• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1252-1253
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• 2008

The $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrates by RF sputtering method with different $Ar/O_2$ ratio. The $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films were measured electrical and structural properties, fairly good Temperature coefficient of resistance(TCR). It was found that electrical and structural properties, TCR properties of thin films were strongly dependent upon the $Ar/O_2$ ratio. The dielectric constant of the $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films with 50/20 ratio were 93 with a dielectric loss of 0.535, respectively. Also, the TCR values of the $V_{1.8}W_{0.2}O_5$ thin films with 50/20 ratio were -3.15%/$^{\circ}C$.

• Geomechanics and Engineering
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• 제13권5호
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• pp.825-844
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• 2017

This study aimed to find out the pullout capacity of inclined strip anchor plate embedded in anisotropic and nonhomogeneous fully saturated cohesive soil in undrained condition. The ultimate pullout load has been found out by using numerical lower bound finite element analysis with linear programming. The undrained pullout capacity of anchor plate of width B is determined for different embedment ratios (H/B) varying from 3 to 7 and various inclination of anchor plates ranging from $0^{\circ}$ to $90^{\circ}$ with an interval of $15^{\circ}$. In case of anisotropic fully saturated clay the variation of cohesion with direction has been considered by varying the ratio of the cohesion along vertical direction ($c_v$) to the cohesion along horizontal direction ($c_h$). In case of nonhomogeneous clay the cohesion of the undrained clay has been considered to be increased with depth below ground surface keeping $c_v/c_h=1$. The results are presented in terms of pullout capacity factor ($F_{c0}=p_u/c_H$) where $p_u$ is the ultimate pullout stress along the anchor plate at failure and $c_H$ is the cohesion in horizontal direction at the level of the middle point of the anchor plate. It is observed that the pullout capacity factor increases with an increase in anisotropic cohesion ratio ($c_v/c_h$) whereas the pullout capacity factor decreases with an increase in undrained cohesion of the soil with depth.

• 한국수소및신에너지학회논문집
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• 제7권1호
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• pp.81-92
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• 1996

Ar/Ar-$H_{2}$ 플라즈마법으로 V, Ta, B산화물과 금속의 환원 및 정련을 행하였다. 다시말해 Ar 플라즈마에서의 고온환원반응 및 Ar-(20%)$H_{2}$ 플라즈마에서의 정련 반응에 대한 연구를 각각 수행하였다. Ar 플라즈마 환원에 의하여 $C/V_{2}O_{5}$=4.50의 비에서 순도 96wt%의 조금속 Vdmf 얻었고, 바나듐 산화물의 열분해에 의한 $O_{2}$의 손실로 인해 $C/V_{2}O_{5}$=4.50에서 최대환원도가 얻어졌다. Ar-(20%)$H_{2}$ 플라즈마 정련에서는 $C/V_{2}O_{5}$=4.40의 비에서 99.2wt%의 금속 V을 얻었고, 주된 정련반응은 잔류탄소와 잔류산소의 반응으로 판단된다. 금속 Ta은 Ar 플라즈마 환원에 의하여 $C/Ta_{2}O_{5}$=5.10의 비에서 99.8wt%가 얻어졌고, $Ta_{2}O_{5}$의 열분해에 의한 $O_{2}$ 손실은 발생하지 않았다. Ar-(20%)$H_{2}$ 플라즈마 정련시 탈산반응이 탈탄반응보다 현저했으며, $C/Ta_{2}O_{5}$비가 4.50-5.10의 범위에서 99.9wt%의 금속 Ta을 제조하였다. 이 비에서는 탈산반응에 의한 잔류산소의 감소로 Ta외 Vickers 경도가 약 220Hv였다. 한편, Ar 및 Ar-$H_{2}$ 플라즈마에 의한 $B_{2}O_{3}$의 환원에는 C이 환원제로서 적합하지 않았으나, Fe원 소재와 C, $B_{2}O_{3}$ 및 페로보론을 고주파 유도 용해하였을 때 용강중에서의 $B_{2}O_{3}$의 환원으로 Fe-B-Si 합금을 얻었다.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1991년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.73-74
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• 1991

The films with ferromagnetic fine particles dispersed in nonmagnetic matrix, such as $Fe-Al_2O_3$ and Fe-Cu have been studied for use of magnetic recording medium, optically device and sensor. Their magnetic properties depend strongly on structural parameter such as size and volume fraction of ferromagnetic particles. Fe-Cr-Ni alloy sputtered films also have microstructure with ferromagnetic -- b.c.c phase and nonmagnetic f.c.c phase grains. Magnetic properties of these films depend strongly on such a unique structure. These are depend on the ratio in volume of ferromagnetic particles to nonmagnetic ones $V_F/V_N$, the saturation magnetization Ms increased with increase of $V_F/V_N$. The coercivity Hc of the as-deposited films took maximum value of about 200 Oe at adequate $V_F/V_N$ and then Ms and Squareness S were 500 emu/cc and 0.5, respectively.(omitted)

• 생명과학회지
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• 제12권6호
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• pp.765-768
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• 2002

Rhodotorula sp. CL-82 유래 의 epoxide hydrolase 활성을 이용하여 라세믹 styrene oxide에 대한 입체선택적 가수분해 반응을 실시하였다. Rhodotorula sp. CL-82 생촉매의 입체선택적 가수분해속도를 나타내주는 반응표면 곡선에 대한 분석을 통해 pH, 반응주도, cosolvent 첨가량에 대한 최적조건을 각각 7.6,$33.3^{\circ}C$ , 3%(v/v)으로 결정하였다. 최적반응조건에서 약 4시간 정도의 반응을 통해 ee값이 99% 이상인 광학적으로 순수한 (S)-styrene oxide를 이론 수율대비 40% 수율로 얻을 수 있었다.

• 한국환경과학회지
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• 제5권2호
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• pp.179-185
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• 1996

본 연구는 생명을 위협하는 Vibrio vulnificus의 생존에 온도, 염분 pH 및 자외선과 같은 환경적 요인이 어떠한 영향을 미치는 가를 알아보기 위하여 수행하였다. 6일 동안 15에서 ${25\circ}C$의 온도범위에서 V.vulnificus의 수는 증가하였지만 이 범위외에서 V.vulnifivus의 생존수는 감소하였다. 1에서 ${10\circ}C$사이에서의 실험 결과, V.vulnificus 가 $10{\circ}C$이하에서는 생존수가 적었다. 한편 6일 동안 5에서 25ppt정도의 염분조건에서는 V.vulnificus수는 감소하였다. 최적의 pH 영역은 6.5에서 8.0이었고 이 영역밖에서는 V.vulnificus의 생존율은 낮았다. 15와 $25{\circ}C$에서 자외선은 V.vulificus에 대해 살균효과를 나타내어서 2시간 동안 자외선 처리후 V.vulnificus수가 약 10,00배 감소되었다. 이상과 같은 결과들은 환경적 요인이 V.vulnificus의 생존에 미치는 영향이 크다는 것을 보여주었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.245-245
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• 2012

차세대 디스플레이로 각광받고 있는 AMOLED에 대한 관심이 높아짐에 따라 구동 소자의 연구가 활발히 이루어지고 있다. 산화물 반도체 박막 트랜지스터는 비정질 실리콘 박막 트랜지스터에 비해 100 $cm^2$/Vs 이하의 높은 이동도와 우수한 전기적 특성으로 AMOLED 구동 소자로서 학계에서 입증되어왔고, 현재 여러 기업에서 산화물 반도체를 이용한 박막 트랜지스터 제작 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 연구는 열처리 조건을 가변하여 제작한 산화물 반도체 박막 트랜지스터의 전기적 특성 분석을 목적으로 한다. 실리콘 기판에 oxidation 공정을 이용하여 SiO2 100 nm, DC스퍼터링을 이용하여 ITZO (Indium-Tin-Zinc Oxide) 산화물 반도체 박막 50 nm, 증착된 산화물 반도체 박막의 열처리 후, evaporation을 이용하여 source/drain 전극 Ag 150 nm 증착하여 박막 트랜지스터를 제작하였다. 12 sccm의 산소유량, 1시간의 열처리 시간에서 열처리 온도 $400^{\circ}C$, $200^{\circ}C$의 샘플은 각각 이동도 $29.52cm^2/V{\cdot}s$, $16.15cm^2/V{\cdot}s$, 문턱전압 2.61 V, 6.14 V, $S{\cdot}S$ 0.37 V/decade, 0.85 V/decade, on-off ratio 5.21 E+07, 1.10 E+07이었다. 30 sccm의 산소유량, 열처리 온도 $200^{\circ}C$에서 열처리 시간 1시간, 1시간 30분 샘플은 각각 이동도 $12.27cm^2/V{\cdot}s$, $10.15cm^2/V{\cdot}s$, 문턱전압 8.07 V, 4.21 V, $S{\cdot}S$ 0.89 V/decade, 0.71 V/decade, on-off ratio 4.31 E+06, 1.05 E+07이었다. 산화물 반도체의 열처리 효과 분석을 통하여 높은 열처리 온도, 적은 산소의 유량, 열처리 시간이 길수록 이동도, 문턱전압, $S{\cdot}S$의 산화물 박막 트랜지스터 소자의 전기적 특성이 개선되었다.

• 한국식품저장유통학회지
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• 제16권3호
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• pp.376-384
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• 2009

본 실험은 퉁퉁마디의 에탄올 추출조건에 따른 당도, 수율, 전자공여작용 및 총 페놀화합물 함량에 대해 반응표면 분석법을 이용하여 추출조건을 최적화하였다. 중심합성계획에 따라 용매에 대한 시료비($1{\sim}9\;g$/100 mL), 추출온도($35{\sim}95^{\circ}C$) 및 에탄올 농도($0{\sim}100%$)를 달리하였을 때 반응표면 회귀식의 R2는 당도, 수율, 전자공여작용 및 총 페놀화합물 함량에서 각각 0.7866(p<0.1), 0.8370(p<0.05), 0.9037(p<0.01) 및 0.9263(p<0.01)로 나타났다. 추출조건별 당도, 수율, 전자공여작용 및 총 페놀화합물 함량에 대한 반응표면을 superimposing하여 얻은 최적 추출조건 범위는 용매에 대한 시료비 $3.38{\sim}5.33\;g$/100 mL, 추출온도 $55.87{\sim}76.96^{\circ}C$, 에탄올 농도 $25{\sim}67.31%$로 나타났다. 최적 추출조건범위내의 임의의 조건인 용매에 대한 시료비 5 g/100 mL, 추출온도 $65^{\circ}C$ 및 에탄올 농도 60%를 회귀식에 대입하여 얻은 예측값은 당도 $6.36^{\circ}Brix$, 염도 5.08%, 수율 35.40%, 전자공여작용 61.24% 및 총 페놀성 화합물 917.22 mg/100 g으로 예측되었으며, 실제 실험을 통해 얻어진 값은 당도 $6.50^{\circ}Brix$, 염도 5.10%, 수율 33.84%, 전자공여작용 63.23% 및 총 페놀성 화합물 921.42 mg/100 g으로 매우 유사하게 나타났다.

• 한국재료학회지
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• 제10권12호
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• pp.807-811
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• 2000

MFISFET (Metal-ferroelectric-nsulator-semiconductor-field effect transistor)에의 적용을 위해 CeO$_2$와 SrBi$_2$Ta$_2$O$_{9}$ 박막을 각각 r.f. sputtering 및 pulsed laser ablation법으로 제조하였다. CeO$_2$ 박막은 증착시 스퍼터링개스비 (Ar:O$_2$)에 따른 특성을 고찰하였다. Si(100) 기판 위에 $700^{\circ}C$에서 증착된 CeO$_2$ 박막들은 (200)방향으로 우선방향성을 가지고 성장하였고 $O_2$ 개스량이 증가함에 따라 박막의 우선방향성, 결정립도 및 표면거칠기는 감소하였다. C-V특성에서는 Ar:O$_2$가 1 : 1인 조건에서 제조된 박막이 가장 양호한 특성을 보였다. 제조된 박막들의 누설전류값은 100kV/cm의 전계에서 $10^{-7}$ ~$10^{-8}$ A의 차수를 보였다. CeO$_2$/Si 기판위에 성장된 SBT는 다결정질상의 치밀한 구조를 가지고 성장을 하였다 80$0^{\circ}C$에서 열처리된 SBT박막으로 구성된 MFIS구조의 C-V 특성에서 memory window 폭은 0.9V를 보였으며 5V에서 4$\times$$10^{-7}$ A/$\textrm{cm}^2$의 누설전류밀도를 보였다.

• 콘크리트학회논문집
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• 제19권4호
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• pp.515-525
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• 2007

본 연구는 주거용 고층 건물에서 폭넓게 사용되고 있는 플랫플레이트 구조에서 장방형 기둥-슬래브 접합부를 대상으로 실시한 4개의 실험 결과를 분석한 것이다. 이 연구의 목적은 지진하중과 같이 반복적으로 작용하는 횡하중에 대하여 기둥 단면의 형상비 (${\beta}_c=c_1/c_2$=횡하중과 나란한 방향의 기둥 단면의 크기/횡하중과 직교 방향의 기둥 단면의 크기)에 따른 접합부의 이력 거동을 비교 평가한 것이다. 기둥 단면의 형상비는 $0.5{\sim}3\;(c_1/c_2=1/2,\;1/1,\;2/1,\;3/1)$으로 선정되었고, 기둥 또는 슬래브 위험단면의 둘레 길이 $(b_o)$가 일정하지 않을 경우 공칭 수직 전단력 $(V_c)$의 크기기 변화하여 중력 전단력비의 차이가 발생하기 때문에 기둥 양변의 크기를 동시에 변화시켜서 $b_o$가 일정해 지도록 기둥 단면의 크기를 결정하였다. 그리고 슬래브 휨 철근비와 중력 전단력비 $(V_g/V_c)$ 등 접합부의 이력 거동에 영향을 줄 수 있는 다른 영향 인자들은 일정한 조건으로 계획하여 기둥 형상비의 영향을 고찰할 수 있도록 하였다. 일정 수직하중과 반복횡하중이 작용하는 슬래브_기둥 접합부의 실험을 통해서 뚫림전단파괴 양상과 균열 패턴, 철근 및 콘크리트의 변형률, 접합부의 강도와 강성, 그리고 변형 능력 등을 기둥 형상비 변수에 따라 분석하였다. 또한, ACI 318-05 설계기준의 편심 전단응력 모델에 의한 전단응력을 실험 결과와 비교하여 평가하였고, 실험 결과에 기초하여 휨과 전단에 의한 접합부 불균형모멘트 전달비율에 대한 검토를 하였다.