효모에 의한 글루타치온의 생산과 공정 모니터링)

  • 김춘광;이종일
    • KSBB Journal
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    • v.19 no.3
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    • pp.192-199
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    • 2004
  • In this work the production of glutathione (GSH) by yeast Saccharomyces cerevisiae and the monitoring of the process were studied. In shaking culture the production of GSH was high at initial pH value of 4 and at temperature of 30$^{\circ}C$. But when L-cysteine was added to the culture medium at the beginning of the cultivation, the productivity of GSH was low. In case 0,5% (v/v) of L-cysteine, glycine and glutamic acid were introduced to the culture medium in the exponential cell growth phase, high concentration of GSH (about 90 mg/L) was produced in the bioreactor. A fed-batch operation with stepwise glucose feeding strategy allowed to produce 102 mg/L of GSH. The cultivation processes were on-line monitored by a 2-dimensional fluorescence sensor. A few off-line data such as cell growth, cystein concentration, phosphate concentration and GSH productivity could be well correlated to the fluorescence intensity of some combinations of excitation and emission wavelengths.

Tunneling Magnetoresistive Properties of Reactively Sputtered $Fe/Al_2O_3/Co$ Trilayer Junctions ($Fe/Al_2O_3/Co$ 자기 터널링 접합 제작 및 자기수송현상에 관한 연구)

  • 최서윤;김효진;조영목;주웅길
    • Journal of the Korean Magnetics Society
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    • v.8 no.1
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    • pp.27-33
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    • 1998
  • We have investigated tunneling magnetoresistance (TMR) properties of Fe/$Al_2O_3$/Co magnetic trilayer junctions sputtered on single-crystal Si (001) substrates. $Al_2O_3$ layers with thicknesses of 50~200 $\AA$ were deposited directly on the bottom ferromagnetic layer by a reactive rf sputtering. For comparsion, we prepared Pt/$Al_2O_3$/Pt tunnel junctions whose current-voltage (I-V) characteristics measured at 300 K indicated that reactively sputtered $Al_2O_3$ is a particularly good material for thin insulating barriers and allows us to form pinhole-free tunnel barriers. The magnetic tunnel junctions exhibit changes of tunnel resistance of about 0.1% at 300 K with an applied magnetic field and it was found that most junctions with Co as a top electrode have rather good I-V and TMR characteristics compared to those with Fe as a electrode. These results were discussed in relation to interfacial on the basis of those for Pt/$Al_2O_3$/Pt.

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고밀도 플라즈마 소스를 적용한 고효율 스퍼터링 공정 개발

  • Kim, Do-Geun;Lee, Seung-Hun;Kim, Jong-Guk
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.508-508
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    • 2011
  • 스퍼터링을 이용한 박막 증착기술은 다양한 분야에 걸쳐 적용되어 왔으며, 스퍼터링 타겟 사용효율을 향상시키기 위해 마그네트론 구조 최적화 및 이온 소스 적용 스퍼터링 등의 기술이 연구되어 왔다. 또한 인듐과 같은 희토류 금속의 가격이 최근 상승함에 따라 고효율 스퍼터링기술의 필요성은 더욱 증대되었다. 본 연구에서는 고밀도 플라즈마 소스를 적용한 고효율 스퍼터링 공정을 개발하였다. 동공 음극방전에서 생성된 고밀도 플라즈마는 전자석 코일을 통해 형성된 자기장을 따라 스퍼터링 타겟 표면까지 수송되며, 음전위로 대전된 스퍼터링 타겟 표면에서는 가속되어 입사하는 이온에 의한 스퍼터링이 발생한다. 본 스퍼터링 공정 기술의 경우, 기존 마그네트론 스퍼터링 소스에서 나타나는 약 30%의 타겟 사용 효율을 뛰어넘는 약 80% 이상의 타겟 사용률을 보였다. 또한 고밀도 플라즈마 소스에서 공급되는 이온에 의한 스퍼터링 공정을 개발 함에 따라 스퍼터링 방전전압의 독립적 조절이 가능하다. 이에 따라 200 V 이하의 저전압 스퍼터링 공정을 통해 유연성 폴리머 기판 및 유기소자 상 저에너지 이온 증착이 가능하며, 1 kV 이상의 고전압 스퍼터링을 통해 추가적인 기판 전압 인가 없이 박막 치밀화 구현이 가능하다.

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