The purpose of this study was to evaluate the effects of periodontal curet and various rotating instruments on the root surfaces. Thirty-five extracted teeth with advanced periodontal disease were used. They was root planed with periodontal curet, periodontal Perio-Clean bur, periodontal Roto-Perio bur, resin polishing ET bur, and resin polishing diamond fissure bur. To find dentinal tubule orifices on the root surface, tetracycline HCI solution was applied to the one tooth of treated each group. Then, root surfaces were investigated using scanning electron microscope. Amount of loss of cementum was evaluated by loss of tooth substance index. The results were as follows. 1. Groups treated with periodontal curet and Perio-Clean bur showed irregular surface and concavities. Concavities seemed to be lacunae of cementocyte. Other groups treated with Roto-Perio bur, resin polishing ET bur, and resin polishing diamond fissure bur showed partially opened dentinal tubule orifice. 2. Groups treated with periodontal curet and Perio-Clean bur and tetracycline HCl showed irregular surface. No dentinal tubule orifice was seen. Other groups treated with Roto-Perio bur, resin polishing ET bur, and resin polishing diamond fissure bur and tetracycline HCl showed dentinal tubule orifice with various shape and size. 3. Loss of tooth substance indices were compared between groups. There was no statistically difference between periodontal curet and Perio-Clean bur groups. There were statistically differences between periodontal curet and Roto-Perio bur, ET bur, and diamond fissure bur groups. As a result of this study, groups treated with Roto-Perio bur, resin polishing ET bur, and resin polishing diamond fissure bur showed more cementum removed than groups treated with periodontal curet and Perio-Clean bur. Therefore, in a conventional treatment for periodontal disease, it was recommended that periodontal curet or Perio-Clean bur should be used. In a treatment for regeneration of periodontal tissue, it was recommended that Roto-Perio bur, resin polishing ET bur, or resin polishing diamond fissure bur should be used
It is identified that the diamond films grown o bias-treated (100) silicon showed different surface morphologies and film textures according to the initial applied dc bias voltage at the same growth condition. The highly oriented diamond film (HODF) was successfully grown on -200 V bias-treated silicon substrate in which the heteroepitaxial relation of $(100)_{dimond}//(100)_{si}\; and\; [110]_{diamond}//[110]_{si}$ was identified. On the contrary, the heteroepitaxial relation was considerably disturbed in the samples bias-voltage was a key factor in growing the highly oriented diamond film on (100) silicon substrate. Considering the experimental results, we proposed a new model about heteroepitaxial diamond growth on silicon, in which 9 diamond unit cell are matched with 4 silicon cells and the bond covalency of both atoms is satisfied via the intermediate layer at the interface as well.
The purpose of this study was to evaluate the effect of surface treatment of fractured metal-ceramic crown on bond strength of porcelain repair resin. The specimens were divided into two groups for metal specimens add five groups for porcelain specimens by surface treatment methods. the metal specimens were treated by 2 methods. : micro-sandblasting with $50{\mu}m$ aluminum oxide and grinding with diamond bur. The porcelain specimens were treated by 5 methods : micro-sandblasting with $50{\mu}m$ aluminum oxide, grinding with diamond bur, etching with porcelain etching agent, combination of micro-sandblasting and etching procedure, and combination of grinding and etching procedure. After surface treatment, each specimen was bonded with composite resin and the bond strength was measured and the surface texture was observed by scanning electromicroscope(SEM). The results were as follows : 1. There was significant difference in shear bond strength between metal specimen and prorcelain specimen. 2. Bood strength of metal specimens treated with diamond bur was higher than that treated with $50{\mu}m$ aluminum oxide sandblasting. 3. Bond strength of porcelain specimen treated with diamond bur was higher than that treated with $50{\mu}m$ aluminum oxide sandblasting and porcelain etching agent. 4. There was no significant difference in shear bond strength between the group treated with diamond bur and combined treatment groups respectively. 5. The large undercuts were observed in group treated with diamond bur by SEM.
Kim, Jong-Rang;Jang, Yun-Deuk;Kim, Sun-Ha;Kim, Jong-Hwa;Paik, Youn-Kee
Journal of the Mineralogical Society of Korea
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v.21
no.4
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pp.435-442
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2008
Natural, synthetic, and treated diamonds were studied by NMR and EPR. It was demonstrated that natural and synthetic diamonds, treated and non-treated diamonds, high pressure high temperature (HPHT) treated and electron beam treated diamonds could be distinguished among each other based on the $^{13}C$ NMR spectra acquired for relatively short periods of 100 minutes. The $^{13}C$ NMR linewidths of gem quality synthetic diamonds were broader than 1.6 ppm due to the paramagentic effects of transition metals, generally used as catalysts, while the linewidths of gem quality natural diamonds were narrower than 0.5 ppm regardless of the methods of treatment. The linewidth (0.5 ppm) for a HPHT treated, gem quality natural diamond was as broad as more than twice of the linewidth (0.2 ppm) of an electron beam treated diamond. The $^{13}C$ NMR signal intensities of treated, gem quality natural diamonds were as strong as more than 10 times of the intensities of non-treated, gem quality natural diamonds. When correlated with the concentrations of the paramagnetic defects (electrons) obtained from the EPR spectra, the relative $^{13}C$ NMR signal intensities increased in proportion to the concentrations of the paramagnetic electrons contained in each sample but the electron beam treated diamond was an exception. This suggested that the lattice component, in addition to the paramagnetic defect component, should also be considered in determining the $^{13}C$ NMR signal intensity of the electron beam treated diamond.
In diamond synthesis by metal film growth method under high pressure and high temperature, the nucleation and growth of diamond was observed dependent on the carbon source variation from graphite powder to the heat treated powders of lamp black carbon. At the low driving force condition near equilibrium pressure and temperature line, nucleation of diamond did not occur but growth of seed diamond appeared in the synthesis from lamp black carbon while both nucleation and growth of diamond took place in the synthesis from graphite. Growth morphology change of diamond occurred from cubo-octahedron to octahedron in the synthesis from graphite but very irregular growth of seed diamond occurred in the synthesis from lamp block carbon. Lamp black carbon transformed to recrystallized graphite first and very nucleation of diamond was observed on the recrystallized graphite surface. Growth morphology of diamond on the recrystallized graphite was clear cubo-octahedron even at higher pressure departure condition from equilibrium pressure and temperature line.
We propose a new reliable, fast, and low cost identification method for similarly looking 0.3ct vivid yellow color of natural, HPHT treated, and synthesized diamonds. Conventional optical microscopy as well as low temperature PL(photoluminescence), FT-IR, UV-VIS-NIR, micro-Raman spectroscopy, and vibrating sample magnetometry(VSM) characterization were executed. We could not distinguish the natural diamonds from the treated or the synthesized stones with an optical microscopy, PL, FT-IR, and UV-VIS-NIR spectroscopy. However, we could identify the treated diamond with micro-Raman spectroscopy due to unique $1440cm^{-1}$ peak appearance. VSM revealed easily the synthesized diamond because of its ferromagnetic behavior. Our preliminary propose on employing the Micro-Raman spectroscopy and VSM might be suitable for identification of the similar looking vivid yellow colored diamonds.
Diamond film was deposited on Si wafer substrate from a gas mixture of methane, hydrogen and oxygen by microwave plasma-assisted chemical vapor deposition. The effects of the pre-treatments of the substrate and of the oxygen addition on the diamond film synthesis are described. In order to obtain diamond film, the substrate was pre-treated with 3 kinds of methods. When the substrate was ultrasonically vibrated within the ethyl alcohol dispersed with 25${\mu}{\textrm}{m}$ diamond powder, the denset diamond film was deposited. Addition of oxygen in the gas mixture of methane and hydrogen improved the crystallinity of the deposited diamond film and also increased the deposition rate of the diamond film more than two times.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.39
no.5
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pp.229-234
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2006
Diamonds have been widely employed as polishing media for precise machining and noble substrates for microelectronics. The recent development of the split sphere press has led to the enhancement of low quality natural diamonds. Synthesized and treated diamonds are sometimes traded deceptively as high quality natural diamonds because it is hard to distinguish among these diamonds with conventional gemological characterization method. Therefore, we need to develop a new identification method that is non-destructive, fast, and inexpensive. We proposed using new methods of UV fluorescence and X-ray Lang topography for checking the local HPHT stress field to distinguish these diamonds from natural ones. We observe unique differences in the local stress field images in treated diamonds using UV fluorescence and Lang topography characterization. Our result implies that our proposed methods may be appropriate for identification of the treated diamonds.
Most investigators recommended that porcelain surface should be roughened with abrasives and/or be etched with acid in repairing the fractured porcelain with composite resin. This study was designed to evaluate the effect of porcelain surface treatments on the bond strength between porcelain and composite resin by measuring the shear bond strength and observing the porcelain surface with SEM. 48 porcelain disc were fabricated with Vintage porcelain and embedded in epoxy resin with the test surface exposed. The specimens were divided four groups at random and the test surfaces of the four groups were prepared as follows : Group 1 : Porcelain surface was roughened with a fine diamond and treated with 32% phosphoric acid gel for 10 seconds. Group 2 : Porcelain surface was roughened with a fine diamond and etched with 8% hydrofluoric acid gel for 5 minutes. Group 3 : Porcelain surface was roughened with a coarse diamond and treated with 32% phosphoric acid gel for 10 seconds. Group 4 : Porcelain surface was roughened with a coarse diamond and etched with 8% hydrofluoric acid gel for 5 minutes. All specimens were washed for 30 seconds. A representative specimen of each group was selected and the porcelain surface was observed with SEM at 1000 magnification. Remaining specimens were silanated, bonded with composite resin, thermocycled, and shear-tested on specially designed zig connected to Instron machine. The results were as follows : 1. The shear bond strength of the group etched with hydrofluoric acid was significantly higher than that of group treated with phosphoric acid(p<0.01). 2. The shear bond strength of the group roughened with a fine diamond was not significantly different from that of the group roughened with a coarse diamond(p>0.01). 3. SEM examination of prepared porcelain surfaces revealed that the surface etched with hydrofluoric acid showed numerous microporosities, undercut, and rougher surface than the surface treated with phosphoric acid. 4. All specimens etched with hydrofluoric acid showed cohesive failure within porcelain, but specimens treated with phosphoric acid mainly showed adhesive failure between porcelain and composite resin.
Dependences of total photoyields on incident photon energies were measured using synchrotron radiation light for different chemical-vapor-deposited diamond with differently treated surface. Results show that a considerable amount of gap states are presented for as-grown specimens with H-terminated, that negative electron affinity (NEA) is realized for H-plasma-treated specimens, and that sufficient O-treatment to NEA specimens results in positive electron affinity. The observed electron affinity can be explained in terms of differences in strength of the surface dipole layer formed by difference in the electron negativity among C, H and O atoms.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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