• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2018.06a
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• pp.46-46
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• 2018

메모리 소자의 수요가 데스크톱 컴퓨터의 정체와 모바일 기기의 폭발적인 증가로 NAND flash 메모리의 고집적화로 이어져서 3차원 집적 기술의 고도화가 중요한 요소가 되고 있다. 1 mm 정도의 얇은 웨이퍼 상에 만들어지는 메모리 소자는 실제 두께는 몇 마이크로미터 되지 않는다. 수직방향으로 여러 장의 웨이퍼를 연결하면 폭 방향으로 이미 거의 한계에 도달해있는 크기 축소(shrinking) 기술에 의지 하지 않고서도 메모리 소자의 용량을 증대 시킬 수 있다. CPU, AP등의 논리 연산 소자의 경우에는 발열 문제로 3D stacking 기술의 구현이 쉽지 않지만 메모리 소자의 경우에는 저 전력화를 통해서 실용화가 시작되었다. 스마트폰, 휴대용 보조 저장 매체(USB memory, SSD)등에 수 십 GB의 용량이 보편적인 현재, FEOL, BEOL 기술을 모두 가지고 있는 국내의 반도체 소자 업체들은 자연스럽게 TSV 기술과 이에 필요한 장비의 개발에 관심을 가지게 되었다. 특히 이 중 TSV용 스퍼터링 장치는 transistor의 main contact 공정에 전 세계 시장의 90% 이상을 점유하고 있는 글로벌 업체의 경우에도 완전히 만족스러운 장비를 공급하지는 못하고 있는 상태여서 연구 개발의 적절한 시기이다. 기본 개념은 일반적인 마그네트론 스퍼터링이 중성 입자를 타겟 표면에서 발생시키는데 이를 다시 추가적인 전력 공급으로 전자 - 중성 충돌로 인한 이온화 과정을 추가하고 여기서 발생된 타겟 이온들을 웨이퍼의 표면에 최대한 수직 방향으로 입사시키려는 노력이 핵심이다. 본 발표에서는 고전력 이온화 스퍼터링 시스템의 자기장 해석, 냉각 효율 해석, 멀티 모듈 회전 자석 음극에 대한 동역학적 분석 결과를 발표한다. 그림1에는 이중 회전 모듈에 대한 다물체 동역학 해석을 Adams s/w package로 해석하기 위하여 작성한 모델이고 그림2는 180도 회전한 서브 모듈의 위상이 음극 냉각에 미치는 효과를 CFD-ACE+로 유동 해석한 결과를 나타내고 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.310-310
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• 2016

최근 NAND flash memory는 높은 집적성과 데이터의 비휘발성, 낮은 소비전력, 간단한 입, 출력 등의 장점들로 인해 핸드폰, MP3, USB 등의 휴대용 저장 장치 및 노트북 시장에서 많이 이용되어 왔다. 특히, 최근에는 smart watch, wearable device등과 같은 차세대 디스플레이 소자에 대한 관심이 증가함에 따라 유연하고 투명한 메모리 소자에 대한 연구가 다양하게 진행되고 있다. 대표적인 플래시 메모리 소자의 구조로 charge trapping type flash memory (CTF)가 있다. CTF 메모리 소자는 trap layer의 trap site를 이용하여 메모리 동작을 하는 소자이다. 하지만 작은 window의 크기, trap site의 열화로 인해 메모리 특성이 나빠지는 문제점 등이 있다. 따라서 최근, trap layer에 다양한 물질을 적용하여 CTF 소자의 문제점을 해결하고자 하는 연구들이 진행되고 있다. 특히, 산화물 반도체인 zinc oxide (ZnO)를 trap layer로 하는 CTF 메모리 소자가 최근 몇몇 보고 되었다. 산화물 반도체인 ZnO는 n-type 반도체이며, shallow와 deep trap site를 동시에 가지고 있는 독특한 물질이다. 이 특성으로 인해 메모리 소자의 programming 시에는 deep trap site에 charging이 일어나고, erasing 시에는 shallow trap site에 캐리어들이 쉽게 공급되면서 deep trap site에 갇혀있던 charge가 쉽게 de-trapped 된다는 장점을 가지고 있다. 따라서, 본 실험에서는 산화물 반도체인 ZnO를 trap layer로 하는 CTF 소자의 메모리 특성을 확인하기 위해 간단한 구조인 metal-oxide capacitor (MOSCAP)구조로 제작하여 메모리 특성을 평가하였다. 먼저, RCA cleaning 처리된 n-Si bulk 기판 위에 tunnel layer인 SiO2 5 nm를 rf sputter로 증착한 후 furnace 장비를 이용하여 forming gas annealing을 $450^{\circ}C$에서 실시하였다. 그 후 ZnO를 20 nm, SiO2를 30 nm rf sputter로 증착한 후, 상부전극을 E-beam evaporator 장비를 사용하여 Al 150 nm를 증착하였다. 제작된 소자의 신뢰성 및 내구성 평가를 위해 상온에서 retention과 endurance 측정을 진행하였다. 상온에서의 endurance 측정결과 1000 cycles에서 약 19.08%의 charge loss를 보였으며, Retention 측정결과, 10년 후 약 33.57%의 charge loss를 보여 좋은 메모리 특성을 가지는 것을 확인하였다. 본 실험 결과를 바탕으로, 차세대 메모리 시장에서 trap layer 물질로 산화물 반도체를 사용하는 CTF의 연구 및 계발, 활용가치가 높을 것으로 기대된다.

• The Journal of Korean Institute of Communications and Information Sciences
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• v.34 no.6B
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• pp.630-640
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• 2009

The thesis suggests hand-held equipment to overhaul for mobile TFT LCD/OLED module of high-performance. The established module equipment to overhaul could distinguish outputting video data to module for distinguishing flicker, but it is impossible with low system. In this thesis, supporting system could check the various supplement functions from bringing equipment to overhaul without changing design of FPGA or H/W the module various size for equipment to overhaul for module of high-performance coincidently. The system includes hand-held equipment to overhaul, test software embedded and software a base personal computer and have designed to output, save, and certify all contents of module test of hand-held equipment to overhaul to interface universal serial bus. Setting up 9 items that represent for efficient verification of the proposed system have been possible confirmation with TFT LCD/OLED module of high-performance, establishment scan time, creation gamma, changing register, supporting interface, and multi inch modules.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2015.07a
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• pp.1098-1099
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• 2015

${\bullet}$ 시험대상: 영월태양광 4,990kW(998kW ${\times}$ 5호) ${\bullet}$ 13.07.31 연계기술검토의뢰 ${\bullet}$ 13.08.28 한전검토결과: 인근변전소 영월S/S(40MW) 초과로 10.8km 지점의 평창 D/L 평창간 347호 주진S/S에 다음의 보완대책과 연계 권고 ${\cdot}$ 문제점: 적정전압이탈 및 순시전압변동률 유지불가 ${\cdot}$ 연계기준만족을 위해 한전에서 제시한 보완대책 : 계통용량증설(설비보강), 연계용량 감소 및 전용선로 연계 ${\bullet}$ 14.01.09 분산형설치자의 용역사(에이스기술단)에서 송배전용전기설비 이용규정과 연계기준 만족을 위한 보완대책 제안 ${\cdot}$ 태양광발전시스템 인버터 자동전압(역률/무효전력) 조정기능 및 감시설비 구비 ${\cdot}$ 최적 공통연결점 선정: 분산형전원으로 부터 전기적으로 가장 가까운 영월D/L 영월S/S측에 개폐장치설치 하고 주진S/S 측으로 연계 ${\bullet}$ 14.01.29~06.19 한전(전력연구원)의 유효성 검토 ${\cdot}$ 보완대책 기술적 유효(실증시험 시행 후 시행공문 발송 예정) ${\bullet}$ 14.08.08 송배전용전기설비 이용규정 개정에 따른 협의 ${\cdot}$ 변압기 대당 20MW에서 25MW ${\cdot}$ 변전소 전체 60MW에서 75MW까지 허용 ${\cdot}$ 영월 S/S 측 문곡/영월 D/L 연계 공사 협의 ${\bullet}$ 14.10.04 사용전검사, 한전계통연계운전 시작 ${\bullet}$ 인버터 고정역률(99.9~100%) 운전 시험 ${\cdot}$ 14.11.21 22.9kV 계전기(SEL-751) 5대, 15분 간격 자료저장 ${\cdot}$ SEL-751/USB to RS232C/노트북 15분간격 측정(첨부) ${\bullet}$ 14.03.07 인버터 역률 95.0% 조정 15분간격 측정(첨부) ${\bullet}$ 변압기탭 선정과 인버터전압조정협조시험 계획 ${\cdot}$ 변압기탭을 현장에서 상하 1탭씩 변경 ${\cdot}$ 인버터역률을 인버터공급사에서 원격조정 ${\cdot}$ 22.9kV 보호계전기 SEL-751, 15분 간격 측정 ${\cdot}$ 인버터 370V 계전기 K-PAM DG3000/현장감시설비 연계 ${\cdot}$ 15분 간격 측정 저장 ${\cdot}$ 현장감시설비/인터넷 연결 원격측정(첨부예정)