• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.03b
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• pp.41-41
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• 2010

We present facile chemical route stabilizing dispersion of carboxylated single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) in ZnOsol prepared by using diethanolamine as a stabilizer. The dispersion was stabilized via capping of carboxyl groups on the SWCNT surface by a titania layer. We also demonstrated that the conductivity of the films prepared P3/$TiO_2$/ZnO as enhanced by therml treatment, and thethermal stbility of the film improved hybridization with ZnO sol pristine P3, P3/$SiO_2$ and P3/$TiO_2$ hybrid films.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.22 no.2
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• pp.91-96
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• 2012

AC and ZnS modified $TiO_2$ composites (AC/ZnS/$TiO_2$) were prepared using a sol-gel method. The composite obtained was characterized by Brunauer-Emmett-Teller (BET) surface area measurements, X-ray diffraction (XRD), energy dispersive X-ray (EDX) analysis, scanning electron microscope (SEM) analysis, and according to the UV-vis absorption spectra (UV-vis). XRD patterns of the composites showed that the AC/ZnS/$TiO_2$ composites contain a typical single and clear anatase phase. The surface properties as observed by SEM present the characterization of the texture of the AC/ZnS/$TiO_2$ composites, showing a homogenous composition in the particles showing the micro-surface structures and morphology of the composites. The EDX spectra of the elemental identification showed the presence of C and Ti with Zn and S peaks for the AC/ZnS/$TiO_2$ composite. UV-vis patterns of the composites showed that these composites had greater photocatalytic activity under visible light irradiation. A rhodamine B (Rh.B) solution under visible light irradiation was used to determine the photocatalytic activity. The degradation of Rh.B was determined using UV/Vis spectrophotometry. An increase in the photocatalytic activity was observed. From the photocatalytic results, the excellent activity of the Y-fullerene/$TiO_2$ composites for the degradation of methylene blue under visible irradiation could be attributed to an increase in the photo-absorption effect caused by the ZnS and to the cooperative effect of the AC.

• Journal of the Korean Society for Heat Treatment
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• v.35 no.6
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• pp.314-318
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• 2022

Transparent conducting ZnO/Ti/ZnO tri-layer films deposited on glass substrate with DC and RF magnetron sputtering were rapid thermal annealed at 150, 300 and 450℃ for 5 minutes and then effect of annealing temperature on the structural and optoelectronics properties of the films were investigated. The structural properties are strongly related to annealing temperature and the largest grain size is observed in the films annealed at 450℃. The electrical resistivity also decreases as low as 7.7 × 10^-4 Ωcm. The visible transmittance also depends on the annealing temperature. The films annealed at 450℃ show a higher transmittance of 80.6% in this study.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.07a
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• pp.963-967
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• 2001

The effects of the sintering additives such as Bi$_2$O$_3$and V$_2$O$_{5}$ on the microwave dielectric and sintering properties of ZnTiO$_3$system were investigated. Densities of >97% of the theoretical densities have been attained for ZnTiO$_3$at the sintering temperature range of 870~90$0^{\circ}C$ with Bi$_2$O$_3$and V$_2$O$_{5}$ additions of $_3$were obtained with 0.6wt% Bi$_2$O$_3$and 0.5wt% V$_2$O$_{5}$; Qxf$_{o}$ = 48,400 GHz, $\varepsilon$$_{r}$ = 22, and $\tau$$_{f}$ = -43 PPm/$^{\circ}C$. In order to improve temperature coefficient of resonance frequency, TiO$_2$was added to the above system. The optimum amount of TiO$_2$was 15mo1% when sintered at 87$0^{\circ}C$, at which we could obtain following results ; Qxf$_{o}$ = 44,700 GHz, $\varepsilon$$_{r}$ = 26, and $\tau$$_{f}$ = 0 ppm/$^{\circ}C$.EX>.>.EX>.>.>.EX>.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2002.07b
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• pp.561-565
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• 2002

The effects of sintering additives such as $Bi_2O_3$ and $V_2O_5$ on the microwave dielectric and sintering properties of (Zn, Mg)$TiO_3$ system were investigated. Highly dense samples were obtained for $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ at the sintering temperature range of $870{\sim}900^{\circ}C$ with $Bi_2O_3$ and $V_2O_5$ additions of <1wt.%, respectively. The microwave dielectric properties of $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ with 0.45 wt.% $Bi_2O_3$ and 0.55 wt.% $V_2O_5$ sintered at $900^{\circ}C$ were as follows: $Q{\times}f_o$=56,800 GHz, ${\varepsilon}_r$=22, and ${\tau}_f=-53ppm/^{\circ}C$. In order to improve temperature coefficient of resonant frequency, $TiO_2$ was added to the above system. The optimum amount of $TiO_2$ was 15 mol.% when sintered at $870^{\circ}C$, at which we could obtain following results: $Q{\times}f_o$ = 32,800 GHz, ${\varepsilon}_r$ = 26, and $\tau_f=0ppm/^{\circ}C$.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.15 no.1
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• pp.30-36
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• 2002

The effects of the sintering additives such as B $i_2$ $O_3$ and $V_2$ $O_{5}$ on the microwave dielectric and sintering properties of ZnTi $O_3$ system were investigated. Highly dense samples were obtained for ZnTi $O_3$ at the sintering temperature range of 870~90$0^{\circ}C$ with B $i_2$ $O_3$ and $V_2$ $O_{5}$ additions of <1 wt.%, respectively. The microwave dielectric properties of ZnTi $O_3$ with 0.6 wt.% B $i_2$ $O_3$ and 0.5 wt.% $V_2$ $O_{5}$ were as follows: Qx $f_{o}$ = 48,400 GHz, $\varepsilon$$_{r}$= 22, and $\tau$$_{f}$ = -43 ppm/$^{\circ}C$. In order to improve temperature coefficient of resonant frequency, Ti $O_2$ was added to the abode system. The optimum amount of Ti $O_2$was 15 mol.% when sintered at 87$0^{\circ}C$, at which Ive could obtain following results: Qx $f_{O}$ = 44,700GHz, $\varepsilon$$_{r}$ = 26, and $\tau$$_{f}$ = 0 PPm/$^{\circ}C$.>.EX>.>.>.EX>.>.>.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.37 no.11
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• pp.1065-1070
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• 2000

TiO$_2$의 첨가가 Mn-Zn ferrites의 전자기적 물성에 미치는 효과에 대해 연구하였다. TiO$_2$의 첨가량이 증가함에 따라 밀도와 전기비저항이 증가된 반면 초기투자율은 감소하였다. TiO$_2$의 첨가에 따라 Fe$^{2+}$ ion의 증가에 기인하여 전력손실의 최소 값을 나타내는 온도가 저온으로 이동하였다. TiO$_2$를 0.12wt% 첨가한 시편의 경우, 100 kHz, 200 mT, 8$0^{\circ}C$ 측정 조건에서는 소결온도가 증가함에 따라 전력손실이 감소하였으며 125$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 340 mW/㎤으로 가장 낮은 값을 보였다. 500 kHz, 50 mT, 8$0^{\circ}C$의 측정 조건에서는 소결 온도가 감소함에 따라 전력손실이 감소하였으며 115$0^{\circ}C$ 소결한 시편이 105 mW/㎤으로 가장 낮은 전력손실 값이 관찰되었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.310-310
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• 2013

본 연구에서는 Titanium (Ti) source/drain 전극 접합이 차세대 비정질 InGaZnO (IGZO) 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 화학적, 구조적, 전기적 특성 분석을 통하여 관찰하고 Ti/IGZO 접합 특성을 설명할 수 있는 메커니즘을 제시하였다. IGZO 기반 박막형 트랜지스터 소자의 구동 특성은 transmission line method (TLM) 패턴 공정을 이용하여 정량적으로 분석되었다. 비정질 IGZO 기반의 박막형 트랜지스터에서 Ti source/drain 전극 접합에 의한 구동 특성 변화 및 영향을 확인하기 위하여 금속/산화물 계면 반응성이 낮은 silver (Ag) source/drain 전극이 reference로 비교되었으며, 그 결과 Ti source/drain 전극 접합이 적용된 비정질 IGZO 트랜지스터의 경우 Ti 금속과 IGZO 산화물 계면에 형성되는 열역학적으로 안정한 $TiO_x$ 층의 형성에 의해 VT ($-{\Delta}0.52V$) shift 및 saturation mobility ($8.48cm^2$/Vs) 상승됨을 확인하였다. 뿐만 아니라 TLM 패턴을 이용한 IGZO 트랜지스터의 전기적 변수 도출 및 수치적 해석으로부터 $TiO_x$ 계면층 형성이 Ti 금속과 비정질 InGaZnO 계면에서의 effective contact resistivity를 효과적으로 낮출 수 있음을 확인하였다. Ti source/drain 전극 접합에 의해 발생되는 $TiO_x$ 계면층의 화학적, 구조적 특성과 $TiO_x$ 계면층 생성에 의한 소자 특성 변화를 연관시켜 해석함으로써, IGZO 기반 박막형 트랜지스터에서의 Ti source/drain 전극 접합이 비정질 IGZO 기반 박막형 트랜지스터에 미치는 영향을 설명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.400-400
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• 2012

산화물 반도체는 넓은 에너지갭을 가지고 높은 이동성과 높은 투명성을 가지기 때문에 초고 속 박막 트랜지스터(Thin film transistor; TFT)에 많이 응용되고 있다. 그러나 ZnO 및 $In_2O_3$ 산화물 반도체를 박막트랜지스터에 사용할 경우 소자가 불안정하여 전기적 성질이 저하되고 문턱전압의 이동이 일어난다. TFT에 사용되는 산화물 반도체로는 GaInZnO, ZrInZnO, HfInZnO 및 GaSnZnO의 전기적 특성에 관한 연구가 많이 되었다. 그러나 titanium-indium-zinc-oxide (TIZO) TFT에 대한 연구는 비교적 적게 수행 되었다. 본 연구에서는 TFTs의 안정성을 향상하기 위하여 TFT의 채널로 사용되는 TiInZnO를 형성하는데 간단한 제조 공정과 낮은 비용의 용액 증착방법을 사용하였다. 졸-겔 전해액은 Titanium (IV) isopropoxide $[Ti(OCH(CH_3)_2)_4]$, 0.1 M Zinc acetate dihydrate $[Zn(CH_3COO)_2{\cdot}2H_2O]$ 그리고 indium nitrate hydrate $[In(NO_3)_3{\cdot}xH_2O]$을 2-methoxyethanol의 용액에 합성하였다. $70^{\circ}C$에서 한 시간 동안 혼합 하였다. Ti의 몰 비율은 10%, 20% 및 40% 로 각각 달리하여 제작하였다. $SiO_2$층 위에 2,500 rpm 속도로 25초 동안 스핀 코팅하여 TFT를 제작하였다. TIZO 박막에 대한 X-선 광전자 스펙트럼 관측 결과는 Ti 몰 비율이 증가함에 따라 Ti 2p1/2피크의 세기가 증가함을 보여주었다. TiZO 박막에 Ti 원자를 첨가하면 $O^{2-}$ 이온이 감소하기 때문에 전하의 농도가 변화하였다. 전하 농도의 변화는 TiZO 채널을 사용하여 제작한 TFT의 문턱전압을 양 방향으로 이동 하였으며 off-전류를 감소하였다. TiZO 채널을 사용하여 제작한 TFT의 드레인 전류-게이트 전압 특성은 on/off비율이 $0.21{\times}107$ 만큼 크며 이것은 TFT 소자로서 우수한 성능을 보여주고 있다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.1 no.1
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• pp.107-116
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• 1991

Fine $PbTiO_3$ Particles were synthesized from the $Pb(NO_3)_2$and $TiO(NO_3)_2$ solution by the spray pyrolysis method using the ultrasonic vibrator as a mist generator. The obtained particles were characterized. The mechanisms of particle formation were discussed in comparison with those if other particles, such as $BaTiO_3$, $ZnO_2$, ZnO ....., in the same spray pyrolysis process.