We synthesized two new series of alternating copolymers, poly[bis(2-(4-phenylenevinylene)-2-cyanoethenyl)-9,9-dihexyl-9H-fluoren-2,7-yl-alt-1,4-phenylene](Polymer-I)and poly[bis(2-(4-phenylenevinylene)-2cyanoethenyl)-9,9-dihexyl-9H-fluoren-2,7-yl-alt-2,7-(9,9-dihexylfluorene)](Polymer-II), via the Suzuki coupling reaction, for use in light-emitting diodes (LEDs). Defect-free uniformly thin films of these polymers were found to be easily formed on indium-tin oxide (ITO) coated glass substrates. Multi-layer LEDs with ITO/PEDOT/Polymer/ LiF/Al configurations with or without an $Alq_3$ electron transport layer were fabricated with these polymers. The maximum EL emissions of Polymer-I and Polymer-II with an $Alq_3/LiF/Al$ cathode were observed at 516 and 533 nm, respectively. The maximum brightness and external luminance efficiency of the devices fabricated with the EL polymers were found to be $411 cd/m^2$ and 0.16 cd/A, respectively.
Sputtering process has been widely used in Si-based semiconductor industry and it is also an ideal method to deposit transparent oxide materials for thin-film transistors (TFTs). The oxide films grown at low temperature by conventional RF sputtering process are typically amorphous state with low density including a large number of defects such as dangling bonds and oxygen vacancies. Those play a crucial role in the electron conduction in transparent electrode, while those are the origin of instability of semiconducting channel in oxide TFTs due to electron trapping. Therefore, post treatments such as high temperature annealing process have been commonly progressed to obtain high reliability and good stability. In this work, the scheme of electron-assisted RF sputtering process for high quality transparent oxide films was suggested. Through the additional electron supply into the plasma during sputtering process, the working pressure could be kept below $5{\times}10-4Torr$. Therefore, both the mean free path and the mobility of sputtered atoms were increased and the well ordered and the highly dense microstructure could be obtained compared to those of conventional sputtering condition. In this work, the physical properties of transparent oxide films such as conducting indium tin oxide and semiconducting indium gallium zinc oxide films grown by electron-assisted sputtering process will be discussed in detail. Those films showed the high conductivity and the high mobility without additional post annealing process. In addition, oxide TFT characteristics based on IGZO channel and ITO electrode will be shown.
In vitro culture and radiation techniques were used for obtaining mutants tin tall fescue. Endophyte free and friendly tall fescue cultivars Kentucky-31 and Jesup were used for induction of genetic variability through in-vitro mutagenesis. Mature seeds was used for callus induction on 6 mg/L 2,4-D. Actively growing and compact callus was treated with three different doses of gamma rays (10 Gy, 30 Gy and 50 Gy). Maximum proliferation and plantlets regeneration growth was observed in control and minimum at 10 Gy. Furthermore, the maximum number of tiller in the irradiated population was observed in 10 Gy. The treatments 30 Gy and 50 Gy exhibited negative impact on the tillering potential of the tall fescue plant. The object of this study was to develop protocols for mutation breeding in tall fescue through radiation techniques.
방오도료로 많이 쓰이던 유기주석화합물은 일반생물에게 미치는 독성이 매우 강하고 또한 내분비계 장애물질임이 밝혀지면서 이를 대체할 화합물들이 개발되고 있다. 그 가운데 본 연구에서는 Sea-Nine 211(4,5-dichlore-2-n-octyl-3(2H) isothiazolone)을 사용하여 이 화합물이 해양생물 특히 저서생물인 패류에게 얼마나 영향을 미치는지를 살펴보았다. 이를 위해 강원도 북부 해역에 주로 서식하는 북방대합(Pseudocardium sachalinensis)에게 Sea-Nine 211을 강제적으로 주사하여 alkoxyresorufin 탈알킬화효소인 EROD와 MROD의 활성 변화를 4일째까지 조사하였고, 비교를 위해서 tributyltin chloride (TBTC)도 사용하였다. 그 결과, CYP1A1의 지표효소인 EROD활성은 Sea-Nine 211 및 TBTC주사구 모두 sham구와 차이가 없었지만, CYP1A2의 지표효소인 MROD활성은 Sea-Nine 211 주사구가 sham구에 비해 유의적으로 높았으므로 Sea-Nine 211에 의해 유도된 것이라 여겨진다. 이것은 북방대합에도 CYP1A2가 존재할 수 있음을 보여준다.
In recent, shipping companies have made an enormous effort to improve the operation of vessel in various approaches, due to recession of shipping market and increasing competition among shipping companies. One of important parameters for improving the efficiency of vessel is the resistance performance that consist of friction and residual resistance. Especially, it is recognized that the friction resistance tends to be affected by conditions of vessel’s surface and occupies approximately 70~90% of the total resistance for slow speed ships. In general, the surface of vessel is covered with various type of paint to reduce fouling and corrosion. As time goes by, however, it is so hull roughness would be increased by fouling over the wetted surface that anti-fouling paints, such as CDP(Controlled Depletion Paint), Tin-Free SPC(Self Polishing Co-polymer) or Foul Release, are applied evenly on the hull surface. Nevertheless, these anti-fouling paints could not prevent fouling absolutely. A fundamental study on evaluating ship resistance performance variation due to hull roughness has been performed using a commercial software, Star-CCM+, which solves the continuity and Navier-Stokes equations for incompressible and viscous flow. The results of present simulation for plate are compared with some experimental data available and the effect of surface roughness to ship resistance performance is discussed.
Indium tin oxide (ITO) films were synthesized on polymer (PES, polyethersulfone) at room temperature by pulsed DC magnetron sputtering. By the control of introducing hydrogen to argon atmosphere, the resistivity of ITO films was obtained at $5.27\;{\times}\;10^{-4}\;{\Omega}{\cdot}cm$ without substrate heating in comparison with $2.65\;{\times}\;10{-3}\;{\Omega}{\cdot}cm$ under hydrogen free condition. ITO film synthesized at Ar condition was changed from amorphous to crystalline. These result from the enhancement of electron temperature in $Ar\;+\;H_2$ plasma, which induces the increase of ionization of target materials and argon. The dominant increase of ions such as In II and O II and neutral Sn I was monitored by optical emission spectroscopy (OES). Thermal energy required for the crystalline film formation is compensated by kinetic energy transfer through ion bombardments to substrate.
본 연구는 전략적 제휴와 연계를 추구하는 장기 지속적인 그린IT 전략의 필요성을 제시하였다. 그린IT 기업의 사회적 압력과 환경지향성과 환경매력도가 장기 지속적 그린IT 전략에 어떠한 영향을 미치는지, 장기 지속적 그린 IT 전략이 환경성과에 어떠한 영향을 미치는가를 알아보기 위한 연구모형을 설정하였다. 선행연구에서 종속변수로 사용되던 장기지속성을 본 논문에서는 매개변수로 설정하였다. 그린IT 기업을 대상으로 설문조사를 실시하였고, 통계패키지를 이용하여 실증적으로 분석하였다. 사회적 압력과 환경지향성과 환경매력도와 환경성과 사이의 관계에서 장기지속성이 매개효과가 있음을 검증하였다.
Yoon, Hee Soo;Kim, Jun Hyung;Kim, Hyun Jong;Lee, Ho Nyun;Lee, Hee Chul
한국세라믹학회지
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제54권3호
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pp.243-248
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2017
Pd-doped $SnO_2$ thick film with a pure tetragonal phase was prepared on patterned Pt electrodes by an ink dropping method. Nanostructured $SnO_2$ powder with a diameter of 10 nm was obtained by a modified hydrazine method. Then the ink solution was fabricated by mixing water, glycerol, bicine and the Pd-doped $SnO_2$ powder. When the Pd doping concentration was increased, the grain size of the Pd-doped $SnO_2$ thick film became smaller. However, an agglomerated and extruded surface morphology was observed for the films with Pd addition over 4 wt%. The orthorhombic phase disappeared even at a low Pd doping concentration and a PdO peak was obtained for a high Pd doping concentration. The crack-free Pd-doped $SnO_2$ thick films were able to successfully fill the $30{\mu}m$ gap of the patterned Pt electrodes by the optimized ink dropping method. The prepared 3 wt% Pd-doped $SnO_2$ thick films showed monoxide gas responses ($R_{air}/R_{CO}$) of 4.0 and 35.6 for 100 and 5000 ppm, respectively.
Photovoltaic (PV) cell is considered as one of the finest ways to utilize the solar power. A study of improving solar cell's efficiency is important because the lifetime of solar cell is determined by photovoltaic module technology. Therefore, oxidation (and/or corrosion) of solder materials will be one of the primary yield and long-term reliability risk factor. Recently, the development of lead-free solder alloy has been done actively about lead-free solder alloys of the thermodynamic and mechanical properties. However, the oxidation behavior have rarely been investigated In this study, the oxidations of 60 wt% Sn-40 wt% Pb, 62 wt% Sn-36 wt% Pb -2 wt% Ag, 50wt% Sn-48 wt% Bi-2 wt% Ag alloys for the interconnect ribbon after exposure in atmosphere at $100^{\circ}C$ for several times were investigated. The wettability of 62 wt% Sn-36 wt% Pb-2 wt% Ag and 50 wt% Sn-48 wt% Bi-2 wt% Ag solders was also studied to compare with that of 60 wt% Sn-40 wt% Pb alloy. The results howed that the zero cross time and the wetting time of 50 wt% Sn-48 wt% Bi-2 wt% Ag solder were better than other two samples. The surface of tested samples was analyzed by XPS. The XPS result showed that in all samples, SnO grew first and then the mixture of SnO and $SnO_2$ was detected. $SnO_2$ grew predominantly for the long time aging. Moreover XPS depth profile analysis has found surface enrichment of tin oxide.
In general, polyimides (PIs) are used in liquid crystal displays (LCDs) as alignment layer of liquid crystals (LCs). Up to date, the rubbing alignment technique has been widely used to align liquid crystals on the PI surface, which is suitable for mass-production of LCDs because of its simple process and high productivity. However, this method has some disadvantages. Rubbed PI surfaces include the debris left by the cloth and the generation of electrostatic charges during rubbing process. Therefore, rubbing-free techniques for LC alignment are strongly required in LCD technology. In this experiment, PI was uniformly coated on indium-tin-oxide electrode substrates to form LC alignment layers using a spin-coating method and the PI layers were subsequently imidized at 433 K for 1 h. The thickness of the PI layer was set at 50 nm. The LC alignment layer surfaces were exposed to an $Ar^+$ ion-beam under various ion-beam energies. The antiparallel cells and twisted-nematic (TN) cells for the measurement of pretile angle and electro-optical characteristics were fabricated with the cell gap of 60 and $5\;{\mu}m$, respectively. The LC cells were filled with nematic LC (NLC, MJ001929, Merck) and were assembled. The NLC alignment capability on ion-beam-treated PI was observed using photomicroscope and the pretilt angle of the NLC was measured by the crystal-rotation method at room temperature. Voltage-transmittance (V-T) and response time characteristics of the ion-beam irradiated TN cell were measured by a LCD evaluation system.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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