• 수산해양기술연구
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• 제34권3호
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• pp.274-282
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• 1998

그물실의 직경과 발 길이의 비율 d/l이 선망의 침강 운동에 어떤 영향을 끼칠 것인가를 해명하기 위해서 그물실의 직경은 0.45mm(PES 28 tex${\times}$2${\times}$2)의 것으로 모두 같고, 발 길이는 4.3, 5.0, 5.5, 6.0, 6.6 및 7.7mm로 각각 다르게 편망된 6종류의 무결절 그물감을 사용해서 뜸줄의 길이 450cm, 그물의 폭 85cm가 되도록 제작하고 뜸 160g과 발돌 50g을 매달아서, 각각 I,II,III,IV,V및 Ⅵ형 그물이라고 했다. 회류 수조의 수로 상에 투망 장치를 설치해서 정지 상태의 수중에 선망 그물을 투망하고 상방과 측면에 설치한 비디오 카메라를 사용하여 그물의 침강과정을 촬영 톡화했으며, 그물에 표시한 측정점의 좌표를 화상 해석 장치로 읽고 실험 값을 구했다. 그리고, Runge-Kutta-Gill법에 의한 연립 미분방정식 해법을 이용하여 수치 해석을 행하였으며, 그 결과는 다음과 같다. 1.그물 아랫자락의 침강속도는 d/l이 가장 작은 Ⅵ형 그물이 가장 빠르고, V,IV,III,II및 I형 그물 순으로 늦게 나타났다. 2.그물 벽에 대한 저항 계수는 d/l의 크기에 의존하여 $K{\arg}$=0.081$(d/l)^-0.5$의 관계식으로 나타낼 수 있었다. 3.그물 다발의 저항 계수는 d/l의 크기에 의존하지 않은 $C_R=0.91(\frac{p}{$p_u$})$의 관계식으로 나타낼 수 있었다.

• 한국환경생태학회지
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• 제27권4호
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• pp.473-486
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• 2013

본 연구는 2011년 국립공원으로 편입된 다도해해상국립공원 팔영산지구의 식생구조와 식생천이계열을 파악하기 위하여 75개의 조사구(단위면적 $100m^2$)를 설치하여 조사를 실시하였다. Classification 분석 중 TWINSPAN기법을 이용하여 군락을 분리한 결과, 상수리나무군락(I), 졸참나무-개서어나무군락(II), 소나무-신갈나무군락(III), 굴참나무군락(IV), 리기다소나무-굴참나무-소나무군락(V), 편백림(VI)으로 구분되었다. 군락 I, II는 낙엽성 참나무류가 서로 경쟁하거나 개서어나무 등과 경쟁하여 향후 낙엽활엽수림으로의 천이가 예측되며, 군락 III, V는 소나무와 리기다소나무 등이 낙엽성 참나무류와 경쟁하여 향후 낙엽성 참나무류로의 천이가 예상된다. 군락 IV는 굴참나무가 우점하나 아교목층에서 난온대 수종인 후박나무가 높은 비율로 출현해 점차 후박나무의 세력 확장이 예측된다. 군락 VI은 편백 조림지로 수관층에 편백만이 우점하여 당분간 편백림이 유지될 것으로 예상된다. 이 편백림은 국립공원의 편입취지에 맞게 편백을 간벌하여 천연림으로 갱신을 유도해야 할 것이다. 난온대 기후대에 속하는 팔영산지구에서 출현한 난온대수종은 후박나무, 사스레피나무, 보리밥나무 등 총 9종이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.133-133
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• 2010

3-5족 화합물 반도체를 이용한 집광형 삼중 접합 태양전지는 35% 이상의 광변환 효율로 주목을 받고 있다. 일반적으로 삼중 접합 태양전지는 넓은 영역대의 파장을 흡수하기 위해 밴드갭이 다른 InGaP, GaAs, Ge이 사용된다. 그 중 하부셀은 기계적 강도가 높고 장파장을 흡수할 수 있는 Ge이 사용되는데, p-type Ge 기판위에 III-V 결정막 성장 시 5족 원소가 확산되어 pn접합을 형성하게 된다. 이러한 구조를 가진 Ge 하부셀이 효율적으로 홀-전자 쌍을 형성하기 위해서는 두꺼운 베이스와 얇은 에미터 접합이 필요하다. InGaP의 phosphorus는 낮은 확산계수로 인해 GaAs의 arsenic에 비해 얇은 접합이 형성 가능하며, Ge표면 에칭효과가 더 적다는 장점이 있다. 이를 고려해 우리 연구그룹에서는 metalorganic chemical vapor depostion(MOCVD)을 이용하여 Ge기판위에 성장한 InGaP layer의 특성을 관찰해 보았다. <111>로 $6^{\circ}$ 기울어진 p-type Ge(100) 기판위에 MOCVD를 통해 InGaP layer를 형성하였고, 성장된 layer를 atomic force microscope(AFM)와 high-resolution x-ray diffraction(HRXRD)을 이용하여 표면형상, 조성, 응력상태 등을 각각 관찰하였다. 또한 phosphorus 확산에 의해 형성되는 도핑농도는 electrochemical capacitance-voltage(ECV)을 이용하여 관찰하였다. 성장된 Ge기판위의 InGaP layer의 경우 특징적으로 높이 50 nm, 밑변 길이 $1\;{\mu}m$의 경사진 표면을 관찰할 수 있었으며, 이러한 구조는 TMIn과 TMGa의 비율이 증가 할수록 감소하였다. 따라서 이러한 경사진 형태의 구조는 격자 불일치 때문인 것으로 판단된다. 추가적으로 V/III ratio의 최적화를 통해 1.3 nm의 표면 거칠기를 갖는 InGaP layer를 얻을 수 있었다. ECV를 통해 Ge 하부셀의 pn접합 형성을 관찰한 결과 약 160 nm에서 접합이 형성되는 것을 관찰할 수 있었다. 또한, 같은 성장 조건의 샘플을 1000 초 열처리 후에 접합깊이의 변화를 관찰한 결과 180 nm에서 접합이 관찰되었지만, GaAs의 arsenic에 의한 pn접합은 열처리 후에 그 깊이가 170 nm에서 300 nm로 증가 하였다. 따라서 삼중접합 태양전지의 제작 공정을 고려할 경우 phosphorus에 의한 접합 형성이 Ge 하부셀의 동작 특성에 유리할 것으로 판단된다.

• 한국재료학회지
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• 제9권6호
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• pp.599-603
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• 1999

AIN과 저온 GaN 완충충율 이용하여 Si 기판 위의 후막 GaN의 성장특성을 조샤하였다. Si과 GaN의 격자부정합도와 열팽창계수의 차이를 줄이기 위해 AIN과 저온 GaN를 완충충으로 사용하였다. AIN은 RF sputter를 이용하여 중착온도와 증착시간 및 RF power에 따른 표면 거칠기를 AFM으로 조사하여 최척조건을 확립하여 사용하였다. 또한 저온에서 GaN를 성장시켜 이를 완충충으로 이용하여 후막 GaN의 성장시 미치는 영향을 살펴보았다. 성장온도와 V/III 비율이 후막 성장시 표면특성과 결정성 및 성장속도에 미치는 영향을 조사하였다. 후막 GaN의 표연특성 및 막의 두께는 SEM과 $\alpha-step$을 이용하여 측정하였으며 결정성은 X-ray Diffractometer를 이용하여 조사하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.160-160
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• 2011

I-III-VI족 화합물 반도체인 $CuInS_2$(CIS) 박막은 Cu(In,Ga)$Se_2$에 비해서 독성원소를 사용하지 않으므로 환경 친화적이고 Ga, Se를 사용하지 않아 조성의 조절이 쉬우며 태양전지의 이상적인 밴드갭인 1.5 eV에 근접한 1.53 eV의 직접천이형 에너지 밴드갭을 가지고 있어 태양전지의 광흡수층으로써 유망한 재료이다. CIS 박막 증착에는 다양한 방법이 있으며 본 연구에서는 chamber를 진공으로 만들고 CIS를 구성하는 용액으로부터 미립자화 된 입자를 노즐을 통하여 팽창시켜 에어로졸을 생성하고 입자들의 운동에너지를 증착에 직접 이용 할 수 있는 Aerosol Jet Deposition (AJD)라는 방법을 이용하려고 한다. 이 방법은 높은 증착속도로 우수한 박막을 성장시킬 수 있는 저비용 및 단순공정으로 CIS를 증착 할 수 있는 새로운 방법이다. 물을 용매로 하여 수용액 상태의 $CuCl_2{\cdot}2H_2O$, $InCl_3$, $(NH_2)_2CS$를 혼합하여 CIS 용액을 제조하고 carrier gas를 주입하여 CIS 용액을 노즐로 이동시켜 팽창시킨다. 용액이 팽창되면서 온도가 감소하여 응축이 일어나며 이 응축된 용액이 가열된 기판 위에 충돌하여 용매가 증발하면서 결정화된 CIS가 증착이 된다. CIS의 특성은 용액의 전구체 비율, 기판 온도, 팽창 전 압력, chamber 압력 등의 영향을 받는데 본 연구에서는 기판 온도를 증착변수로 선택하여 CIS 박막을 증착하고 박막의 특성을 고찰하고자 한다.

• 대한소아치과학회지
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• 제45권3호
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• pp.290-298
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• 2018

이 연구는 유전치 비와동성 우식 병소에 레진침투법을 시행할 때 sodium hypochlorite(NaOCl) 제단백 후 phosphoric acid($H_3PO_4$) 산부식 처리에 따른 법랑질 표면구조 및 레진 침투깊이 변화를 알아보았다. 90개의 발치된 비와동성 병소의 유전치를 전처리에 따라 5개 군으로 나누었다 : I군 hydrochloric acid(HCl) 2분; II군 NaOCl 1분, $H_3PO_4$ 1분; III군 NaOCl 2분, $H_3PO_4$ 1분; IV군 NaOCl 1분, $H_3PO_4$ 2분; V군 NaOCl 2분, $H_3PO_4$ 2분. 그 중 15개는 전계방사주사전자현미경을 통해 표면을 관찰하였고, 75개는 레진침투 후 공초점레이저주사현미경을 통해 병소 깊이와 레진 침투깊이를 측정하여 레진 침투도를 도출했다. NaOCl 적용 시간이 길어질수록 법랑질 산부식 I, II형 비율이 증가하였다. 레진 침투도는 V군이 II, III군에 비해 통계학적으로 유의하게 높았고(p < 0.05), IV, V군은 유의할 만한 차이가 없었다. 레진침투법은 유전치 초기 우식 병소의 치료로 사용될 수 있으며, 전처리 제로 15% HCl 산부식 대신 5.25% NaOCl 제단백 후 35% $H_3PO_4$ 산부식이 대안으로 고려될 수 있다.

• 한국식품조리과학회지
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• 제12권3호
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• pp.312-319
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• 1996

굴(Crassostrea virginica)과 Weakfish(Cynoscion regalix)를 냉장(6$^{\circ}C$), 빙장($0^{\circ}C$), 부분동결저장(-4$^{\circ}C$) 및 동결저장(-2$0^{\circ}C$)온도에서 45일간 저장하면서 생균수 와 microflora의 변화를 조사하였다. 각 온도에서 저온저장중 굴로부터 255주, Weakfish로부터 240주, 합계 495주를 분리하여 microflora의 변화를 조사하였다. 저장직전의 생선에서 생균수는 굴이 4.9$\times$10/ sup 5/CFU/g, Weakfish가 $1.5\times$$10^4$CFU/$cm^2$였다. 저장직전의 굴에서는 Pseudomonas ll1III/IV가 67%, Vibrio가 20%를 차지하였다. Weakfish에서는 Acinetobacter가 40% Moraxella가 33%로서 주종을 이루었으며 Pseudomonas와 Vibrio는 아주 적은 비율을 차지하였다. 굴의 저온저장중 microflora는 저장온도에 큰 관계 없이 모든 저장온도에서 Pseudomonas lIII/IV-H가 전체 균주의 67.4%, Flavobacterium/Cytophaga가 9.3%, 다음으로는 Vibrio가 6.3%를 차지하였고 약 15%의 세균은 동정하지 못하였다. Weakfish의 저온저장중 microflora는 냉장, 빙장, 부분동결저장한 경우에 비호염성균인 Pseudomonas III/IV-NH가 전체 균주의 60~100%를 차지하였으며 동결저장한 Weakfish에서는 Moraxella가 전체 분리 균주의 40~60%를 차지하였다. 전체적으로 굴에서는 호염성 균주(pseudomonas III/ IV-H와 Vibrio)가 우세하였고 구균류가 분리되지 않았으나 Weakfish에서는 비호염균주(PseudomonasIII/IV -NH와 Moraxella가 우세하였으며 구균류가 4.6% 검출되었다. 저온저장한 굴과 Weakfish에서 Vibrio의 검출률은 굴에서 Weakfish보다 3배 높았으며 Listeria spp. 는 검출되지 않았으나 강한 용혈작용을 가진 균들이 각각 9주, 8주씩 분리되어 주의가 요망된다.

• 미생물학회지
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• 제34권3호
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• pp.101-107
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• 1998

지속성영양염제(Slow Release Fertilizer, SRF)와 유류분해미생물을 이용한 생물학적 방법으로 오염된 자갈환경으로부터 유류를 제거하는 방법을 연구하기 위해 microcosm 실험을 수행하였다. Microcosm은 직경 40 mm 이하의 자갈을 직경 10 cm 높이 20 cm의 glass column에 충진하여 준비하였으며, 전 실험구에 유류 약 2.4%(w/v)를 첨가하였다. 실험구 I은 대조구로서 아무것도 첨가되지 않았으며, 실험구 II에는 Inipol EAP-22(Elf Aquitaine, France)와 미생물제제, 실험구 III에는 SRF와 미생물제제, 실험구 IV에는 Inipol EAP-22가 첨가되었다. 유류의 생물학적 분해도를 $C_{17}$/Pristane과 $C_{18}$/Phytane 비율료 나타내었을 때, 실험구 III에서 유류분해도가 가장 높을 것으로 나타났다. 종속영양미생물 및 유유분해미생물의 전체적인 변화와 전자전달계 활성도는 유류분해도의 변화와 유사한 양상을 보이며 변화하는 것으로 나타났다. 무기영양염류의 분석 결과 실험구 III 에서는 전 실험기간에 걸쳐 질소와 인이 제한요인으로 작용하지 않은 것으로 나타났으며, 이는 SRF가 지용성영양염제인 Inipol EAP-22에 비해 지속적으로 영양염류를 제공함으로써 자갈환경에서 유류분해가 증가되었다고 추정할 수 있다. 따라서 본 실험결과로부터 SRF와 유류분해 미생물제제를 사용하여 해안 자갈지역의 유류오염을 효율적으로 제거할 수 있는 가능성이 확인되었다.

• 한국버섯학회지
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• 제12권4호
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• pp.275-279
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• 2014

산느타리를 안정적으로 생산할 수 있는 배지를 개발하기 위하여 미루나무톱밥, 면실피, 면실박, 비트펄프, 콘코브 등 5종을 혼합하여 혼합비율별 6처리로 시험을 수행하여 배지조성별 화학성분, 균사생장속도 및 수량특성을 조사하였다. 배지조성별 화학성분 분석결과 pH는 대부분 pH 5.0 내외로서 큰 차이가 없었으나, V배지의 경우 다른 조성에 비하여 pH와 유기물 함량에 있어 각각 5.52, 29.07%로 높게 나타났다. 유기물대질소비는 IV배지가 30.53으로 가장 높았고, I, V, VI배지가 25정도를 나타냈으며, II, III배지는 20.68, 22.12로 낮은 값을 나타냈다. 시험관 칼럼배지를 이용해서 균사생장속도를 조사한 결과 균접종 28일 조사에서 향산 품종에서는 V배지가 105.0 mm로 가장 빠른 생장을 나타냈고, 호산 품종에서는 II번 배지가 114.3 mm로 가장 빨랐다. 병재배시 배지조성별 생육특성 조사결과 초발이소요일수는 3일, 생육일수는 4일로 모든 처리에서 동일하였고, 수량에 있어서는 호산품종의 경우 V배지가 병당 유효경수가 19.1개, 병당 수량이 198.4 g으로 가장 높은 수치를 나타냈으며, 향산 품종에서는 IV배지와 V배지가 각각 유효경수 15.3개, 14.4개, 수량은 161.1 g, 163.1 g으로 비슷하였다. 봉지재배에서 호산품종의 경우 초발이소요일수는 IV배지가 7일로서 가장 빨랐고 다음이 V, VI배지로서 8일, 그 다음이 I배지 9일 순이었다. 향산 품종에서 초발이소요일수는 I배지가 6일로서 가장 빨랐고 다음으로 IV, VI, V배지 순이었다. 그리고 생육일수는 4내지 5일로서 품종별, 배지조성별 차이가 없었다. 수량특성 조사결과 호산 품종의 경우 I배지가 봉지당 435.7 g으로 가장 높았고, 향산 품종에 있어서는 V배지가 463.5 g으로 높은 수량을 나타냈다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권2호
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• pp.89-93
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• 2017

다양한 성장온도, V/III 비율, 성장속도과 같은 공정변수의 조절을 통하여 GaN 단결정을 성장시키고, 그에 따른 표면 및 재료 내부의 결함분석을 통하여 고휘도 고출력의 소자적용을 위한 bulk GaN 단결정의 두께를 최적화하였다. 2인치 직경의 sapphire 기판 위에 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 공정변수들을 조절하여, 0.3~7.0 mm 두께의 GaN 결정을 성장시켰다. 성장된 GaN 단결정의 구조분석을 위하여 XRD 분석을 사용하였고, 공정변수의 변화에 따른 표면 특성은 광학 현미경을 이용하여 관찰하였다. 성장된 두께에 따른 결함밀도 분석을 위하여 화학습식 에칭하였고, 에칭된 표면을 SEM으로 관찰하였다.