• 한국세라믹학회지
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• 제37권2호
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• pp.168-173
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• 2000

YMnO3 thin films were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substrate by chemical solution deposition method. The films were crystallized by heat-treatment at 85$0^{\circ}C$ for 1 hour. Effects of an annealing atmosphere(O2, Ar, vacuum) on the crystallization behavior and electridcal properties were investigated. YMnO3 thin films annealed under Ar atmosphere showed a superior crystallinity and a very strong c-aix preferred-orientation which was a polar axis. Leakage current density of the films decreased with lowering oxygen partial pressure of the annealing atmosphere. C-V and P-E ferroelectric hysteresis were observed only in the thin film heat-treated under Ar atmosphere.In order to prepare YMnO3 thin films having both low leakage current and ferroelectricity, the annealing atmsphere should be kept under a proper oxygen partial pressure which was about 1 Pa in this work. Leakage current density at 1 volt, dielectric constant($\varepsilon$r), remanent polarization(Pr), and coercive field(Ec) were 1.7$\times$10-8 A/$\textrm{cm}^2$, 25, 1.08$\mu$C/$\textrm{cm}^2$, and 100 kV/cm, respectively.

• 보존과학회지
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• 제22권
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• pp.43-60
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• 2008

본 연구는 19세기로 알려진 경기도 포천 길명리 가마터에서 선정한 흑유자기와 백자편을 중심으로 과학적 분석을 활용한 특성 자료를 제시해 보고자 한다. 과학적 분석은 미세구조 관찰과 색도와 비중 및 흡수율, 기공률 등을 포함한 물리적 특성, 태토와 유약의 조성에 대한 화학적 특성으로 구분하여 조사하였다. 분석 결과, 태토의 미세구조는 자화 정도에 따라 태토 표면의 입자 및 기공 등에서 차이를 보이며 유약은 백자보다 흑유자기가 유리질화가 잘된 양상으로 관찰된다. 색도와 비중 및 흡수율은 자기의 종류보다 각 도편의 자화 정도에 따른 미세구조에 따라 차이를 보인다. 화학적 조성 분석에서 태토는 백자보다 흑유자기가 $Fe_2O_3$와 $TiO_2$가 높은 편이고 유약은 백자보다 흑유자기가 $SiO_2$, $Al_2O_3$가 낮고 $Fe_2O_3$, $TiO_2$가 높게 함유하고 있는 특징이 있다. 특히, 흑유자기는 CaO와 재의 사용 여부를 말해주는 $P_2O_5$ 성분이 높다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권9호
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• pp.631-637
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• 2003

Pt/TiO/sub x/SiO₂/Si 기판 위에 1,3-propanediol 을 이용해 sol-gel 법으로 제작한 PZT(30/70) 후막의 구조적 및 전기적, 강유전 특성에 대하여 조사하였다. 열처리 공정은 열 응력 (thermal stress) 를 줄이기 위해 RTA를 사용하였고, 최종적으로 650℃의 로(furnace)에서 어닐링하였다. SEM 분석 결과 1회 코팅에 330nm 의 두께를 얻었으며, 3회 코팅으로 약 1 μm 정도의 두께를 얻었다. C-D 측정결과, 1 kHz에서 비유전률과 유전손실은 각각 886 과 0.03 이었다. C-V 곡선은 좌우 대칭인 나비모양을 나타내었다. 누설전류밀도는 200kV/cm 에서 1.23×10/sup -5/A/cm²이었으며, 이력곡선으로부터 구한 잔류분극 (P/sub r/) 과 항전계(E/sub c/) 는 각각 33.8μC/cm²과 56.9kV/cm 이었다. 결론적으로 본 연구에서 제작된 PZT(30/70) 후막은 우수한 강유전 및 전기적 특성을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 추계학술대회 논문집 Vol.15
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• pp.309-312
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• 2002

Ferroelectric $Sr_{0.3}Ba_{0.7}Nb_{2}O_{6}$ (SBN30) thin films were deposited on Pt/Ti/$SiO_{2}$/Si(100) substrates by ion beam sputtering. During annealing treatment at $750^{\circ}C$, poling was attempted by applying dc voltage bias across polished surfaces. Phase relation, microstructure and crystallization behavior were examined using XRD and FE-SEM. Ferroelectric hysteresis characteristics were also determined where both remanent polarization and coercive values decreased with the increase of bias voltage. The measured remanent polarization and coercive field values at 5 V and 10 V bias were $36{\mu}C/cm^2$, $10{\mu}C/cm^2$ and 100kV /cm, 80kV /cm, respectively.

• 전자공학회논문지A
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• 제32A권2호
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• pp.66-72
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• 1995

Using the Si/SiGe layer grown by solid source molecular beam epitaxy(SSMBE) on the LOCOS-patterned wafers, an emitter-base self-aligned hterojunction biplar transistor(HBT) with the polysilicon-emitter and the silicon germanium(SiGe) base has been fabricated. Trech isolation process, planarization process using a chemical-mechanical poliching, and the selectively implanted collector(SIC) process were performed. A titanium disilicide (TiSi$_{2}$), as a base electrode, was used to reduce an extrinsic base resistance. To prevent the strain relaxation of the SiGe epitaxial layer, low temperature (820${^\circ}C$) annealing process was applied for the emitter-base junction formation and the dopant activation in the arsenic-implanted polysilicon. For the self-aligned Si/SiGe HBT of 0.9${\times}3.8{\mu}m^{2}$ emitter size, a cut-off requency (f$_{T}$) of 17GHz, a maximum oscillation frequency (f$_{max}$) of 10GHz, a current gian (h$_{FE}$) of 140, and an emitter-collector breakdown voltage (BV$_{CEO}$) of 3.2V have been typically achieved.

• 한국광물학회지
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• 제17권4호
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• pp.309-325
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• 2004

연구는 호주 퀸즈랜드 주 북서부에 위치하는 은-납-아연 캔닝턴 광상은 호상편마암, 미그마타이트, 규선석-석류석 편암 그리고 각섬암으로 구성된 모암 주변부에서 발달해 있다. 모암에서 산출되는 규선석의 세 가지 다른 결정형태, 규선석을 포획광물로 함유한 아연-첨정석과 석류석 반상변정은 모암의 변성작용과 아연과 관련된 광화작용에 대한 지질학적 지시자로 사용되었다. 변성작용과 아연 광화작용과의 관계는 프로그램 THERMOCALC를 이용하여 KFMASH (K$_2$O-FeO-MgO-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$- $H_2O$), KFMASHTO (K$_2$O-FeO-MgO-A1$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$-TiO$_2$-Fe$_2$O$_3$), NCKFMASH ($Na_2$O-CaO-K$_2$O-FeO-MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$) 그리고 MnNCKFMASH (MnO-$Na_2$O-CaO-K$_2$O-FeO-MgO-Al$_2$O$_3$-SiO$_2$-$H_2O$) 화학계에서 이들 세 가지 광물의 공생관계와 규선석-석류석-부분용융의 상평형 관계를 이용하여 결정하였다. MnNCKFMASH와 NCKFMASH계에서 부분 용융은 KFMASH와 KFMASHTO계에서 보다 낮은 온도에서 일어나며, MnNCKFMASH 계에서 용융 온도는 암석 화학 성분의 Na+Ca+K)의 비가 증가함에 따라 감소하는 경향을 보인다. 캔닝턴 광상의 모암은 MnNCKFMASH계의 경우 최고 온도와 압력 환경에서(634$\pm$62$^{\circ}C$, 4.8$\pm$1.3 kbar) 약 15% 용융되지만, KFMASHTO계하에서는 부분 용융이 일어나지 않는다. 규선석의 등변성도선과 모드 비의 변화를 근거로, 주상과 능면형의 규선석과 주상의 규선석을 포획하는 아연-첨정석 반상변정은 부분 용융을 포함하는 온도와 압력의 증가(약 550～$600^{\circ}C$, 2.0～3.0 kbar에서 700～75$0^{\circ}C$, 5.0～7.0 kbar)로 인한 것으로 생각된다. 또한 이와 같은 변성작용 동안의 최대 수축 변형 방향은 남-북 그 다음 동서 방향으로 주로 D$_1$과 D$_2$ 변형작용 동안에 형성되어졌다. 결론적으로 아연-첨정석의 성장과 관련된 아연 광화 작용은 D$_2$ 동안에 일어났고 그 후 부분 용융과 후기 변형/변성작용에 의해 재배치 또는 재농집 되어진 것으로 생각된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.510-510
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• 2011

Si (100) 2 인치 웨이퍼 위에 RF Magnetron Sputtering 방법으로 Ti 박막을 형성하고, 그 위에 MPCVD (Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition) 방법을 이용하여 나노결정다이아몬드 박막을 증착하였다. 지름 3인치, 두께 1/4인치의 Ti 타겟을 사용하고, Ar 가스 유량 11 sccm, 공정 압력 $4.5{\times}10^{-3}$ Torr, RF 전력 100 W, 기판온도 $70^{\circ}C$ 조건에서 2 시간 동안 Ti 박막을 증착하여 약 $0.8{\mu}m$의 박막을 얻었다. 그 위에 공정 압력 110 Torr, 마이크로웨이브 전력 1.2 kW, Ar/$CH_4$ 가스 조성비 200/2 sccm, 기판 온도 $600^{\circ}C$의 조건에서 기판에 -150 V의 DC 바이어스 전압 인가 여부를 변수로 하고, 증착 시간을 변화시켜 나노결정다이아몬드 박막을 제작하였다. FE-SEM과 AFM을 이용하여 다이아몬드 입자의 크기와 다이아몬드 박막의 두께, 표면 거칠기 등을 측정하였고, Raman spectroscopy와 XRD를 이용하여 다이아몬드 결정성을 확인하였다. 바이어스를 인가하지 않았을 경우 증착 시간이 증가할수록 다이아몬드 입자의 평균 크기가 증가하며 입자들이 차지하는 면적이 증가하는 것을 확인하였다. 그러나 2시간이 경과해도 아직 완전한 박막은 형성되지 못하고 약 4시간 이상 증착 시 완전한 박막을 이루는 것이 확인되었다. 이에 비해서 바이어스 전압을 인가할 경우 1시간 내에 완전한 박막을 이루는 것을 확인하였다. 표면 거칠기는 바이어스를 인가한 경우가 그렇지 않은 경우에 비해서 조금 높은 것으로 나타났다. 이러한 바이어스 효과는 표면에서의 핵생성 밀도 증가와 재핵생성 속도 증가에 기인하는 것으로 해석된다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권7호
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• pp.668-673
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• 1996

In this paper, (P $b_{1-x}$ L $a_{x}$)(Z $r_{0.52}$ $Ti_{0.48}$) $O_{3}$ (X=0-13[at%]) thin film were prepared by the Sol-Gel method, Multiple PLZT thin films were spin-coated on the Pt/Ti/ $SiO_{2}$Si substrate. The electrical properties of the films were investigated for varying the annealing temperature. In the PLZT(11/52/48) specimens, the dielectric ocnstant of 1236 and the polarization reversal time of 460[nm] were obtained and the breakdown of the film did not occur up to 1*10$^{10}$ cycles at the voltage of 7[V] by the bipolar acceleration. The remanent polarization and coercive field decreased with increasing the content of La in the range of 0-13[at%] and thin film of the PLZT(11/52/48) showed the value of 2.56[.mu.C/c $m^{2}$] and 21.1[kV/cm], respectively.ly.y.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.305-309
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• 2002

We have successfully fabricated a Metal-Ferroelectric-Insulator-Semiconductor (MFIS) structure using Bi$\sub$4-x/La$\sub$x/Ti$_3$O$\sub$12/ (BLT) ferroelectric thin film and SiO$_2$/Nitride/SiO$_2$ (ONO) stacked buffer layers for single transistor type ferroelectric nonvolatile memory applications. BLT films were deposited on 15 nm-thick ONO buffer layer by sol-gel spin-coating. The dielectric constant and the leakage current density of prepared ONO film were measured to be 5.6 and 1.0 x 10$\^$-8/ A/$\textrm{cm}^2$ at 2MV/cm, respectively, It was interesting to note that the crystallographic orientations of BLT thin films were strongly effected by pre-bake temperatures. X-ray diffraction patterns showed that (117) crystallites were mainly detected in the BLT film if pre-baked below 400$^{\circ}C$. Whereas, for the films pre-baked above 500$^{\circ}C$, the crystallites with preferred c-axis orientation were mainly detected. From the C-V measurement of the MFIS capacitor with c-axis oriented BLT films, the memory window of 0.6 V was obtained at a voltage sweep of ${\pm}$8 V, which evidently reflects the ferroelectric memory effect of a BLT/ONO/Si structure.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.43-46
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• 2000

In this study, (Ba, Sr)$TiO_3$ (BST) ceramics thin films were prepared by Sol-Gel method. BST solution was made and spin-coated on Pt/$TiO_2$/Si substrate at 4000 [rpm] for 10 seconds. Coated specimens were dried at 150[$^{\circ}C$] for 5 minutes. Coating process was repeated 3 times and then sintered at 750[$^{\circ}C$] for 30 minutes. Structure and electrical characteristics of specimen was analyzed by Fractal Process. Thickness of BST ceramics thin films are about 2800[$\AA$]. Dielectric constant and loss of thin films was little decreased at 1[kHz]~1[MHz]. Dielectric constant and loss to frequency were 250 and 0.02 in BST3. The property of leakage current as the relation between the current and the voltage was that change of the leakage current was stable when the applied voltage was 0~3[V].