• 한국응용과학기술학회지
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• 제29권3호
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• pp.377-392
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• 2012

작은 고체 분체들은 피커링 유화 체계에서 안정화제로 작용하는 것은 이미 알려진 사실이다. 이 연구에서 우리는 알킬실란 처리 $TiO_2$와 n-헥실알코올, 수계로 안정한 피커링 에멀젼을 제조하였다. $TiO_2$ 입자에 의해 안정화된 피커링 에멀젼을 제조하기 위한 최적의 조건은 $TiO_2$ 입자의 양과 수상/유상의 비에 의해 결정된다. 피커링 에멀젼의 형태는 물과 n-헥실알코올에 대한 입자들의 젖음성에 의존된다. 피커링 에멀젼은 $TiO_2$가 5.00 wt%, 오일과 수상의 비가 3 : 7인 경우에 가장 안정하였다. 피커링 에멀젼을 형판으로 하여 무기 전조체를 졸-겔 공정에 의해 다공성 분체들이 합성되었다. 합성된 다공성 분체들은 광학 현미경, SEM, BET, XRD 및 EDS에 의해 확인되었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.60.2-60.2
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• 2011

본 연구에서는 Indium-free 및 gallium-free 기반의 산화물 TFT를 제작하기 위해 n-type $TiO_2$ 반도체 기반의 thin film transistor ($Mo/TiO_{2-x}/SiO_2/p+\;+Si$)를 oxygen deficient black $TiO_{2-x}$ 타겟을 이용하여 DC magnetron sputtering 공법으로 제작하고 그 특성을 분석하였다. DC magnetron sputtering 공법으로 성막된 $TiO_{2-x}$ semiconductor의 전기적, 광학적, 화학적 결합 에너지 및 구조적 특성 분석을 위해 semiconductor parameter analyzer (Aglient 4156-C), UV/Vis spectrometer, X-ray Photoelectron Spectroscopy, Transmission Electron Microscopy를 각각 이용하여 분석하였으며 이를 RTA 전/후 특성 비교를 통하여 관찰하였다. $TiO_{2-x}$ TFT의 소자 특성은 RTA 열처리 전/후 전형적인 insulator 특성에서 semiconductor 특성으로 변화되는 것을 관찰할 수 있었으며, 최적화된 열처리 공정에서 filed effect mobility 0.69 $cm^2$/Vs, on to off current ratio $2.04{\times}10^7$, sub-threshold swing 2.45 V/decade와 Vth 10.45 V를 확보할 수 있었다. 또한 RTA 열처리 후 밴드갭이 3.25에서 3.41로 확장되는 특성을 나타내었다. 특히 RTA 열처리 후 stoichiometric $TiO_2$ 상태와는 다른 $Ti^{2+}$, $Ti^{3+}$, $Ti^{4+}$ 등의 다양한 oxidation states가 관찰되었으며 이러한 oxidation states를 $TiO_{2-x}$ 박막에서의 oxygen deficient 상태와 연관시킴으로써 oxygen vacancy의 n-type dopant로의 거동을 확인하였다. $TiO_2$ 채널 기반의 TFT 특성을 통하여서 indium free 또는 gallium free 산화물 채널로써의 가능성을 확인하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제33권9호
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• pp.1038-1044
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• 1996

The variations of sintering and electrical characteristics of semiconducting BaTiO3 ceramics with sintering agents added were investigated comparing the case of BaB2O4 addition to BN and TiO2 addition. When BaB2O4 added in BaTiO3 ceramics the densitifcation of specimen could be acheived more easily and recvealed the better PTCR characteristics than BN and TiO2 addition. As increase of addition of BaB2O4 in BaTiO3 spec imens the slope of resistivity jump also increased but the temperature of maximum resistivity decreased, It was supposed that addition of BaB2O4 led to increase of Ns (acceptor state density) value at grain boundaries.

• 한국분말재료학회지
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• 제6권3호
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• pp.238-245
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• 1999

The preparation of $n-TiO_2$ powder by the Chemical Vapor Synthesis process (CVS) was studied using the liquid metal organic precursor (TTIP). The residence time and the collection methods were considered as main processing variables through the experiments. The CVS equipment consisted of a micropump and a flashvaporizer, a tube furnace and a tubular collection device. The synthesis was performed at $1000^{\circ}C$ with various sets of collection zone. The residence time and the total system pressure were controlled in the range of 3~20 ms and 10 mbar, respectively. Nitrogen adsorption, X-ray diffraction and electron microscopy were used to determine particle size, specific surface area and crystallographic structure. The grain size of the as-prepared $n-TiO_2$ powder was in the range of 2~8 nm for all synthesis parameters and the powder exhibited only little agglomeration. The relationship between particle characteristics and the processing variables is reviewed based on simple growth model.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제15권1호
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• pp.32-36
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• 2014

In this study, the etching characteristics of titanium dioxide ($TiO_2$) thin films were investigated with the addition of $N_2$ to CF4/Ar plasma. The crystal structure of the $TiO_2$ was amorphous. A maximum etch rate of 111.7 nm/min and selectivity of 0.37 were obtained in an $N_2/CF_4/Ar$ (= 6:16:4 sccm) gas mixture. The RF power was maintained at 700 W, the DC-bias voltage was - 150 V, and the process pressure was 2 Pa. In addition, the etch rate was measured as functions of the etching parameters, such as the gas mixture, RF power, DC-bias voltage, and process pressure. We used X-ray photoelectron spectroscopy to investigate the chemical state on the surface of the etched $TiO_2$ thin films. To determine the re-deposition and reorganization of residues on the surface, atomic force microscopy was used to examine the surface morphology and roughness of $TiO_2$ thin films.

• 대한전자공학회논문지TE
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• 제39권1호
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• pp.22-30
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• 2002

Si, SiO/sup 2/, TiN, W/sup 2/N 기판 위에 (hfac)Cu(VTMS) 유기금속 전구체로 증착된 구리 핵을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라, 기판 종류에 상관없이 180。C에서 구리 핵이 클러스터링으로 성장하는 메커니즘을 관찰하였다. 또한, HF용액으로 세척한 TiN 과 SiO/sup 2/가 공존하는 기판에서 구리 핵의 선택성이 향상됨을 관찰하였다. TiN을 H/sup 2/O/sup 2/로 세척한 후 Dimethyldichlorosilane 처리했을 때 표면이 passivation됨을 확인하였다.

• 분석과학
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• 제21권3호
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• pp.229-236
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• 2008

본 연구에서 HCl을 처리하지 않고 혹은 HCl 처리한 표면 처리된 MWCNT 및 TNB를 이용하여 $C/TiO_2$ 복합체를 제조하였다. XRD 결과 값으로부터 모두 시료에 한 가지 결정 구조 즉 anatase형을 존재하고 있음을 알 수 있었다. SEM 사진으로부터 $TiO_2$ 입자와 CNT는 균일하게 분포하고 있음을 알 수 있었다. EDX 결과에서, 모두 시료에 C, O, Al와 Ti 피크를 볼 수 있으며, 특히 시료 CT에 있는 C와 Ti의 함량은 시료 HCT에 있는 것보다 많게 나타났다. 마지막으로, $C/TiO_2$ 복합체는 $TiO_2$보다 더 좋은 광촉매 특성을 가지고 있음을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.247-248
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• 2008

The etching characteristics of Titanium Nitride (TiN) and etch selectivity of TiN to $SiO_2$ and $HfO_2$ in $CH_4$/Ar plasma were investigated. It was found that TiN etch rate shows a non-monotonic behavior with increasing both Ar fraction in $CH_4$ plasma, RF power, and gas pressure. The maximum TiN etch rate of nm/min was obtained for $CH_4$ (80%)/Ar(20%) gas mixture. The plasmas were characterized using optical emission spectroscopy (OES) analysis measurements. From these data, the suggestions on the TiN etch characteristics were made.

• 공업화학
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• 제31권1호
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• pp.108-114
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• 2020

본 연구에서는, Ru[1]/TiO₂ 촉매 제조 시 소성/환원 조건에 따른 NH₃-SCO (selective catalytic oxidation) 효율을 비교하였다. Ru[1]/TiO₂ red는 Ru[1]/TiO₂ cal에 비하여 NH₃ 전환율 및 NH₃의 N₂ 전환율이 우수하였다. Ru[1]/TiO₂ 촉매의 물리·화학적 특성은 BET, XRD, TEM, XPS, H₂-TPR 분석에 의해 확인되었으며, 활성금속의 분산도와 표면 흡착 산소종(O_β)의 비율에 영향을 미치는 것으로 나타났다.

• 한국조명전기설비학회:학술대회논문집
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• 한국조명전기설비학회 2002년도 학술대회논문집
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• pp.329-334
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• 2002

This study evaporates TiO$_2$ layer thickness differently with RF sputtering method on Si Wafer(n-100). Thin film is made with the structure of Si+TiO$_2$ and Si+TiO$_2$+Al by evaporating TiN which is used as Antireflection of superintegrated semiconductor integrated circuit with Photo Catalyst. The research is performed to increase the characteristics of photon energy according to TiO$_2$ thickness and the reliability and reproducibility of TiO$_2$ thin film. Reversal of electric Permittivity values is induced by dipole polarization shown in the dielectric of thin film. Complex electric constant ($\varepsilon$$_1$, $\varepsilon$$_2$) has larger peak values as it's thickness is thinner and then it is larger according to the increase of frequency. Electric Permittivity by photon energy has large value in imaginary number and is reduced exponentially by the increase of carrier density according to that of photon energy.