본 논문에서는 역 E-급 증폭기 출력 회로의 병렬 공진기를 주파수에 대해 가변되도록 회로를 구성하여 넓은 주파수 범위에서 높은 전력부가효율과 출력전력을 유지하는 방법을 제안하였다. 여기서 사용된 병렬 공진기는 동작 주파수에 따라서 Q 값은 동일하고, 가변 특성을 얻기 위해서 바렉터 다이오드를 사용하여 인덕터와 캐패시터를 만들었으며, 전류 영점 교차를 위한 인덕턴스 성분은 집중소자로 또, 위상 보상을 위한 캐패시턴스는 분포소자로 구현하였다. 역 E-급 증폭기의 주파수 가변 특성을 통해서 효율과 출력 전력을 확인한 실험 결과는 65-120MHz의 주파수 범위에서 증폭기는 최대 75%의 전력부가효율과 25dBm의 출력전력을 얻었다.
Tunable SC(Switched Capacitor) bandpass ${\Sigma}-{\Delta}$(Sigma-Delta) modulator used in wireless system receiver occurs a signal attenuation according to tuning of center frequency in signal bandwidth. In this paper, tunable bandpass 4th order SC bandpass ${\Sigma}-{\Delta}$ modulator with novel structure is proposed for rejection of signal attenuation in signal bandwidth. The existing structure uses a ten variable coefficient values for rejection of signal reduction in the modulator. But the proposed structure only use a two variable coefficient values for rejection of signal attenuation in the modulator. Also, an adder and comparator is replaced with a comparator having 4 inputs in the modulator. Therefore, the existing structure has one more OP-AMP. The purposed modulator was designed in $0.18\;{\mu}m$ CMOS technology. The resolution of the modulator within 310 kHz bandwidth and 40 MHz sampling frequency under 6.67 MHz, 10 MHz and 13.33 MHz intermediate frequency are over 10 bit.
This paper presents a CMOS RF-to-DC converter for video surveillance disposable IoT applications. It widely harvests RF energy of 3G/4G cellular low-band frequency range by employing a tunable impedance matching network. The proposed converter consists of the differential-drive cross-coupled rectifier and the matching network with a 4-bit capacitor array. The proposed converter is designed using 130-nm standard CMOS process. The designed energy harvester can rectify the RF signals from 700 MHz to 900 MHz. It has a peak RF-to-DC conversion efficiency of 72.25%, 64.97%, and 66.28% at 700 MHz, 800 MHz, and 900 MHz with a load resistance of 10kΩ, respectively.
본 논문에서는 선별된 IF 대역의 데이터 변환을 위하여 모듈레이터의 하나의 계수값에 의하여 IF 대역 중심주파수을 조절할 수 있는 새로운 2차 SC Bandpass $\Sigma-\Delta$ 모듈레이터 구조를 제안한다. 제안한 구조는 기존구조에 비하여 2차 형태의 잡음 전달함수를 임의로 변경할 수 있고, 중심주파수 조절를 위하여 기존구조는 가변이 가능한 2개의 계수값, 기본클럭외 다른 8개의 클럭이 필요한 반면 제안한 구조는 가변이 가능한 하나의 계수값과 기본 클럭만으로 주파수를 조절할 수 있다.
The properties of tunable dielectric materials on RF frequency band are important high tunability and low loss for RF variable devices, variable capacitor, phased array antenna and other components application. Various composite of BST(barium strontium titanate) ratio combined with other non-electrical active oxide ceramics have been formulated for such uses. We present the tunable properties and Curie temperature on BST thick films. The grain growth of the weight ratio of $BaTiO_3$ increased. This can be explained by the substitute $Sr^{2+}$ ion for $Ba^{2+}$ ion in the $BaTiO_3$ system. The Curie temperature was shifted to lower temperature with increasing $SrTiO_3$in the $BaTiO_3-SrTiO_3$ system, because of decreasing the lattice constant. Also, the dielectric constant, tunability and K-factor of $(Ba_xSr_{1-x})TiO_3$ at over the Curie temperature decreased, at over the $60^{\circ}C$ fixation, maximum dielectric constant at Curie temperature and hence sharper phase transformation occurred at Curie temperature. The result were interpreted as a process of internal stress relaxation resulting form the increase of $90^{\circ}$ domains induced the BST. As a result, It is concluded that over the Curie temperature, frequency response and DC field effect for the tunable properties of BST thick film are suppressed by the transition broadening. For the application of tunable devices, that the curie temperature was investigated to be increased.
We report the growth of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) thin films and their substrate-dependent electrical characteristics. BST thin films were deposited on alumina(non-single crystal), $Al_2O_3$(100) substrates by Nd:YAG Pulsed Laser Deposition(PLD) with a 355nm wavelength at substrate temperature of $700^{\circ}C$ and post-deposition annealing at $750^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for 1hours. BST materials had been chosen due to high dielectric permittivity and tunability for high frequency applications, To analyze the oxygen partial pressure effects, deposited films at 1, 10, 50, 100, 150, 200, 300 mTorr. The effects of oxygen pressure on structural properties of the deposited films have been investigated by X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscope(AFM), respectively. Then we manufactured a inter-digital capacitor(IDC) patterns twenty fingers and $10{\mu}m$ gap, $700{\mu}m$ length and electrical properties were characterized. The results provide a basis for understanding the growth mechanisms and basic structural and electrical properties of BST thin films as required for tunable microwave devices applications such as varactors and tunable filters.
본 논문은 Feedback 적분기 계수를 이용하여 IF 대역의 중심주파수 조절이 가능한 Bandpass SC Sigma-de1ta 변조기를 제안한다. 제안한 구조는 Feedback loop에 적분기를 추가함으로서 동일 차수의 기존 구조에 비해 중심주파수 조절에 필요한 계수와 계수를 결정하는 커패시터의 수를 줄이고 기본적인 비중첩 클락 이외의 추가적인 클락 및 클락에 대한 부가회로가 필요하지 않다. 따라서 설계가 용이하며, 고차 구성이 가능하면서 더 높은 해상도를 가진다. $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여 설계하였으며, 200 kHz의 대역폭, 80 MHZ의 샘플링 주파수에서 15 MHz, 20 MHz, 25 MHz 의 중심주파수 일 때 12 bit 이상의 해상도를 가진다.
A convenient, tunable loop-gain negative impedance circuit that increases input impedance of a front-end in a bioimpedance measurement has been proposed. Since the proposed circuit comprises wide-band operational amplifiers, selecting operational amplifiers is easy, while an operational amplifier of proper bandwidth should be chosen to use conventional circuit. Also, since loop-gain can be controlled by a feedback resistor connected serially with a feedback capacitor, loop-gain is tunable with a potentiometer. The input impedance of the proposed circuit is two times larger than that of the conventional circuit. Furthermore, closed loop phase response of the proposed circuit is better than that of the conventional circuit or without a negative capacitance circuit. The implemeted, proposed circuit showed stable operation and a zero input capacitance.
Kim, Jong-Man;Lee, Sang-Hyo;Park, Jae-Hyoung;Kim, Jung-Mu;Baek, Chang-Wook;Kwon, Young-Woo;Kim, Yong-Kweon
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제4권4호
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pp.300-306
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2004
This paper reports a novel tunable bandpass filter using two-state switched inductor with direct-contact MEMS switches for wireless LAN applications. In our filter configuration, the switched inductor is implemented to obtain more stable and much larger frequency tuning ratio compared with variable capacitor-based tunable filter. The proposed tunable filter was fabricated using a micromachining technology and electrical performances of the fabricated filter were measured. The filter consists of spiral inductors, MIM capacitors and direct-contact type MEMS switches, and its frequency tunability is achieved by changing the inductance that is induced by ON/OFF actuations of the MEMS switches. The actuation voltage of the MEMS switches was measured of 58 V, and they showed the insertion loss of 0.1 dB and isolation of 26.3 dB at 2 GHz, respectively. The measured center frequencies of the fabricated filter were 2.55 GHz and 5.1 GHz, respectively. The passband insertion loss and 3-dB bandwidth were 4.2 dB and 22.5 % at 2.55 GHz, and 5.2 dB and 23.5 % at 5.1 GHz, respectively.
본 논문에서는 협소한 갭이 있는 마이크로스트립 링의 특성을 분석하였으며, 이를 주파수가변(tunable) 마이크로파 밴드갭(Microwave bandgap:MBG) 구조로 제안하였다. 마이크로파 밴드갭(MBG)의 중심주파수는 링의 반지름에 의해 결정되었으며 링 공진기의 홀수 모드에 해당하는 주파수영역에서만 저지대역이 존재하였다. 제안된 마이크로스트립 MBG 링에서 저지대역은 링에 있는 협소한 갭에서 전자기파의 반사로 인해 형성되며 갭 사이에 부착한 리액티브 성분의 값을 변화시킴으로써 저지대역이 형성되는 영역을 결정 할 수 있다. 갭 사이에 부착한 캐패시터는 저지대역의 중심주파수를 낮은 주파수영역으로 이동시켰고 인덕터는 저지대역의 중심주파수를 높은 주파수영역으로 이동시키는 결과를 보였다. 이렇게 갭 사이에 배랙터(varactor)를 부착한 마이크로스트립 MBG 링은 마이크로파 스위치로 유용하게 사용 할 수 있을 것이다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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