• Title/Summary/Keyword: Traveling-Wave Tube

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저고도 탐지레이더용 진행파관증폭기 정비시스템 개발 및 성능시험 연구 (Development and Performance Test of TWTA Maintenance System for the Low Altitude Surveillance Radar)

  • 윤인철;윤석진;권종원;김희식
    • 전자공학회논문지SC
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    • 제47권6호
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    • pp.43-50
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    • 2010
  • 본 논문에서는 임베디드 리눅스 시스템 기반의 저고도탐지레이더용 진행파관증폭기 정비장비 시스템을 개발하였다. 군용 장비에 대한 신뢰성 분석 및 정비, 유지보수에 대한 중요성은 꾸준히 증가되고 있는 추세이다. 또한 저고도 탐지레이더용 진행파관증폭기의 비선형 특성으로 인한 전체 시스템 성능저하 문제가 빈번히 발생하고 있다. 따라서 진행파관 증폭기의 RF 입출력 신호의 종류와 특성, 진행파관 증폭기의 동작특성을 분석하여 임베디스 시스템과의 원활한 인터페이스를 개발하고, 리눅스 커널을 수정하여 시스템 최적화를 수행하였다. 본 논문에서 개발된 정비장비의 신뢰성 평가 결과, 본 정비장비로 정비된 구성품이 전투력을 발휘하는 것을 확인할 수 있다. 따라서 본 논문에서 제안한 규격은 매우 유용하며 따라서 차후 유사장비 개발 시 적용 가능할 것으로 판단된다.

Carrier Complex Power Series를 이용한 K-대역 위성 TWTA용 반사형 다이오드 구조의 전치왜곡 선형화기 (K-band Predistortive Linearizer of Reflective Diode Structure for Satellite TWTA Using Carrier Complex Power Series)

  • 정희영;정용채;염인복
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제16권6호
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    • pp.644-651
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    • 2005
  • 본 논문은 진행파관 증폭기의 비선형성을 줄이기 위해 새로운 전치 왜곡 방법을 제안하였다. 진행파관 증폭기의 비선형 전달 특성은 carrier complex power series를 이용하여 해석하였고, 이를 선형화하기 위한 전치 왜곡 선형화기의 전달 특성을 inverse complex power series로 해석하였다. Schottky 다이오드와 전송 선로 종단에 부착된 부하 저항을 반사형 구조로 만듦으로 전치 왜곡기의 비선형 왜곡 특성을 얻을 수 있었다. 제안된 선형화기를 적용하여 K-대역용 진행파관 증폭기의 AM-to-AM 및 AM-to-PM 특성 을 각각 -5.825 dB과 $-37.321^{\circ}$에서 0.786 dB과 $6.742^{\circ}$로 개선시켰다.

영구자석형 14 GHz ECR 이온원 개념설계

  • 오병훈;인상열;이광원;서창석;장대식;진정태;정승호;황철규
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.233-233
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    • 2011
  • ECR 이온원을 가볍고 작게 하면서 운전을 단순화함으로써 유지보수를 최소화하는 것은 특히 의료용 중입자 가속기에서 매우 중요한 조건 중 하나가 된다. 탄소 다가 이온을 만들어내기 위한 의료용 중입자가속기의 이온원으로 영구자석형 ECR 이온원을 개념 설계하였다. 영구자석은 이온원 입출구에서 강력한 축방향 자장을 만들기 위한 솔레노이드 자석 두 개와 반경방향 자장을 만들어 주기 6극 자석으로 구성된다. 또한 축방향 자장 흐름을 효과적으로 만들어주기 위한 두 개의 링 형 자석을 추가하여 자장의 강도를 높였다. 그러나 영구자석으로만 만들어진 자장 구조는 제작과 동시에 고정이 되어 수정이 불가능하기 때문에 제작 후 매우 제한적인 운전영역을 가질 뿐 만 아니라 최악의 경우에는 운전조건을 찾지 못하는 경우도 발생할 수 있다. 따라서 본 설계에서는 그림과 같이 두 개의 작은 보조 솔레노이드 전자석을 추가하여, 최소한의 운전조건으로 ECR 이온원의 공명영역을 결정하는 최소 자장의 구조뿐만 아니라 축방향 자장의 세기도 각각 능동적으로 제어할 수 있도록 하였다. 또한 마이크로파원으로는 TWT (Traveling Wave Tube)를 사용하여 10 GHz에서 14 GHz 까지 다양한 주파수에서 운전이 가능할 수 있도록 설계하였다. 이러한 설계를 통하여 다양한 운전조건을 가질 수 있는 안정된 ECR 이온원을 부피가 작으면서도 유지보수를 최소화하는 구조로 만들 수 있으며, 본 이온원은 탄소 다가 이온을 만들어내기 위한 목적뿐 만 아니라 다양한 중이온을 작은 규모로 만들어내기 위한 장치에서도 사용될 수 있다.

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S대역 군사 레이더용 2kW급 GaN HEMT 증폭기 개발 (Development of 2-kW Class C Amplifier Using GaN High Electron Mobility Transistors for S-band Military Radars)

  • 김시옥;최길웅;유영근;임병옥;김동길;김흥근
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제15권3호
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    • pp.421-432
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    • 2020
  • 본 논문에서는 S-밴드 군용 레이더에 사용되고 기존의 TWTA를 대체하기 위해 GaN HEMT 기반 증폭모듈을 이용하여 개발한 2kW급 반도체증폭기(SSPA)를 제안하였다. 제안한 SSPA는 8개의 증폭모듈로 이루어진 고출력증폭모듈, 구동증폭모듈, 제어모듈 및 전원공급 장치로 이루어져 있다. 제안한 SSPA는 1) 증폭모듈과 구성부품은 공간적 제약으로 작은 패키지에 통합설계 되었으며, 2) PCB 내장형 하모닉필터를 이용하여 고주파를 제거하였으며, 그리고 3) 입력신호의 듀티 변화에 대응하여 일정한 출력이 유지되도록 하는 자동이득조절기를 설계하였다. 제안된 SSPA는 최대 48 dB의 이득과 3.1~3.5 GHz의 주파수 대역에서 63-63.6 dBm의 출력 전력을 보였다. 자동이득조절 기능은 15-20 dBm의 입력전력 변동에도 대해서, 출력전력이 63dBm 전후로 일정하게 유지하는 것을 확인하였다. 마지막으로 MIL-STD-810의 시험기준을 만족하는 높은 (55 ℃) / 낮은 (-40 ℃) 온도시험 프로파일을 이용한 온도시험을 통해 개발된 시스템의 신뢰성을 검증하였다. 개발된 SSPA는 경량, 고출력, 고이득, 안전기능, 낮은 수리비, 짧은 수리시간 등 측면에서 기존의 TWTA 증폭기보다 우수한 것을 확인하였다.