• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제32권4호
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• pp.365-376
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• 2007

본 연구의 목적은 3종의 전체산부식 상아질 접착 시스템에서 적절한 산부식 시간과 접착제의 침투 능력에 대해 규명하고자 하였다. 우식이 없는 54개의 제3대구치의 상아질 표면을 5, 15, 25초 동안 산부식하고 산부식형 접착제 3종 (Scotchbond multipurpose, Single Bond, One Step) 을 도포한 후 복합레진을 충전하였다. 각 시편은 0회 (대조군) 또는 2000회 열순환 ($5^{\circ}C\;-\;55^{\circ}C$) (실험군) 후 미세인장강도를 측정하고 파단면을 관찰하여 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 실험군은 대조군에 비하여 결합강도가 감소하였으며, 특히 25초 산부식한 SM 및 SB군에서는 통계학적 유의차를 나타내었다. 2. 열순환 처리한 SM군과 SB군의 경우, 25초 간 산부식한 군이 5초 간 산부식한 군과 15초 간 산부식한 군에 비해 유의성 있게 낮은 결합강도를 나타냈다 (p < 0.05). 3. OS군의 경우, 산부식 시간 및 열순환 여부에 따른 유의성 있는 차이가 나타나지 않았다 (p > 0.05). 상아질 접착의 내구성은 접착제의 용매와 산부식 시간에 의해 영향을 받으며 특히, ethanol-based adhesive를 사용할 때 과도한 산부식은 유의해야 한다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제37권4호
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• pp.207-214
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• 2012

Objectives: This study evaluated the influence of chlorhexidine (CHX) on the microtensile bonds strength (${\mu}TBS$) of resin core with two adhesive systems to dentin in endodontic cavities. Materials and Methods: Flat dentinal surfaces in 40 molar endodontic cavities were treated with self-etch adhesive system, Contax (DMG) and total-etch adhesive system, Adper Single Bond 2 (3M ESPE) after the following surface treatments: (1) Priming only (Contax), (2) CHX for 15 sec + rinsing + priming (Contax), (3) Etching with priming (Adper Single Bond 2), (4) Etching + CHX for 15 sec + rinsing + priming (Adper Single Bond 2). Resin composite build-ups were made with LuxaCore (DMG) using a bulk method and polymerized for 40 sec. For each condition, half of specimens were submitted to ${\mu}TBS$ after 24 hr storage and half of them were submitted to thermocycling of 10,000 cycles between $5^{\circ}C$ and $55^{\circ}C$ before testing. The data were analyzed using ANOVA and independent t-test at a significance level of 95%. Results: CHX pre-treatment did not affect the bond strength of specimens tested at the immediate testing period, regardless of dentin surface treatments. However, after 10,000 thermocycling, all groups showed reduced bond strength. The amount of reduction was greater in groups without CHX treatments than groups with CHX treatment. These characteristics were the same in both self-etch adhesive system and total-etch adhesive system. Conclusions: 2% CHX application for 15 sec proved to alleviate the decrease of bond strength of dentin bonding systems. No significant difference was shown in ${\mu}TBS$ between total-etching system and self-etching system.

• 대한소아치과학회지
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• 제36권4호
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• pp.514-521
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• 2009

이 연구의 목적은 유치와 영구치의 법랑질에 자가 산부식 접착제 적용 전 부가적인 산부식 시간을 달리 하였을 때, 전단결합강도에 미치는 영향을 알아보기 위함이다. 각각 65개의 발거된 건전한 유치와 영구치 협, 설면 법랑질 시편을 제작하고 두 종류의 자가 산부식 접착제를 적용하였다. 실험군은 $Clearfil^{TM}$ SE bond, $Adper^{TM}$ $Prompt^{TM}$ $L-pop^{TM}$으로 처리한 두 개 군으로 나누고, 이를 다시 산부식 시간에 따라 여섯 군(0, 5, 10, 15, 20, 30초)으로 분류하였다. 대조군으로는 total-etching system인 $Adper^{TM}$ $Scotchbond^{TM}$ Multi-purpose plus를 사용하였다. 접착제 처리면을 복합레진으로 충전하고 24시간 경과 후 전단결합강도를 측정하고 Mann-Whitney test와 Kruskal-Wallis test를 사용하여 통계분석 하였다. 결과는 자가 산부식 접착제를 적용한 군은 유치, 영구치 모두에서 total etching system에 비해 낮은 전단 결합강도를 보였다. 자가 산부식 접착제 사용 군내에서 산부식을 추가로 시행하였을 때 유치와 영구치 모두에서 결합강도가 증가하였으며, 10초 이상 산부식을 시행한 경우 결합력의 차이는 없는 것으로 나타났다. 유치와 영구치간 결합력의 차이는 인정되지 않았다. 결론적으로, 자가 산부식 접착제의 법랑질에 대한 전단결합강도는 유치, 영구치 모두에서 10초 이상의 부가적 산부식이 결합력의 증가에 유리하게 작용하는 것으로 나타났다.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제53권2호
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• pp.62-66
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• 2004

This paper investigated the characteristics of a newly developed high density hollow cathode plasma (HCP) system and its application for the etching of silicon wafers. We used SF$_{6}$ and $O_2$ gases in the HCP dry etch process. Silicon etch rate of $0.5\mu\textrm{m}$/min was achieved with $SF_6$$O_2$plasma conditions having a total gas pressure of 50mTorr, and RF power of 100 W. This paper presents surface etching characteristics on a crystalline silicon wafer and large area cast type multicrystlline silicon wafer. The results of this experiment can be used for various display systems such as thin film growth and etching for TFT-LCDs, emitter tip formations for FEDs, and bright plasma discharge for PDP applications.s.

• Journal of Information Display
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• 제2권4호
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• pp.1-7
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• 2001

This paper investigates the characteristics of a newly developed high density hollow cathode plasma(HCP) system and its application for the etching of silicon wafers. We used $SF_6$ and $O_2$ gases in the HCP dry etch process. This paper demonstrates very high plasma density of $2{\times}10^{12}cm^{-3}$ at a discharge current of 20 rna, Silicon etch rate of 1.3 ${\mu}m$/min was achieved with $SF_6/O_2$ plasma conditions of total gas pressure of 50 mTorr, gas flow rate of 40 seem, and RF power of200W. This paper presents surface etching characteristics on a crystalline silicon wafer and large area cast type multicrystlline silicon wafer. We obtained field emitter tips size of less than 0.1 ${\mu}m$ without any photomask step as well as with a conventional photolithography. Our experimental results can be applied to various display systems such as thin film growth and etching for TFT-LCDs, emitter tip formations for FEDs, and bright plasma discharge for PDP applications. In this research, we studied silicon etching properties by using the hollow cathode plasma system.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제32권3호
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• pp.222-235
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• 2007

이 논문의 목적은 열순환이 4종 상아질 접착 시스템의 결합 내구성에 미치는 영향을 측정한 것이다. 제3대구치의 상아질층을 노출시킨 후, 무작위로 8개군으로 나눈다: 3단계 산부식 시스템 (Scotchbond Multi-Purpose Plus; SM, All Bond-2 ; AB), 2 단계 산부식 시스템 (Single Bond; SB, One Step plus, OS), 2단계 자가부식 시스템 (Clearfil SE Bond; SE, AdheSE; AD), 1 단계 자가부식 시스템 (Promp L-Pop ; PL, Xeno III; XE). 8개 군에 각 상아질 접착제를 제조사의 지시에 따라 도포하고 복합레진 (Z250)을 적층한 후, 광조사한다. $37^{\circ}C$ 증류수에서 24시간 보관한 후, 각 군마다 정해진 프로그램으로 0, 1000, 2000회 열순환한 후, 저속 diamond saw로 $1\times1mm$ 막대형 시편을 제작한다. Universal testing machine (EZ-test; Shimadzu, Japan)으로 미세인장 결합강도를 측정하였고, 유의수준 0.05 level에서 ANOVA / Duncan's test로 통계분석 하였다. 상아질측 파단면과 접착계면에 대한 주사전자현미경 관찰을 시행하였다. 이 연구의 결과는 다음과 같다; 1. 3단계 상아질 접착제의 결합강도는 열순환 전후에 통계학적으로 유의한 변화를 나타내지 않았다. 2단계 산부식형 상아질 접착제의 결합강도는 열순환 처리에 의하여 유의하게 감소되었다. 2. 2단계 자가부식형 접착제 (SE)의 결합강도가 가장 높았고, 1단계 자가부식 접착제 (PL, XE)는 실험군 중 가장 낮은 결합강도를 보였다. 3. 모든 접착제는 주로 접착성 파괴가 발생하였고, 열순환에 의하여 산부식형 접착제는 접착성 파괴가, 1단계 자가부식형 접착제에서는 혼합형 파괴가 증가하는 경향을 나타내었다. 이상의 결과로, 상아질 접착제의 접착단계/과정이 결합내구성에 영향을 미침을 알 수 있었다. 따라서 접착과정의 단순화가 반드시 접착에 효과적이라고 할 수 없다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제36권5호
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• pp.385-396
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• 2011

연구목적: 본 연구는 치근벽의 전처리 개념과 접착제의 중합방법이 레진계 근관충전제의 치근단 밀폐능에 미치는 영향을 평가하였다. 연구 재료 및 방법: 3가지 다른 접착변수를 조합하여 충전한 Resilon-RealSeal 시스템의 근단미세누출을 색소침투법을 이용하여 통상의 가타퍼쳐 충전과 비교하였다. 실험군은 자가부식형 RealSeal primer와 이중중합형 RealSeal sealer를 이용하여 Resilon 충전한 SEDC군, 산부식없이 Scotchbond Multi-Purpose primer를 적용한 후 접착제는 광중합하고 Resilon을 충전한 NELC군, 및 Scotchbond Multi-Purpose의 접착강화제와 접착제를 total etch/wet bonding과 광중합의 술식을 정확하게 지켜서 Resilon을 충전한 TELC군으로 구분하였다. 대조군(GPCS)에서는 통상의 AH26 plus sealer를 사용하여 가타퍼쳐를 충전 하였다. 결과: 치아장축방향의 색소침투는 TELC군에서 GPCS군과 SEDC군에 비해 유의하게 작았다(Kruskal-Wallis test, p < 0.05). 횡단면의 미세누출 점수도 TELC군이 근첨으로부터 2 - 5 mm의 범위에서 다른 군에 비해 유의하게 낮았다(Kruskal-Wallis test, p < 0.05). 결론: 레진계 근관충전제를 사용 시에는, 자가부식형 전처리제와 이중중합형 sealer보다는, total etch/wet bonding 개념과 적절한 광중합을 도모하는 전처리제 및 접착제의 사용이 치근단 미세누출을 감소시키므로 추천된다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1038-1041
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• 2003

In the paper, we investigated silicon surface microstructures formed by reactive ion etching in hollow cathode system. Wet anisotropic chemical etching technique use to form random pyramidal structure on <100> silicon wafers usually is not effective in texturing of low-cost multicrystalline silicon wafers because of random orientation nature, but High density hollow cathode plasma system illustrates high deposition rate, better film crystal structure, improved etching characteristics. The etched silicon surface is covered by columnar microstructures with diameters form 50 to 100nm and depth of about 500nm. We used $SF_{6}$ and $O_{2}$ gases in HCP dry etch process. This paper demonstrates very high plasma density of $2{\times}10^{12}$ $cm^{-3}$ at a discharge current of 20 mA. Silicon etch rate of 1.3 ${\mu}s/min$. was achieved with $SF_{6}/O_{2}$ plasma conditions of total gas pressure=50 mTorr, gas flow rate=40 sccm, and rf power=200 W. Our experimental results can be used in various display systems such as thin film growth and etching for TFT-LCDs, emitter tip formations for FEDs, and bright plasma discharge for PDP applications. In this paper we directed our study to the silicon etching properties such as high etching rate, large area uniformity, low power with the high density plasma.

• 대한소아치과학회지
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• 제30권1호
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• pp.143-152
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• 2003

본 연구는 자가부식 접착제의 치질로의 침투와 레진 tag 형성을 알아보고 부가적인 산부식이 레진 tag 형성에 미치는 효과를 관찰하기 위하여 계획되었다. 3종의 자가부식 접착제(SE bond, AQ bond and L Pop)와 one bottle adhesive(Single bond)를 사용하였고 발거한 구치로 교합면 법랑질과 상아질 시편을 제작하였으며 각 군당 5개씩 네 개의 군으로 나눈 총 20개의 시편을 양분하여 각각 접착제를 적용하기 전 35% 인산으로 산부식하거나 산부식처리하지 않았으며 이후 레진을 적용시키고 중합하였다. 시편은 Silverstone microtome으로 절단한 후 HCl 용액과 NaOCl 용액으로 처리하고 건조시킨 후 이온으로 피복하였으며 주사전자현미경으로 관찰하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1. 부가적 산부식 처리한 상아질은 모든 자가부식 접착제군에서 산부식하지 않은 상아질보다 resin tag의 길이와 두께가 증가하는 것이 관찰되었다. 2. 법랑질에서는 L Pop을 제외하고 부가적 산부식한 군에서 레진 tag의 두께가 산부식하지 않은 군보다 컸고 보다 명확한 부식양상을 관찰할 수 있었다. L Pop에서는 부식법랑질과 비부식법랑질간의 차이가 없었다. 본 연구의 결과는 자가부식형 접착제가 법랑질을 부식시키지 않고 상아세관으로 침투하는 정도가 산부식군에 미치지 못하다는 것을 의미한다. 이와 관련하여 접착강도와 미세누출 및 레진 tag 형태에 대한 부가적 연구가 필요할 것이다.

• Restorative Dentistry and Endodontics
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• 제28권2호
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• pp.169-177
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• 2003

본 연구는 total etching (Scotchbond Multi-Purpose; MP) 및 self-etching (Clearfil SE Bond; SE 과 Prompt L-pop LP) 상아질 접착제의 nanoleakage 양상을 관찰하고 열순환 후의 nanoleakage 양상의 변화를 분석하고자 하였다. 30개의 발거된 치아의 교합면 및 협, 설측 법랑질을 제거하였다. 열 순환 시행 여부에 따라 두 군으로 나누어 실험하였으며 각각의 상아질 접착제 도포 후 Z-250으로 교합면을 수복하였다. Silver nitrate용액 및 현상액에 침적 후치아의 협설 방향으로 평행하게 절단하여 SEM으로 관찰하였다. 서로 다른 양상의 nanoleakage가 관찰되었다. MP의 경우는 resin tag 주위로 뚜렷한 은의 침착을 관찰 할 수 있었으며 혼합층 전체 두께에 띠 및 점상으로 흩어져 침착된 은을 관찰 할 수 있었다. SE의 경우는 혼합층의 하층을 따라 은으로 침착된 선을 관찰 할 수 있었으며 혼합층과 adhesive 경계를 따라 무정형의 은 침착물 들을 관찰할 수 있었다. LP의 경우는 혼합층의 하부 및 혼합층 내에 띠 모양으로 은의 침착을 관찰 할 수 있었으며 혼합층의 하부에서는 관찰되지 않고 혼합층의 내부에서만 관찰되는 경우도 있었다. 열순환을 시행한 군에서는 전반적 nanoleakage 양상은 열 순환을 시행하지 않은 군과 유사하였으나 은 침착의 증가를 관찰 할 수 있었다.