Jung, Min J.;Nam, Kyung-H.;Han, Jeon-G.;Shaginyan, Leonid-R.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2002.05a
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pp.46-46
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2002
It is well known that thin film growth and surface morphology can be substantially modified by ion-bombardment during the deposition. This is particularly important in case of thin-film deposition at low temperatures where the film growth occurs under highly nonequilibrium conditions. An attractive way to promote crystalline growth and surface morphology is deposition of additional energy in to the surface of the growing film by bombardment with hyperthermal particles. We were deposited crystalline Ti and TiN thin films on Si substrate by magnetron sputtering method with grid. Its thin films were highly smoothed and dense as increasing grid bias. In order explore the benefits of a bombardment of the growing film with high energetic particles. Ti and TiN films were deposited on Si substrates by an unbalanced magnetron sputter source with attached grid assembly for energetic ion extraction. Also, we have studied the variation of the plasma states by Langmuir probe and Optical Emission Spectroscopy (OES). The epitaxial orientation. microstructual characteristics. electrical and surface properties of the films were analyzed by XRD. SEM. Four point probe and AFM.
$TiO_2$ particles with various shapes were synthesized by using a modified sol-gel method with binary ionic liquids. The structural properties of the particles were significantly affected by the composition of ionic liquids. This is mainly attributed to the interaction between the organic solvent and ionic liquid at the interface leading to the formation of particle structure. The photocatalytic activity of the prepared samples was also examined for the degradation of 4-chlorophenol. Among the particles, $TiO_2$ prepared with 1-octyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate and 1-octyl-3-methylimidazolium tetrafluoroborate showed the best photocatalytic performance.
The ultra-fine and less agglomerated titanium carbonitride particles were successfully synthesized by magnesiothermic reduction with low feeding rate of $TiCl_4+1/4C_2Cl_4$ solution. The sub-stoichiometric titanium carbide ($TiC_{0.5{\sim}0.6}$) particles were produced by reduction of chlorine component by liquid magnesium at $800^{\circ}C$ of gaseous $TiCl_4+1/4C_2Cl_4$ and the heat treatments in vacuum were performed for 5 hours to remove the residual magnesium and magnesium chloride mixed with produced $TiC_{{\sim}0.5}$. The final $TiC_{{\sim}0.5}N_{0{\sim}0.5}$ particle with near 100 nm in mean size and high specific surface area of $65m^2/g$ was obtained by nitrification under nitrogen gas at $1,150^{\circ}C$ for 2 hrs.
N-doped Titanium oxides were prepared by using urea as a source of nitrogen. The photoactivities of the doped $TiO_2$ were evaluated on the basis of degradation of humic acid in aqueous solutions with different light sources, ultraviolet lamp, fluorescent lamp and solar light. XRD analysis was conducted to identify the crystal structure of the synthesized photocatalysts. N-doped $TiO_2$ and $pure-TiO_2$ was anatase type. SEM results showed that spherical particles were formed, which are the characteristics of the anatase form. N doped $TiO_2$ showed higher $UV_{254}$ decrease ratio and DOC removal ratio compared to $pure-TiO_2$. The humic acid degradation reaction using the UV-A lamp and UV-C lamp was assigned to pseudo-first order reaction. For solar light, only $pure-TiO_2$ and $N-TiO_2$ exhibited the pseudo-first order reaction.
Kim Jung-Nam;Lee Tae-Woo;Kwon Sung-Tae;Kang Kae-Myung
Proceedings of the KSR Conference
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2004.10a
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pp.704-709
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2004
The wear behavior and the mechanical property of Cu-$TiB_2$ composites were examined. Cu-$TiB_2$ composites were fabricated by hot extrusion and cold drawing with $TiB_2$ contents(1$\∼$5vol.$\%$) and the size of $TiB_2$ particles(10$\mu$m and 20$\mu$m). The pin-an-disk wear test was carried out under dry sliding wear conditions which loads varied with from 20N to 100N. At the time, counterpart wear material used SM45C. The experimental results showed that the friction coefficient and wear rate decreased with increasing the $TiB_2$ contents and decreasing the size of $TiB_2$ particle. Also, the depth of plastically deformed zone decreased with increasing the $TiB_2$ contents and decreasing the size of $TiB_2$ particle.
$TiO_2$ nanowires were grown by thermal oxidation of TiO powder in an oxygen and nitrogen gas environment at $1000^{\circ}C$. The ratio of $O_2$ to $N_2$ in an ambient gas was changed to investigate the effect of the gas ratio on the growth of $TiO_2$nanowires. The oxidation process was carried out at different $O_2$/$N_2$ ratios of 0/100, 25/75, 50/50 and 100/0. No nanowires were formed at $O_2$/$N_2$ ratios of less than 25/75. When the $O_2$/$N_2$ ratio was 50/50, nanowires started to form. As the gas ratio increased to 100/0, the diameter and length of the nanowires increased. The X-ray diffraction pattern showed that the nanowires were $TiO_2$ with a rutile crystallographic structure. In the XRD pattern, no peaks from the anatase and brookite structures of $TiO_2$were observed. The diameter of the nanowires decreased along the growth direction, and no catalytic particles were detected at the tips of the nanowires which suggests that the nanowires were grown with a vapor-solid growth mechanism.
Lee, Youn Seong;Kim, Sun Woog;Lee, Young Jin;Lee, Ji Sun;Shin, Dongwook;Kim, Sae-Hoon;Kim, Jin Ho
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.33
no.5
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pp.373-379
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2020
In this study, TiN-coated cBN (cubic-structure boron nitride) powders were successfully synthesized by a sol-gel method using titanium (IV) isopropoxide (TTIP) and by controlling the heat treatment conditions. After the sol-gel process, amorphous nano-sized TiOx was uniformly coated on the surface of cBN powder particles. The obtained TiOx-coated cBN powders were heated at 1,000~1,300℃ for 1 or 6 h in a flow of 95%N2-5%H2 mixed gas. With increasing temperature, the chemical composition of the TiOx coating layer changed in the order of TiO2→Ti6O11→Ti4O7→TiN due to reduction of the Ti ions. The TiN coating layer was observable in the samples heated at 1,200℃ and appeared as the main phase in the sample heated at 1,300℃. The resulting thickness of the TiN coating layer of the sample heated at 1,300℃ was approximately 45~50 nm.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.13
no.6
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pp.545-550
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2000
In order to synthesize Ba-ferrite particles by molten salt method KCl and NaCl were added to basic composition to 50% by weight. X was varied from 0.0 to 1.0 to control the magnetic properties in $BaFe_{12-2x}$/ $Co_{x}$ / $Ti_{x}$ / $O_{19}$ and 1 mol% of $SiO_2$was added to control the aspect ratio of hexagonal platelets. And the effects of reaction temperatures were examined by varying the temperature from 85$0^{\circ}C$ to 120$0^{\circ}C$ with 5$0^{\circ}C$ intervals. Eutectic composition of NaCl and KCl lowered the crystallizing temperature of Ba-ferrite in molten salts than using KCl and NaCl separatly. The morphology of resulting Ba-ferrite particles was clearly hexagonal-shaped plates. $H_{c}$ and $M_{r}$ were decreased when F $e^{3+}$ was substitued with $Co^{2+}$ and $Ti^{4+}$ from x=0 to x=1.0 in $BaFe_{12-2x}$/ $Co_{x}$ / $Ti_{x}$ / $O_{19}$ . Adding 1mol% $SiO_2$in molten salt method increased the size but shortened c-axis of the hexagonal ferrites and this result is an opposite phenomenon compared with the result in solid-statge reaction.n.ion.n.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.29
no.12
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pp.791-795
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2016
The effects of $TiO_2$ addition on the electrical insulation of AlN ceramics with 1 wt% $Y_2O_3$ as a sintering aid have been investigated. Some of $TiO_2$ has reacted with AlN powders and transformed to fine TiN particles during sintering, which was uniformly dispersed along grain boundaries of AlN. At a high electrical field (500 V/mm), the resistivity of AlN ceramics with $TiO_2$ addition of 0.2 wt% increased about 1000 times from $3{\times}10^{10}{\Omega}cm$ to $3.1{\times}10^{13}{\Omega}cm$. Based on the impedance spectroscopy measurement, it was found that $TiO_2$ addition increased dramatically electrical resistivity of AlN grains much more than that of grain boundaries. Thus, $TiO_2$ was believed to dissolve inside AlN grains to suppress ionic conduction of Al vacancies. This suppressed ionic conduction by Ti incorporation into AlN grains seems to contribute to more electrically insulating AlN ceramics.
The deposition characteristics of Cu film by MOCVD using (hfac)Cu(1,5-COD)(1,1,1,5,5,5-hexafluro-2,4-pentadionato Cu(I) 1,5-cryclooctadiene) as a precursor have been investigated in terms of substrate conditions. Two different substrates such as air-exposed TiN and non-contaminated TiN were used for the MOCVD of Cu. MOCVD of Cu on the air-exposed TiN affected the nucleation rate of Cu as well as its growth, resulting in the Cu films having poor interconnection between particles with relatively small grains. On the other hand, in-situ MOCVD of Cu led to the Cu films having a significantly improved interconnection between particles with larger grains, indicating the resistivity as low as $2.0{\mu}{\Omega}-cm$ for the films having more than 1900$\AA$ thickness. Moreover, better adhesion of Cu films to the TiN by using in-situ MOCVD has been obtained. Finally, initial coalescence mechanism of Cu was suggested in this paper in terms of different substrate conditions by observing the surface morphology of the Cu films deposited by MOCVD.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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