Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.20
no.12
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pp.2310-2316
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2016
We studied the effect of $Co^{60}$ gamma-radiation on the fiber Bragg gratings (FBGs) by irradiation time of UV Krypton fluoride (KrF) excimer laser among grating processing parameters. The FBGs were fabricated in a different UV laser irradiation time at 30, 60, 90, and 120 seconds using the same commercial Ge-doped silica core fiber (SMF-28e). It was exposed to gamma-radiation up to a high dose of 34.3 kGy at the dose rate of 106 Gy/min, and then it was analyzed radiation effects by measuring the radiation-induced change in the temperature sensitivity coefficient and Bragg wavelength shift. According to the experimental results, We confirmed that the UV laser irradiation period for grating inscription has a highly effect on the radiation sensitivity of the FBGs. The radiation-induced Bragg wavelength shift by the change of laser irradiation conditions showed a difference more than about 50 %.
Chemical vapor deposited (CVD) polycrystalline graphene is widely used for various sensor application because of its extremely large surface-to-volume ratio. The electrical properties of CVD-graphene is significantly affected by the grain size and boundaries (GGBs), but evaluation of GGB of continuous monolayer graphene is difficult. Although several evaluation methods such as tunneling electron microscopy, confocal Raman, UV/ozone-oxidation are typically used, they still have issues in evaluation efficiency and accuracy. In this paper, we suggest an improved evaluation method for precise and simple GGB evaluation which is based on UV/ozone-oxidation and chemical etching process. Using this method, we could observe clear GGBs of CVD-graphene layers grown by different process conditions and statistically evaluate average grain sizes varying from $1.69{\sim}4.43{\mu}m$. This evaluation method can be used for analyzing the correlation between the electrical properties and grain size of CVD-graphene, which is essential for the development of graphene-based sensor devices.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.30
no.8
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pp.508-513
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2017
Ultraviolet (UV) photodetectors are used in various industries and fields of research, including optical communication, flame sensing, missile plume detection, astronomical studies, biological sensors, and environmental research. However, general UV detectors that employ Schottky junction diodes and p-n junctions have high fabrication cost and low quantum efficiency. In this study, we investigated the characteristics of materials used to manufacture UV photodetectors in a low-cost solution process that requires easy fabrication of flexible substrates. We fabricated p-type NiO and n-type ZnO substrates with wide band gap by the sol-gel method and compared the characteristics of substrates prepared under different spin-coating and heat-treatment conditions.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TE
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v.42
no.3
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pp.45-50
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2005
A UV camera is being used in various application regions such as industry, medical science, military, and environment monitoring. A ROIC(ReadOut IC) is developed and can read the responses from UV photodiode sensors which are made with III-V nitride semiconductors of GaN series haying high resolution and high efficiency. To design FPA(Focal Plane Array) UV $8{\times}8$ ROIC, the photodiode type sensor devices are modeled as the capacitor type ones. The ROIC reads out signals from the detector at)d outputs sequentially pixel signals after amplifying and noise filtering of them. The ROIC is fabricated using the $0.5{\mu}m$ 2Poly 3Metal N-well CMOS process. And then, it and photodiode array are hybrid bonded by gold stud bumping process using ACP(Anisotropic Conductive Paste). After the packaging, UV images appearing on PC verified the operations of the ROIC.
In our experiments, strain-free nanowires(NWs) were dispersed on to the substrate, followed by e-beam lithography(EBL) to fabricate single nanowire ultraviolet(UV) sensor devices. Focused-ion beam(FIB), micro-Raman spectroscopy and photoluminescence were employed to characterize the structural and optical properties of AlGaN/GaN NWs. Also, I-V characteristics were obtained under both dark condition and UV lamp to demonstrate AlGaN/GaN NW-based UV sensors. The conductance of a single AlGaN/GaN UV sensor was 9.0 ${\mu}S$(under dark condition) and 9.5 ${\mu}S$ (under UV lamp), respectively. The currents were enhanced by excess carriers under UV lamp. Fast saturation and decay time were demonstrated by the cycled processes between UV lamp and dark condition. Therefore, we believe that AlGaN/GaN NWs have a great potential for UV sensor applications.
There are many studies and products using a test paper impregnated with chemical solution can react with ozone. The color of a test paper can indicate the concentration of ozone. The purpose of this research is to design and manufacture a system using ultraviolet light source to measure the ozone density. This new technique is based on the characteristic of decomposition from ozone into oxygen under ultraviolet light. We used two sources of ultraviolet light including UV lamp and UVLED to determine the decomposition of ozone. This system is built with the electronic components, sensors and sealed pump tube to measure the ozone density in units of $g/cm^3$,ppm,ppb. In this paper,, we present some initial results of measuring the ozone density from ozone generator after completing inspection for safety.
Er-doped ZnO(ZnO:Er) films were deposited onto MgO wafers by ultrasonic spray pyrolysis at 550 $^{\circ}C$ varying the concentration of Er in the deposition source from 0.5 wt% to 3.0 wt%. Annealing of the films in a vacuum was carried out to increase the intensity of ultraviolet(UV) emission from the films. The annealing temperature was between 600$^{\circ}C$ and 800$^{\circ}C$. The crystallographic properties and surface morphology of the films were investigated by X-ray diffraction(XRD)and scanning electron microscope(SEM), respectively. The properties of photoluminescence(PL) for the films were investigated by the dependence of PL spectra on the annealing temperature. X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) was conducted to find the composition change in the films by the annealing.
$Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ and $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors have been synthesized by conventional solid state method. Photocurrent properties of $Eu^{2+}$ doped ${SrAl_2}{O_4}$ and $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors, in order to elucidate $Dy^{3+}$ co-doping effect, during and after ceasing ultraviolet-ray (UV) irradiation have been investigated. The photocurrent of $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$ co-doped ${SrAl_2}{O_4}$ phosphors during UV irradiation was 4-times lower than that of $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ during UV irradiation, and 7-times higher than that of $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ after ceasing UV irradiation. The photocurrent results indicated that holes of charge carriers captured in hole trapping center during the UV irradiation and liberated after-glow process, and made clear that $Dy^{3+}$ of co-dopant acted as a hole trap. The photocurrent of ${SrAl_2}{O_4}$ showed a good proportional relationship to UV intensity in the range of $1{\sim}5mW/cm^2$, and $Eu^{2+}$-doped ${SrAl_2}{O_4}$ was confirmed to be a possible UV sensor.
Journal of the Society of Naval Architects of Korea
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v.58
no.6
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pp.424-430
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2021
Fire localization is a key mission that must be preceded for an autonomous fire suppression system. Although studies using a variety of sensors for the localization are actively being conducted, the fire localization is still unfinished due to the high cost and low performance. This paper presents the modeling and simulation of the fire localization estimation using Bayesian estimation to determine the probabilistic location of the fire. To minimize the risk of fire accidents as well as the time and cost of preparing and executing live fire tests, a 40m × 40m-virtual space is created, where two ultraviolet sensors are simulated to rotate horizontally to collect ultraviolet signals. In addition, Bayesian estimation is executed to compute the probability of the fire location by considering both sensor errors and uncertainty under fire environments. For the validation of the proposed method, sixteen fires were simulated in different locations and evaluated by calculating the difference in distance between simulated and estimated fire locations. As a result, the proposed method demonstrates reliable outputs, showing that the error distribution tendency widens as the radial distance between the sensor and the fire increases.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.49
no.2
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pp.132-139
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2000
This paper reports a novel micromachining process based on UV-LIGA process and (110) silicon anisotropic etching for fabrication of a high-aspect-ratio comb actuator. The comb electrodes are fabricated by (110) SILICON comb structure considering the etch-rate-ratio between (110) and (111) planes and lateral etch rate of a beam-type structure. The fabricated structure was$ 400\mum \; thick\; and\; 18\mum$ wide comb electrodes separated by $7\mim$ so that the height-gap ratio was about 57. Also considering resonant frequency of the comb actuator and the frequency-matching between sensing and driving mode for gyroscope application, we designed the number, width, height and length of the spring structures. Electroplated gold springs on both sides of the seismic mass were $15\mum\; wide,\; 14\mum\; thick\; and \; 500\mum$ long. The fabricated comb actuator had resonant frequency ay 1430Hz, which was calculated to be 1441Hz. The proposed fabrication process can be applicable to the fabrication of a high-aspect-ratio comb actuator for a large displacement actuator and precision sensors. Moreover, this combined process enables to fabricate a more complex structure which cannot be fabricate only by surface or bulk micromachining.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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