• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2003년도 학술회의 논문집 정보 및 제어부문 B
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• pp.789-792
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• 2003

pMOSFET having 10 ${\mu}um$ thickness Gd layer has been tested to be used as a slow neutron sensor. The total thermal neutron cross section for the Gd is 47,000 barns and the cross section value drops rapidly with increasing neutron energy. When slow neutrons are incident to the Gd layer, the conversion electrons are emitted by the neutron absorption process. The conversion electrons generate electron-hole pairs in the $SiO_2$ layer of the pMOSFET. The holes are easily trapped in Oxide and act as positive charge centers in the $SiO_2$ layer. Due to the induced positive charges, the threshold turn-on voltage of the pMOSFET is changed. We have found that the voltage change is proportional to the accumulated slow neutron dose, therefore the pMOSFET having a Gd nuclear reaction layer can be used for a slow neutron dosimeter. The Gd-pMOSFET were tested at HANARO neutron beam port and $^{60}CO$ irradiation facility to investigate slow neutron response and gamma response respectively. Also the pMOSFET without Gd layer were tested at same conditions to compare the characteristics to the Gd-pMOSFET. From the result, we have concluded that the Gd-pMOSFET is very sensitive to the slow neutron and can be used as a slow neutron dosimeter. It can also be used in a mixed radiation field by subtracting the voltage change value of a pMOSFET without Gd from the value of the Gd-pMOSFET.

• 한국과 국제사회
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• 제1권2호
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• pp.5-32
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• 2017

5.18 광주 민중항쟁은 1993년 5월 김영삼 대통령에 의해 합법적인 민주화운동으로 인정받았고, 2011년 유네스코는 '5.18 광주민주항쟁'을 세계기록 유산으로 승인하였다. 이는 광주시민의 명예 회복에 전기를 마련하는 일이었다. 하지만 사건 발생 37년이 지난 지금도 이에 대한 평가는 전국적으로 통일되지 않았고, 어쩌면 광주만의 정신, 광주만의 자부심으로 기억되고 있는지 모르겠다. 이러한 상황이 지속되는 여러 요인들이 있겠지만, 본 연구자는 5.18의 진상규명과 시대정신에 맞는 재해석, 시민교육을 담당할 전문가들이 전라도와 서울에 집중적으로 분포되어 있다는 점이 가장 큰 요인으로 작용하고 있다고 생각한다. 게다가 5.18을 달리 평가하는 저널이 가해자 지역에 적을 두고 활동하고 있어 평가가 양분 된 채 통일되지 못하고 호남에 갇혀있게 된 것이라 생각한다. 본 연구는 5.18의 의미가 전국적으로 통일되지 못하고 호남에 갇혀있게 된 요인으로 5.18관련자들만의 "당사자주의"의 한계에 있다 판단하고 있다. 특히 이 사건을 객관적인 시각으로 분석하고 해명해야 할 연구자들이 연고지역에 편중분포(광주 전라도>서울>경남)되어 있어 5.18의 의미가 통일되지 못하고 있는 것이 아닌지 그 개연성에 주목하게 되었다. 이 연구에서는 학술연구논문과 저널 저자 및 출판 소재지가 양분되어 있고, 편중분포 되어 있음을 밝히고, 연구자들의 편중분포가 지역성 극복에 걸림돌이 되고 있다는 개연성을 밝히고자 한다.

• 전자공학회논문지D
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• 제36D권10호
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• pp.9-16
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• 1999

Flash EEPROM 셀에서 기존의 ONO 구조의 IPD를 사용하면 peripheral MOSFET의 게이트 산화막을 성장할 때에 사용되는 세정 공정을 인하여 ONO 막의 상층 산화막이 식각되어 전하 보존 특성이 크게 열화되었으나 IPD 공정에 ONON 막을 사용하면 그 세정 공정시에 상층 질화막이 상층 산호막이 식각되는 것을 방지시켜 줌으로 전하보존 특성이 크게 개선되었다. ONON IPD 막을 갖고 있는 Flash EEPROM 셀의 전화 보존 특성의 모델링을 위하여 여기서는 굽는(bake) 동안의 전하 손실로 인한 문턱전압 감소의 실험식으로 ${\Delta}V_t\; = \;{\beta}t^me^{-ea/kT}$을 사용하였으며, 측정 결과 ${\beta}$=184.7, m=0.224, Ea=0.31 eV의 값을 얻었다. 이러한 0.31 eV의 활성화 에너지 값은 굽기로 인한 문턱전압의 감소가 층간 질화막 내에서의 트립된 전자들의 이동에 의한 것임을 암시하고 있다. 한편, 그 모델을 사용한 전사 모사의 결과는 굽기의 thermal budget이 낮은 경우에 실험치와 잘 일치하였으나, 반면에 높은 경우에는 측정치가 전사 모사의 결과보다 훨씬 더 크게 나타났다. 이는 thermal budge가 높은 경우에는 프로그램시에 층간 질화막 내에 트립되어 누설전류의 흐름을 차단해 주었던 전자들이 빠져나감으로 인하여 터널링에 의한 누설전류가 발생하였기 때문으로 보여졌다. 이러한 누설전류의 발생을 차단하기 위해서는 ONON 막 중에서 층간 질화막의 두께는 가능한 얇게 하고 상층 산화막의 두께는 가능한 두껍게 하는 것이 요구된다.

• 대한인간공학회:학술대회논문집
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• 대한인간공학회 1992년도 추계학술대회논문집
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• pp.63-67
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• 1992

인간이 역사를 이루며 살아오면서 피복은 인간의 생활 수단으로서 빠뜨릴 수 없는 존재가 되었다. 사외 생활을 하면서 인간은 자신을 보호하고 남에게 자신의 이미지를 전달하고 자신의 욕구를 표출하면서 만족시키는데 있어 의복은 가장 중요한 역활을 하고 있고 인간 역시 그러한 것들을 의복에 의존하고 있는 것이다. 그러나 정상인을 위한 의복만 취급되어지는 시장에서 신체장애자들은 정상인보다도 더 세심하게 기능들이 고려된 의복이 필요함에도 불구하고 의복의 기능들을 생각하면서 의복을 선택할 수가 없다. 이러한 사앙들이 대두되면서 현대에 들어 신체 장애자 의복에 있어서 불편함을 없애고 보다 적합한 의복을 만들기 위한 연구가 진행되었다. 신체 장애자의 의복 연구는 Ward가 이 부분에 관심을 표명한 이후 임상 의사들에 의해 연구가 이루어지기 시작했다. 우리나라에서도 1976년 심성식의 한국 신체 장애자의 의복에 관한 연구를 기점으로 이 분야의 관심도가 높아지고 있으나 아직까지는 전반적으로 부족한 실정이다. 특히 위생적인 분야에서는 자료가 매우 부족하다. 이에 본 연구에서는 휠체어를 사용하는 하지 마비자의 체표 면을 떠서 기성복 패턴과 비교를 통해 보다 편안한 바지 패턴을 제시하고, 여름철에 많이 사용하는 직물로 바지를 제작하고 착용시킨후 인체 생리 반응을 분석하여 여름철에 쾌적한 바지를 알아 보았다. 이 연구를 통해 일반인과는 생활 자세가 다른 휠체어를 사용하는 하지 마비자와 일반인이 입는 기성복 바지를 착용 했을 때 생기는 불합리한 요소들을 고려하여 미적이고 기능적 및 위생적인 측면에서 신체 장애자에게 보다 적합한 바지를 제작하기 위한 기초 자료를 제공하고자 한다.값은 $f^{m}$ (p-1)-1 이다. (n=2m)이 많고 흡연 등의 만성 자극 요인이 있으며 술후 음성 호전에 걸리는 기간이 길어 보다 복합적인 측면에서 치료에 임하여야 할 것으로 사료된다. with such configuration.trap with 2.88[eV] deep of injected space charge from the chathode in the crystaline regions. The origin of ${\alpha}$$_2$ peak was regarded as the detrapping process of ions trapped with 0.9[eV] deep originated from impurity-ion remained in the specimen during production process of the material, in the crystalline regions. The origin of ${\beta}$ peak was concluded to be due to the depolarization process of "C=0"dipole with the activation energy of 0.75[eV] in the amorphous regions. The origin of ${\gamma}$ peak was responsible to the process combined with the depolarization of "CH$_3$", chain segment, with the activation

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제12권4호
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• pp.449-457
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• 2012

The program/erase (P/E) cyclic endurances including bias temperature instability (BTI) behaviors of Metal-$Al_2O_3$-Nitride-Oxide-Semiconductor (MANOS) memories are investigated in comparison with those of Semiconductor-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor (SONOS) memories. In terms of BTI behaviors, the SONOS power-law exponent n is ~0.3 independent of the P/E cycle and the temperature in the case of programmed cell, and 0.36~0.66 sensitive to the temperature in case of erased cell. Physical mechanisms are observed with thermally activated $h^*$ diffusion-induced Si/$SiO_2$ interface trap ($N_{IT}$) curing and Poole-Frenkel emission of holes trapped in border trap in the bottom oxide ($N_{OT}$). In terms of the BTI behavior in MANOS memory cells, the power-law exponent is n=0.4~0.9 in the programmed cell and n=0.65~1.2 in the erased cell, which means that the power law is strong function of the number of P/E cycles, not of the temperature. Related mechanism is can be explained by the competition between the cycle-induced degradation of P/E efficiency and the temperature-controlled $h^*$ diffusion followed by $N_{IT}$ passivation.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 하계학술대회 논문집 D
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• pp.1373-1376
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• 1998

Electroluminescent(EL) devices based on organic materials have been of great interest due to their possible applications for large-area flat-panel displays. They are attractive because of their capability of multicolor emission, and low operation voltage. In this study, glass substrate/ITO/TPD/$Eu(TTA)_3(phen)/Alq_3/Al$ structures were fabricated by evaporation method, where aromatic diamine(TPD) were used as a hole transporting material, $Eu(TTA)_3(phen)$ as an emitting material, and tris(8-hydroxyquinoline)Aluminum ($Alq_3$) as an electron transporting layer. Electroluminescent(EL) and I-V characteristics of $Eu(TTA)_3(phen)$ with a variety thickness was investigated. This structure shows the red EL spectrum, which is almost the same as the PL spectrum of $Eu(TTA)_3(phen)$. I-V characteristics of this structure show that turn-on voltage was 9V and current density of $0.01A/cm^2$ at a dc drive voltage of 9V. Details on the explanation of electrical transport phenomena of these structures with I-V characteristics using the trapped-charge-limited current model will be discussed.

• Composites Research
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• 제29권4호
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• pp.179-185
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• 2016

A self-charging supercapacitor is constructed through simple integration of the energy storage and photo exited materials at the photo electrode. The large band gap of $NiO/Fe_3O_4$ heterostructure generates photo electron at the photo electrode and store the charges through redox mechanism at the counter electrode. Sulfanilic acid azocromotrop/reduced graphene oxide layer at the photo electrode trapped the photo generated hole and store the charge by forming double layer. The solar supercapacitor device is charged within 400 s up to 0.5 V and exhibited a high specific capacitance of ~908 F/g against 1.5 A/g load. The solar illuminated supercapacitor shows a high energy and power density of 33.4 Wh/kg and 385 W/kg along with a very low relaxation time of ~15 ms ensuring the utility of the self charging device in the various field of energy storage and optoelectronic application.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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• pp.34-37
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• 1992

In this paper, the $(SrPb)(CaMg)TiO_3$-xBi_2O_3{\cdot}3TiO_2$ ceramics with paraelectric properties were fabricated by the mixed oxide method. In order to investigate the behavior of charged particles, the characteristics of electrical conduction and thermally stimulated current were measured respectively. As a result on characteristics of the electrical conduction, the leakage current was increased as measuring temperature was increased. At room temperature, the conduction current was divided into the three steps as a function of DC electric field. The first step was Ohmic region due to ionic conduction, below 15[kV/cm]. The second step was showed a saturation which seems to be related to a depolarizing field occuring in field-enforced ferroelectric phase, between 15[kV/cm] and 40[kV/cm]. The third step was attributed to Child's law related to spare charge which injected from electrode, above 40[kV/cm]. Thermally stimulated currents(TSC) spectra with various biasing fields exhibited three distinguished peaks that were denoted as ${\alpha}$, ${\alpha}'$ and ${\beta}$ peak, each of which appeared at nearby -30, 20 and 95[$^{\circ}C$] respectively. It is confirmed that the a peak was due to trap electron trapped in the grainboundary, and ${\alpha}'$ peak that was observed above only 1.5[kV/mm] was attributed to field-enforced ferroelectric polarization. The origin of ${\beta}$ peak was identified as ion migration which caused the degradation.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제54권10호
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• pp.438-442
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• 2005

Si nanocrystal (Si NC) memory device has several advantages such as better retention, lower operating voltage, reduced punch-through and consequently a smaller cell area, suppressed leakage current. However, the physical and electrical reasons for this behavior are not completely understood but could be related to interface states of Si NCs. In order to find out this effect, we characterized electrical properties of Si NCs embedded in a SiO$_{2}$ layer by scanning probe microscopy (SPM). The Si NCs were generated by the laser ablation method with compressed Si powder and followed by a sharpening oxidation. In this step Si NCs are capped with a thin oxide layer with the thickness of 1$\~$2 nm for isolation and the size control. The size of 51 NCs is in the range of 10$\~$50 m and the density around 10$^{11}$/cm$^{2}$ It also affects the interface states of Si NCs, resulting in the change of electrical properties. Using a conducting tip, the charge was injected directly into each Si NC, and the image contrast change and dC/dV curve shift due to the trapped charges were monitored. The results were compared with C-V characteristics of the conventional MOS capacitor structure.

• 한국자기학회지
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• 제16권4호
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• pp.206-210
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• 2006

산소결핍(oxygen vacancy) 들이 존재하는 아나타시(anatase) 및 루타일(rutile) 구조의 $TiO_{2-{\delta}}$ 박막들에서 강자성 현상이 상온에서 관측되었다. 시료들에 대한 XPS 측정 결과 $Ti^{3+}$ 이온의 존재가 관측되었으며 산소결핍에 의한 전하 불균형을 상쇄시키기 위하여 생성되는 것으로 해석된다. $TiO_{2-{\delta}}$ 박막에서 나타나는 상온 강자성은 $Ti^{3+}$ 이온들이 가지는 $d^1$ 스핀들의 정렬에 의한 것으로 해석 되어진다. 이와 같은 강자성 스핀 정렬은 산소결핍 자리에 속박된 전자를 중심으로 형성되는 자기 폴라론(magneticpolaron)에 의하여 나타날 수 있다.